本發(fā)明涉及氣相沉積，尤其涉及一種pe-poly補(bǔ)鍍方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、目前，主流的topcon路線太陽能電池工藝路線中，pe-poly路線占到50％以上。pe-poly是指用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方式在硅片表面沉積一層poly-si，可根據(jù)具體需求調(diào)整不同的n-poly層數(shù)和厚度。受生產(chǎn)模式影響，此路線方法會造成一定比例的因高頻報警而造成工藝運(yùn)行中斷。

2、針對此種情況，當(dāng)前常規(guī)方法是將此批硅片直接返工，先將硅片采用特定方法清洗一遍，去除硅片表面已有的膜層，再返回至第一道工序在硅片表面制絨重新投產(chǎn)。這樣會耽誤生產(chǎn)時間，造成材料、人力、能源的浪費(fèi)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明實(shí)施例提供了一種pe-poly補(bǔ)鍍方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)，以解決pe-poly設(shè)備報警中斷后硅片返工造成材料、能源浪費(fèi)的問題。

2、第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種pe-poly補(bǔ)鍍方法，包括：

3、在pe-poly設(shè)備報警中斷運(yùn)行后，基于報警原因、已完成沉積步驟的工藝參數(shù)和當(dāng)前沉積步驟的工藝參數(shù)判斷是否對硅片進(jìn)行補(bǔ)鍍；

4、若判定對硅片進(jìn)行補(bǔ)鍍，則基于報警原因、已完成沉積步驟的工藝參數(shù)和當(dāng)前沉積步驟的工藝參數(shù)確定硅片的補(bǔ)鍍工藝參數(shù)；

5、控制pe-poly設(shè)備基于補(bǔ)鍍工藝參數(shù)對硅片進(jìn)行補(bǔ)鍍。

6、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在pe-poly設(shè)備報警中斷運(yùn)行后，基于報警原因、已完成沉積步驟的工藝參數(shù)和當(dāng)前沉積步驟的工藝參數(shù)判斷是否對硅片進(jìn)行補(bǔ)鍍，包括：

7、若報警原因為pe-poly設(shè)備內(nèi)存在碎片，且已完成沉積步驟的工藝參數(shù)和當(dāng)前沉積步驟的工藝參數(shù)與預(yù)設(shè)工藝參數(shù)范圍的偏差均小于預(yù)設(shè)偏差閾值，則判定對硅片進(jìn)行補(bǔ)鍍。

8、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，工藝參數(shù)包括工藝時長；基于報警原因、已完成沉積步驟的工藝參數(shù)和當(dāng)前沉積步驟的工藝參數(shù)確定硅片的補(bǔ)鍍工藝參數(shù)，包括：

9、若報警原因為pe-poly設(shè)備內(nèi)存在碎片，則在硅片對應(yīng)的全部沉積步驟中去掉已完成沉積步驟，得到剩余沉積步驟；

10、基于當(dāng)前沉積步驟的已進(jìn)行時長對剩余沉積步驟的時長進(jìn)行調(diào)整，得到硅片的補(bǔ)鍍工藝參數(shù)。

11、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，基于當(dāng)前沉積步驟的已進(jìn)行時長對剩余沉積步驟的時長進(jìn)行調(diào)整，包括：

12、若當(dāng)前沉積步驟的已進(jìn)行時長小于預(yù)設(shè)時長閾值，則設(shè)置剩余沉積步驟中當(dāng)前沉積步驟的時長為a-b+c，其中a為各沉積步驟的原時長，b為當(dāng)前沉積步驟的已進(jìn)行時長，c為預(yù)設(shè)的修正系數(shù)。

13、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，基于當(dāng)前沉積步驟的已進(jìn)行時長對剩余沉積步驟的時長進(jìn)行調(diào)整，還包括：

14、若當(dāng)前沉積步驟的已進(jìn)行時長不小于預(yù)設(shè)時長閾值，則在剩余沉積步驟中去掉當(dāng)前沉積步驟，并設(shè)置下一沉積步驟的時長為2a-b，其中a為各沉積步驟的原時長，b為當(dāng)前沉積步驟的已進(jìn)行時長。

15、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在控制pe-poly設(shè)備基于補(bǔ)鍍工藝參數(shù)對硅片進(jìn)行補(bǔ)鍍之后，還包括：

16、獲取補(bǔ)鍍后的硅片的鍍膜厚度；

17、基于鍍膜厚度與預(yù)期鍍膜厚度的偏差調(diào)整預(yù)設(shè)偏差閾值。

18、第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種pe-poly補(bǔ)鍍裝置，包括：

19、判斷模塊，用于在pe-poly設(shè)備報警中斷運(yùn)行后，基于報警原因、已完成沉積步驟的工藝參數(shù)和當(dāng)前沉積步驟的工藝參數(shù)判斷是否對硅片進(jìn)行補(bǔ)鍍；

20、計算模塊，用于在判定對硅片進(jìn)行補(bǔ)鍍時，基于報警原因、已完成沉積步驟的工藝參數(shù)和當(dāng)前沉積步驟的工藝參數(shù)確定硅片的補(bǔ)鍍工藝參數(shù)；

21、補(bǔ)鍍模塊，用于控制pe-poly設(shè)備基于補(bǔ)鍍工藝參數(shù)對硅片進(jìn)行補(bǔ)鍍。

22、第三方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電子設(shè)備，包括存儲器、處理器以及存儲在所述存儲器中并可在所述處理器上運(yùn)行的計算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計算機(jī)程序時實(shí)現(xiàn)如上第一方面或第一方面的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式所述方法的步驟。

23、第四方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，所述計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)存儲有計算機(jī)程序，所述計算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時實(shí)現(xiàn)如上第一方面或第一方面的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式所述方法的步驟。

24、本發(fā)明實(shí)施例提供一種pe-poly補(bǔ)鍍方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)，通過pe-poly設(shè)備報警中斷的報警原因，結(jié)合已完成沉積步驟的具體參數(shù)，可以對設(shè)備報警是否因石墨舟內(nèi)是否有碎片現(xiàn)象、設(shè)備故障或是沉積步驟的工藝參數(shù)不合格而發(fā)生工藝中斷進(jìn)行具體分析，從而判斷硅片是否適合在之前沉積步驟的基礎(chǔ)上進(jìn)行補(bǔ)鍍，并采用合適的工藝參數(shù)對硅片進(jìn)行補(bǔ)鍍，能夠?qū)F(xiàn)有技術(shù)判定為不合格的硅片變?yōu)楹细竦墓杵苊獠牧?、能源的浪費(fèi)。

技術(shù)特征：

1.一種pe-poly補(bǔ)鍍方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的pe-poly補(bǔ)鍍方法，其特征在于，所述在pe-poly設(shè)備報警中斷運(yùn)行后，基于報警原因、已完成沉積步驟的工藝參數(shù)和當(dāng)前沉積步驟的工藝參數(shù)判斷是否對硅片進(jìn)行補(bǔ)鍍，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的pe-poly補(bǔ)鍍方法，其特征在于，工藝參數(shù)包括工藝時長；所述基于所述報警原因、所述已完成沉積步驟的工藝參數(shù)和當(dāng)前沉積步驟的工藝參數(shù)確定所述硅片的補(bǔ)鍍工藝參數(shù)，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的pe-poly補(bǔ)鍍方法，其特征在于，所述基于當(dāng)前沉積步驟的已進(jìn)行時長對所述剩余沉積步驟的時長進(jìn)行調(diào)整，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的pe-poly補(bǔ)鍍方法，其特征在于，所述基于當(dāng)前沉積步驟的已進(jìn)行時長對所述剩余沉積步驟的時長進(jìn)行調(diào)整，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的pe-poly補(bǔ)鍍方法，其特征在于，在所述控制所述pe-poly設(shè)備基于所述補(bǔ)鍍工藝參數(shù)對所述硅片進(jìn)行補(bǔ)鍍之后，還包括：

7.一種pe-poly補(bǔ)鍍裝置，其特征在于，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的pe-poly補(bǔ)鍍裝置，其特征在于，所述判斷模塊具體用于：

9.一種電子設(shè)備，包括存儲器、處理器以及存儲在所述存儲器中并可在所述處理器上運(yùn)行的計算機(jī)程序，其特征在于，所述處理器執(zhí)行所述計算機(jī)程序時實(shí)現(xiàn)如上的權(quán)利要求1至6中任一項所述方法的步驟。

10.一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，所述計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)存儲有計算機(jī)程序，其特征在于，所述計算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時實(shí)現(xiàn)如上的權(quán)利要求1至6中任一項所述方法的步驟。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種PE?poly補(bǔ)鍍方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)。該方法包括：在PE?poly設(shè)備報警中斷運(yùn)行后，基于報警原因、已完成沉積步驟的工藝參數(shù)和當(dāng)前沉積步驟的工藝參數(shù)判斷是否對硅片進(jìn)行補(bǔ)鍍；若判定對硅片進(jìn)行補(bǔ)鍍，則基于報警原因、已完成沉積步驟的工藝參數(shù)和當(dāng)前沉積步驟的工藝參數(shù)確定硅片的補(bǔ)鍍工藝參數(shù)；控制PE?poly設(shè)備基于補(bǔ)鍍工藝參數(shù)對硅片進(jìn)行補(bǔ)鍍。本發(fā)明能夠?qū)F(xiàn)有技術(shù)判定為不合格的硅片變?yōu)楹细竦墓杵?，避免材料、能源的浪費(fèi)。

技術(shù)研發(fā)人員：李志彬,宋連勝,劉莉麗,李倩,李青娟,魏雙雙,李雪濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英利能源發(fā)展（保定）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2