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一種微波等離子體化學氣相沉積設(shè)備的制作方法

文檔序號:40564548發(fā)布日期:2025-01-03 11:24閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種微波等離子體化學氣相沉積設(shè)備,其包括:爐管(2),其中,在爐管(2)內(nèi)部形成等離子腔(7),形成的等離子腔(7)包括上短路板(14)、側(cè)壁以及下短路板(11);所述上短路板(14)活動安裝在側(cè)壁上端,上短路板(14)中間位置處開設(shè)有開口;所述下短路板(11)活動安裝在側(cè)壁下端;其特征在于:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波等離子體化學氣相沉積設(shè)備,其特征在于:所述激勵探頭(4)為水冷式激勵探頭,激勵探頭(4)包括縱向探頭部(41)以及橫向探頭部(42),所述縱向探頭部(41)設(shè)置在波導(dǎo)(3)中心位置處,且縱向探頭部(41)末端延伸至等離子腔(7)內(nèi)部;所述橫向探頭部(42)呈環(huán)形且位于縱向探頭部(41)末端。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波等離子體化學氣相沉積設(shè)備,其特征在于:所述基片冷水臺組(13)包括外冷水套(131)以及可移動地設(shè)于外冷水套(131)的內(nèi)冷水臺(133);設(shè)置的內(nèi)冷水臺(133)至少部分位于等離子腔(7)內(nèi)部,且與橫向探頭部(42)相對布設(shè);同時內(nèi)冷水臺(133)下部穿過下短路板(11)后的開口部伸出等離子腔(7);另外,在外冷水套(131)內(nèi)部設(shè)有冷卻管路(132),設(shè)置的冷卻管路(132)內(nèi)部流動有冷卻介質(zhì)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波等離子體化學氣相沉積設(shè)備,其特征在于:活動安裝在側(cè)壁上端位置處的上短路板(14)上對稱分布安裝有上螺紋桿(1);活動安裝在側(cè)壁下端位置處的下短路板(11)上對稱分布安裝有下螺紋桿(12);同時活動位移的下短路板(11)外側(cè)設(shè)有法蘭盤端(9),法蘭盤端(9)下端通過法蘭管(10)安裝固定在爐管(2)上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微波等離子體化學氣相沉積設(shè)備,其特征在于:氣盤(15)底端兩側(cè)呈對稱分別接通進氣立管(16)以及暫氣立管(19),設(shè)置的進氣立管(16)下端以及暫氣立管(19)下端均穿過等離子腔(7)內(nèi)部對稱分布的法蘭盤端(9);同時進氣立管(16)下端設(shè)有端頭(17),端頭(17)一端接通波紋管(18)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微波等離子體化學氣相沉積設(shè)備,其特征在于:所述氣盤(15)內(nèi)壁下端設(shè)有托盤(21),托盤(21)上呈環(huán)形分布安裝有擴壓管(20),安裝的擴壓管(20)與氣盤(15)內(nèi)部接通。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微波等離子體化學氣相沉積設(shè)備,其特征在于:所述擴壓管(20)內(nèi)部形成擴壓腔(24),擴壓腔(24)一端開設(shè)有進氣口(22),擴壓腔(24)另一端開設(shè)有排氣口(25),排氣口(25)的直徑小于進氣口(22)的直徑;同時擴壓腔(24)在開設(shè)進氣口(22)的位置處活動安裝有閥片(23)。

8.一種微波等離子體化學氣相沉積設(shè)備,其包括:爐管(2),其中,在爐管(2)內(nèi)部形成等離子腔(7),形成的等離子腔(7)包括上短路板(14)、側(cè)壁以及下短路板(11);所述上短路板(14)活動安裝在側(cè)壁上端,上短路板(14)中間位置處開設(shè)有開口;所述下短路板(11)活動安裝在側(cè)壁下端;其特征在于:


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及微波等離子體加工設(shè)備領(lǐng)域,具體是一種微波等離子體化學氣相沉積設(shè)備;所述微波等離子體化學氣相沉積設(shè)備包括:爐管,其中,在爐管內(nèi)部形成等離子腔,形成的等離子腔包括上短路板、側(cè)壁以及下短路板;所述下短路板上方設(shè)有基片冷水臺組,基片冷水臺組上端放置有晶圓;同時在晶圓上端外側(cè)設(shè)有氣盤;所述的微波等離子體化學氣相沉積設(shè)備通過在等離子腔內(nèi)部放置的晶圓上方布置氣盤,這樣能夠充分保證晶圓上端的原料氣濃度一致,分布均勻,進而保證了后期所沉積的物質(zhì)濃度均勻,厚度也均勻,尤其也能夠保證晶圓邊緣位置處的沉積物質(zhì)也濃度一致,使得所生產(chǎn)的沉積物質(zhì)質(zhì)量較高。

技術(shù)研發(fā)人員:楊竣焜
受保護的技術(shù)使用者:深圳市先行設(shè)備科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/2
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