本發(fā)明涉及引線框架制造，具體地，涉及一種引線框架及其表面處理方法。

背景技術(shù)：

1、引線框架作為集成電路和芯片封裝的導(dǎo)電載體，是實現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，并起到為芯片提供機械支撐載體，與封裝外殼一同向外散發(fā)芯片工作時產(chǎn)生熱量的作用。絕大部分的半導(dǎo)體集成塊中都需要使用引線框架，是電子信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。其質(zhì)量直接關(guān)系著集成電路的工作可靠性和使用壽命。

2、引線框架通常由壓延法的金屬薄材制成，其表面一般需要進行放料-顯影-電鍍-水洗-退膜-水洗-烘干-收料-覆膜等多道工序處理，以提高其耐腐蝕性、電氣性能、耐磨性、可封裝性能等。其金屬薄材在電鍍時，受壓延材料壓延紋路的影響會在鍍層表面形成一條條不規(guī)則的條紋，同時也有會有顆粒物造成的突起或沙孔，使得鍍層表面不平整，因而造成二次壓膜時影響薄材鍍層與感光膜之間的附著力。

3、公開號為cn115472507a的發(fā)明專利，公開一種高可靠性引線框架噴砂工藝及其產(chǎn)品，其在二次壓模褪膜、鍍銀后，通過噴砂試劑對引線框架進行濕法噴砂處理，使引線框架表面獲得一定的粗糙度和清潔度。但是由于此方式濕法噴砂時，微小砂粒在液體中有團聚、噴砂液不均勻的情況，影響了引線框架表面質(zhì)量的穩(wěn)定性和一致性。

4、公開號為cn112563144a的發(fā)明專利，公開一種引線框架表面處理工藝，利用在化學粗化后增設(shè)一次物理噴砂粗化，提高引線框架粗化效果的同時提高粗化一致性，并加入例如超聲波除雜工藝與抗氧化工藝，提高引線框架表面處理的質(zhì)量。該專利在噴砂完成后，再進行超聲波處理，以去除表面殘留的雜質(zhì)，但是噴砂過程中，砂顆粒仍然團聚，導(dǎo)致噴砂粗化表面時，局部粗糙度明顯大于其他位置，表面粗糙度不一致未得到明顯改善。

5、因此，急需一種引線框架的表面處理方法，可有效解決金屬箔材壓延紋路導(dǎo)致引線框架鍍層表面缺陷和不平整、鍍層和感光膜附著力不足、感光膜易脫落、噴砂試劑有團聚不均勻，噴砂后引線框架粗糙度不一致等問題中的任意一種。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種引線框架及其表面處理方法。

2、本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的：

3、根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種引線框架的表面處理方法，所述方法包括：在金屬薄材電鍍工序后進行超聲噴砂工序，所述超聲噴砂工序包括在超聲條件下對電鍍后的金屬薄材進行噴砂處理，至所述金屬薄材表面達到預(yù)設(shè)粗糙度要求。

4、可選地，在所述電鍍工序中，電鍍時間為5～50秒，電鍍溫度為30～80℃，鍍層厚度小于1μm。

5、可選地，在所述超聲噴砂工序中，噴砂粒度為200～500目，噴砂時間為10～100秒，噴砂深度為0.05～0.2μm，超聲頻率為10～100khz。

6、可選地，在所述電鍍工序之前，還包括放料工序和顯影工序，所述顯影工序在所述放料工序之后。

7、可選地，所述放料工序包括將前道曝光工序處理后的金屬薄材卷料放入放料工位，其中：所述金屬薄材的厚度為0.01～0.2mm；

8、所述顯影工序包括用顯影液將制版圖案在所述金屬薄材上進行顯影，其中：顯影液為na2co3·10h2o、k2co3和硫酸銅中任意一種或多種，顯影時間為30～300秒。

9、可選地，在所述超聲噴砂工序之后，依次包括第一次水洗工序、退膜工序、第二次水洗工序、烘干工序、收料工序和覆膜工序。

10、可選地，在所述退膜工序中，退膜液為氫氧化鉀，退膜溫度為30～100℃，退膜時間為100～600秒。

11、可選地，在所述烘干工序中，烘干溫度為30～120℃，烘干時間為0.5～100分鐘。

12、可選地，所述覆膜工序包括：通過壓膜機將感光膜粘附在所述金屬薄材表面，再在所述感光膜的外表面上放置并固定需要制作的產(chǎn)品圖形，得到帶感光膜的引線框架產(chǎn)品；

13、其中：所述感光膜的材料為聚酰亞胺、光致抗蝕劑、聚乙烯和聚酯薄膜中任意一種或多種，所述感光膜的厚度為0.01～0.1mm。

14、根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種引線框架，其利用上述的引線框架的表面處理方法制造得到。

15、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下至少之一的有益效果：

16、本發(fā)明提供的引線框架的表面處理方法，在金屬薄材電鍍后，通過超聲噴砂打磨鍍層表面，將鍍層表面因材料壓延紋路形成的條紋或者因顆粒物造成的突起、沙孔打磨平整，使電鍍層表面平整，鍍層具有良好表面狀態(tài)。由于在超聲環(huán)境下進行噴砂，可以減少砂顆粒團聚，使得砂顆粒的分散性大幅提高，解決了現(xiàn)有工藝的金屬箔材在噴砂后局部區(qū)域表面粗糙度突變的情況，能夠提高引線框架的表面質(zhì)量一致性，有效改善后道工序感光膜從引線框架脫落的情況，從而提高引線框架產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定性、使用性能以及成材率。

技術(shù)特征：

1.一種引線框架的表面處理方法，其特征在于，包括：在金屬薄材電鍍工序后進行超聲噴砂工序，所述超聲噴砂工序包括在超聲條件下對電鍍后的金屬薄材進行噴砂處理，至所述金屬薄材表面達到預(yù)設(shè)粗糙度要求。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架的表面處理方法，其特征在于，在所述電鍍工序中，電鍍時間為5～50秒，電鍍溫度為30～80℃，鍍層厚度小于1μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架的表面處理方法，其特征在于，在所述超聲噴砂工序中，噴砂粒度為200～500目，噴砂時間為10～100秒，噴砂深度為0.05～0.2μm，超聲頻率為10～100khz。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架的表面處理方法，其特征在于，在所述電鍍工序之前，還包括放料工序和顯影工序，所述顯影工序在所述放料工序之后。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的引線框架的表面處理方法，其特征在于，所述放料工序包括將前道曝光工序處理后的金屬薄材卷料放入放料工位，其中：所述金屬薄材的厚度為0.01～0.2mm；

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架的表面處理方法，其特征在于，在所述超聲噴砂工序之后，依次包括第一次水洗工序、退膜工序、第二次水洗工序、烘干工序、收料工序和覆膜工序。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的引線框架的表面處理方法，其特征在于，在所述退膜工序中，退膜液為氫氧化鉀，退膜溫度為30～100℃，退膜時間為100～600秒。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的引線框架的表面處理方法，其特征在于，在所述烘干工序中，烘干溫度為30～120℃，烘干時間為0.5～100分鐘。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的引線框架的表面處理方法，其特征在于，所述覆膜工序包括：通過壓膜機將感光膜粘附在所述金屬薄材表面，再在所述感光膜的外表面上放置并固定需要制作的產(chǎn)品圖形，得到帶感光膜的引線框架產(chǎn)品；

10.一種引線框架，其特征在于，利用權(quán)利要求1-9任一項所述的引線框架的表面處理方法制造得到。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種引線框架及其表面處理方法，所述方法包括：在金屬薄材電鍍工序后進行超聲噴砂工序，所述超聲噴砂工序包括在超聲條件下對電鍍后的金屬薄材進行噴砂處理，至所述金屬薄材表面達到預(yù)設(shè)粗糙度要求。本發(fā)明通過超聲噴砂打磨鍍層表面，將鍍層表面因材料壓延紋路形成的條紋或者因顆粒物造成的突起、沙孔打磨平整，提高引線框架的表面質(zhì)量一致性，有效改善后道工序感光膜脫落的情況，從而提高引線框架產(chǎn)品的使用性能和成材率。

技術(shù)研發(fā)人員：王開旭,田書鼎,田寧,杜言廣,王蕾,劉佳佳,裴歌歌
受保護的技術(shù)使用者：浙江宏豐半導(dǎo)體新材料有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30