本發(fā)明屬于ito膜，具體涉及色差更優(yōu)的超低方阻ito膜及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、ec調(diào)光膜即電致變色調(diào)光膜，可以通過材料的反射率、透過率、吸收率等光學屬性在外加電場的作用下發(fā)生穩(wěn)定、可逆的顏色變化，從而在外觀上表現(xiàn)為顏色和透明度的可逆變化，ec調(diào)光膜一般由多層薄膜構(gòu)成，包括透明導電層、電致變色層、電解質(zhì)層、離子儲存層等。

2、ito膜即氧化銦錫膜，其在ec調(diào)光膜中的應用主要作為透明電極使用，在電致變色器件的結(jié)構(gòu)中，ito膜不僅可以允許光線通過，還提供了電子傳輸?shù)穆窂?，以實現(xiàn)顏色和透明度的調(diào)節(jié)。ito膜在具體應用時需要進行蝕刻，以形成特定的電極圖案，以便在電場作用下控制電致變色層的變化?，F(xiàn)有的ito膜在蝕刻過程中會出現(xiàn)蝕刻前后色差變化偏大的問題，容易降低ito膜的透明度和導電性能，進而會影響ec調(diào)光膜的使用效果。

3、因此，如何降低ito膜蝕刻前后的色差差值是目前需要解決的問題。

4、公開于該背景技術(shù)部分的信息僅僅旨在增加對本發(fā)明的總體背景的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供色差更優(yōu)的超低方阻ito膜及其制備方法，本發(fā)明中的ito膜方阻低，導電性優(yōu)，蝕刻前后色差差值小，能夠滿足使用者的高要求。

2、為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一具體實施例提供的技術(shù)方案如下：

3、色差更優(yōu)的超低方阻ito膜，包括基材層，所述基材層上依次層疊設(shè)有上涂布層、打底層、硅鋁混合層、第一ito層和第二ito層；

4、其中，第一ito層由兩種不同參雜比例的銦錫混合靶鍍設(shè)形成，一種銦錫混合靶中銦錫摩爾比以銦錫原子計為(80～99)：(1～20)，另一種銦錫混合靶中銦錫摩爾比以銦錫原子計為(88～95)：(5～12)；

5、第二ito層由兩種不同參雜比例的銦錫混合靶鍍設(shè)形成，一種銦錫混合靶中銦錫摩爾比以銦錫原子計為(80～99)：(1～20)，另一種銦錫混合靶中銦錫摩爾比以銦錫原子計為(88～95)：(5～12)。

6、在本發(fā)明的一個或多個實施例中，所述第一ito層厚度為50～250nm。

7、在本發(fā)明的一個或多個實施例中，所述第二ito層厚度為50～150nm。

8、在本發(fā)明的一個或多個實施例中，所述硅鋁混合層中硅鋁摩爾比，以硅鋁原子計為(75～99)：(1～25)。

9、在本發(fā)明的一個或多個實施例中，所述硅鋁混合層的厚度為1～30nm。

10、在本發(fā)明的一個或多個實施例中，所述打底層材質(zhì)選自sio2、ti、tio2、si、al2o3、mgf2、sio、hfo2、sno2和y2o3。

11、在本發(fā)明的一個或多個實施例中，所述打底層厚度為0.2～20nm。

12、在本發(fā)明的一個或多個實施例中，所述基材層背離上涂布層的一側(cè)設(shè)有下涂布層，所述上涂布層和下涂布層均為丙烯酸樹脂層。

13、本發(fā)明另一具體實施例提供的技術(shù)方案如下：

14、色差更優(yōu)的超低方阻ito膜的制備方法，包括如下步驟：

15、取基材層，在基材層的雙面分別涂布上涂布層和下涂布層，在下涂布層上設(shè)置高溫保護膜；

16、在上涂布層上依次鍍設(shè)打底層、硅鋁混合層、第一ito層和第二ito層；

17、在第二ito層上設(shè)置正保護膜。

18、在本發(fā)明的一個或多個實施例中，鍍設(shè)時，真空度為1×10-4pa以下，水汽值為9×10-5pa以下，反應氣體為氬氣、氮氣和氧氣混合氣體，氬氣、氮氣和氧氣流量比例為(60～80)：(20～35)：(5～10)。

19、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明采用兩種不同參雜比例的銦錫靶鍍設(shè)ito層，有效降低了ito膜蝕刻前后的色差差值，蝕刻前后的色差值達到≤1％，現(xiàn)有的ito膜蝕刻前后色差偏大，一般在2％左右，顯然本發(fā)明中的ito膜更能夠滿足使用者的高要求。

技術(shù)特征：

1.一種色差更優(yōu)的超低方阻ito膜，其特征在于，包括基材層，所述基材層上依次層疊設(shè)有上涂布層、打底層、硅鋁混合層、第一ito層和第二ito層；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的色差更優(yōu)的超低方阻ito膜，其特征在于，所述第一ito層厚度為50～250nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的色差更優(yōu)的超低方阻ito膜，其特征在于，所述第二ito層厚度為50～150nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的色差更優(yōu)的超低方阻ito膜，其特征在于，所述硅鋁混合層中硅鋁摩爾比，以硅鋁原子計為(75～99)：(1～25)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的色差更優(yōu)的超低方阻ito膜，其特征在于，所述硅鋁混合層的厚度為1～30nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的色差更優(yōu)的超低方阻ito膜，其特征在于，所述打底層材質(zhì)選自sio2、ti、tio2、si、al2o3、mgf2、sio、hfo2、sno2和y2o3。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的色差更優(yōu)的超低方阻ito膜，其特征在于，所述打底層厚度為0.2～20nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的色差更優(yōu)的超低方阻ito膜，其特征在于，所述基材層背離上涂布層的一側(cè)設(shè)有下涂布層，所述上涂布層和下涂布層均為丙烯酸樹脂層。

9.權(quán)利要求1-8任一項所述的色差更優(yōu)的超低方阻ito膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的色差更優(yōu)的超低方阻ito膜，其特征在于，鍍設(shè)時，真空度為1×10-4pa以下，水汽值為9×10-5pa以下，反應氣體為氬氣、氮氣和氧氣混合氣體，氬氣、氮氣和氧氣流量比例為(60～80)：(20～35)：(5～10)。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了色差更優(yōu)的超低方阻ITO膜及其制備方法，色差更優(yōu)的超低方阻ITO膜包括基材層，基材層上依次層疊設(shè)有上涂布層、打底層、硅鋁混合層、第一ITO層和第二ITO層；第一ITO層由兩種不同參雜比例的銦錫混合靶鍍設(shè)形成，一種銦錫混合靶中銦錫摩爾比以銦錫原子計為(80～99)：(1～20)，另一種銦錫混合靶中銦錫摩爾比以銦錫原子計為(88～95)：(5～12)；第二ITO層由兩種不同參雜比例的銦錫混合靶鍍設(shè)形成，一種銦錫混合靶中銦錫摩爾比以銦錫原子計為(80～99)：(1～20)，另一種銦錫混合靶中銦錫摩爾比以銦錫原子計為(88～95)：(5～12)。本發(fā)明ITO膜蝕刻前后色差低，能滿足高要求。

技術(shù)研發(fā)人員：高毓康,陳超,王志堅,陳濤,趙飛
受保護的技術(shù)使用者：浙江日久新材料科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2