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一種石墨烯鍵合銀絲及其制備方法與流程

文檔序號(hào):40555523發(fā)布日期:2025-01-03 11:15閱讀:8來源:國知局
一種石墨烯鍵合銀絲及其制備方法與流程

本發(fā)明涉及鍵合銀絲,具體地說就是一種石墨烯鍵合銀絲及其制備方法。


背景技術(shù):

1、銀合金作為鍵合絲材料具有高的反光率,低價(jià)值等優(yōu)勢(shì),是led中替代金線的理想材料。但是銀合金線具有電阻率高,容易發(fā)熱的缺點(diǎn),因此一些大功率的led沒有辦法取代金線。石墨烯鍵合銀絲能夠提高銀合金的導(dǎo)電性,使銀合金能夠應(yīng)用于較大功率的使用環(huán)境。

2、為提高石墨烯鍵合銀絲的力學(xué)強(qiáng)度,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N石墨烯鍵合銀絲及其制備方法。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為解決上述問題,本發(fā)明提供了一種石墨烯鍵合銀絲及其制備方法。

2、本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案是:一種石墨烯鍵合銀絲,按重量分?jǐn)?shù)計(jì),包括如下組分:石墨烯6%-8%,鈣0.5%-5%,余量為ag。

3、一種石墨烯鍵合銀絲制備方法,包括如下步驟:

4、a1.制備原料粉末,將質(zhì)量濃度為2%氧化石墨烯溶液與0.1mol/l抗壞血酸溶液混合,得到混合溶液,將混合溶液與0.1mol/l硝酸銀溶液混合,獲得銀/氧化石墨烯復(fù)合粉的懸濁液,經(jīng)沉降、洗滌、干燥獲得純凈的銀/氧化石墨烯復(fù)合粉,并對(duì)銀/氧化石墨烯復(fù)合粉進(jìn)行還原處理,得到混合原料粉末;

5、a2.燒結(jié),對(duì)步驟a1所得的混合原料粉末和鈣粉進(jìn)行成型、燒結(jié)處理,制得銀/氧化石墨烯復(fù)合材料;

6、a3.熔煉:將步驟a2所得銀/氧化石墨烯復(fù)合材料加入到熔煉爐中熔煉,溫度保持在1320℃-1620℃,精煉完成后倒入模具中冷卻鑄板;

7、a4.連鑄,將步驟a3所得合金板材在1200℃-1400℃下熔煉,并拉鑄成棒材;

8、a5.拉絲,將合金棒材在拉絲機(jī)上拉絲,得到銀/氧化石墨烯復(fù)合絲;

9、a6.退火,將步驟a5所得銀/氧化石墨烯復(fù)合絲引入退火裝置內(nèi),在氮?dú)獗Wo(hù)下進(jìn)行退火,退火裝置內(nèi)部包括預(yù)熱區(qū)和退火區(qū),預(yù)熱區(qū)溫度為320℃-420℃,退火區(qū)內(nèi)部溫度為420℃-550℃;

10、a7.收卷,經(jīng)步驟a6退火完成后的石墨烯鍵合銀絲降溫至室溫,繞卷即得。

11、作為優(yōu)化,所述退火裝置包括退火裝置主體,所述退火裝置主體的內(nèi)部設(shè)置有分隔盤和加熱柱,所述退火裝置主體的內(nèi)部開設(shè)有退火空間,所述分隔盤將所述退火空間分隔為預(yù)熱區(qū)和退火區(qū),所述加熱柱位于分隔盤的下側(cè);

12、所述退火裝置主體的頂部連接有第一驅(qū)動(dòng)電機(jī),退火裝置主體的底部連接有第二驅(qū)動(dòng)電機(jī),所述第一驅(qū)動(dòng)電機(jī)用于驅(qū)動(dòng)分隔盤轉(zhuǎn)動(dòng),所述第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)用于驅(qū)動(dòng)加熱柱轉(zhuǎn)動(dòng),石墨烯鍵合銀絲通過第一驅(qū)動(dòng)電機(jī)的空心輸出軸到達(dá)預(yù)熱區(qū)內(nèi)部,穿過分隔盤后進(jìn)入到退火區(qū),石墨烯鍵合銀絲呈螺旋形盤繞于加熱柱的圓周面外部,所述加熱柱的外側(cè)設(shè)置有限位擋板,石墨烯鍵合銀絲位于限位擋板與加熱柱之間。

13、作為優(yōu)化,所述第一驅(qū)動(dòng)電機(jī)為空心軸電機(jī),所述第一驅(qū)動(dòng)電機(jī)的輸出軸與所述分隔盤同軸心設(shè)置;

14、所述分隔盤開設(shè)有穿線孔,穿線孔遠(yuǎn)離所述分隔盤的軸心設(shè)置,所述穿線孔的上側(cè)設(shè)有導(dǎo)線輥。

15、作為優(yōu)化,所述限位擋板包括限位段和導(dǎo)向段,所述導(dǎo)向段連接于限位段的上端,導(dǎo)向段與加熱柱之間的距離由上至下依次減小,限位段與加熱柱外側(cè)面之間平行設(shè)置,限位段與所述加熱柱之間的距離介于石墨烯鍵合銀絲的一倍直徑到二倍直徑之間。

16、作為優(yōu)化,所述導(dǎo)向段轉(zhuǎn)動(dòng)連接有輔助風(fēng)管,所述輔助風(fēng)管的出風(fēng)口朝向?qū)蚨闻c加熱柱之間設(shè)置;

17、所述限位段的下端連接有限位楔塊,限位楔塊與所述限位段之間連接有彈簧轉(zhuǎn)軸,所述限位楔塊的下端與所述加熱柱之間接觸,石墨烯鍵合銀絲位于限位楔塊下端的上側(cè)。

18、作為優(yōu)化,所述退火裝置主體的頂部連接有進(jìn)風(fēng)管,退火裝置主體的下部連接有排風(fēng)管,所述退火裝置主體的底部設(shè)置有出線孔。

19、作為優(yōu)化,所述退火裝置主體的內(nèi)壁設(shè)置有支撐架,支撐架用于連接限位擋板。

20、一種石墨烯鍵合銀絲及其制備方法,具有以下有益之處:

21、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N石墨烯鍵合銀絲,添加鈣元素,并且對(duì)石墨烯進(jìn)行合理配比,得到一種石墨烯鍵合銀絲,有效提高鍵合銀絲的力學(xué)性能;

22、本申請(qǐng)的石墨烯鍵合銀絲通過本申請(qǐng)的退火裝置進(jìn)行分區(qū)退火,退火過程中首先對(duì)鍵合銀絲進(jìn)行預(yù)熱,再對(duì)鍵合銀絲進(jìn)行高溫加熱,使鍵合銀絲能夠在退火區(qū)內(nèi)部進(jìn)行長效退火,使鍵合銀絲內(nèi)部晶粒均一穩(wěn)定,有效提高石墨烯鍵合銀絲的力學(xué)性能。



技術(shù)特征:

1.一種石墨烯鍵合銀絲,其特征在于:按重量分?jǐn)?shù)計(jì),包括如下組分:石墨烯6%-8%,鈣0.5%-1.5%,余量為ag。

2.一種石墨烯鍵合銀絲制備方法,用于生產(chǎn)權(quán)利要求1所述的石墨烯鍵合銀絲,其特征在于:包括如下步驟:

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種石墨烯鍵合銀絲制備方法,其特征在于:所述退火裝置包括退火裝置主體(1),所述退火裝置主體(1)的內(nèi)部設(shè)置有分隔盤(2)和加熱柱(3),所述退火裝置主體(1)的內(nèi)部開設(shè)有退火空間,所述分隔盤(2)將所述退火空間分隔為預(yù)熱區(qū)(4)和退火區(qū)(5),所述加熱柱(3)位于分隔盤(2)的下側(cè);

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種石墨烯鍵合銀絲制備方法,其特征在于:所述第一驅(qū)動(dòng)電機(jī)(6)為空心軸電機(jī),所述第一驅(qū)動(dòng)電機(jī)(6)的輸出軸與所述分隔盤(2)同軸心設(shè)置;

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種石墨烯鍵合銀絲制備方法,其特征在于:所述限位擋板(8)包括限位段和導(dǎo)向段(10),所述導(dǎo)向段(10)連接于限位段的上端,導(dǎo)向段(10)與加熱柱(3)之間的距離由上至下依次減小,限位段與加熱柱(3)外側(cè)面之間平行設(shè)置,限位段與所述加熱柱(3)之間的距離介于石墨烯鍵合銀絲的一倍直徑到二倍直徑之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種石墨烯鍵合銀絲制備方法,其特征在于:所述導(dǎo)向段(10)轉(zhuǎn)動(dòng)連接有輔助風(fēng)管(11),所述輔助風(fēng)管(11)的出風(fēng)口朝向?qū)蚨?10)與加熱柱(3)之間設(shè)置;

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種石墨烯鍵合銀絲制備方法,其特征在于:所述退火裝置主體(1)的頂部連接有進(jìn)風(fēng)管(13),退火裝置主體(1)的下部連接有排風(fēng)管(14),所述退火裝置主體(1)的底部設(shè)置有出線孔。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種石墨烯鍵合銀絲制備方法,其特征在于:所述退火裝置主體(1)的內(nèi)壁設(shè)置有支撐架,支撐架用于連接限位擋板(8)。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及鍵合銀絲技術(shù)領(lǐng)域,具體地說就是一種石墨烯鍵合銀絲及其制備方法。一種石墨烯鍵合銀絲,按重量分?jǐn)?shù)計(jì),包括如下組分:石墨烯6%?8%,鈣0.5%?5%,余量為Ag。一種石墨烯鍵合銀絲制備方法,包括如下步驟:A1.制備原料粉末;A2.燒結(jié);A3.熔煉;A4.連鑄;A5.拉絲;A6.退火;A7.收卷。本申請(qǐng)?jiān)谑╂I合銀絲中添加鈣元素,并且對(duì)石墨烯進(jìn)行合理配比,得到一種石墨烯鍵合銀絲,有效提高鍵合銀絲的力學(xué)性能;退火過程中首先對(duì)鍵合銀絲進(jìn)行預(yù)熱,再對(duì)鍵合銀絲進(jìn)行高溫加熱,使鍵合銀絲能夠在退火區(qū)內(nèi)部進(jìn)行長效退火,使鍵合銀絲內(nèi)部晶粒均一穩(wěn)定,有效提高石墨烯鍵合銀絲的力學(xué)性能。

技術(shù)研發(fā)人員:林良,祝海磊,羅曉偉,趙啟燕,王巖
受保護(hù)的技術(shù)使用者:煙臺(tái)一諾電子材料有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/2
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