本發(fā)明涉及金屬冶煉，尤其涉及一種低氣高純鉻的制備方法。

背景技術：

1、高純鉻主要應用于高溫合金中，由于高溫合金主要應用于航空航天、艦船等高端領域，隨著我國航空航天事業(yè)的迅速發(fā)展,對高溫合金和靶材領域?qū)Ｓ酶呒兘饘巽t的需求越來越大，但由于此類對高純金屬鉻的雜質(zhì)含量要求較嚴格，要求高純金屬鉻純度高、雜質(zhì)含量低，尤其是氧、硫、氮、碳，因此使得大部分產(chǎn)品仍需要進口。

2、目前，一般制備金屬鉻的方法是用氧化鉻為原料、配碳質(zhì)還原劑進行真空爐還原，或者在高溫高真空度的條件下進行還原。用碳作為還原劑，容易導致金屬鉻的中的碳含量偏高。

3、cn1102872c公開了一種去除非金屬雜質(zhì)的方法,該方法將原料研磨成粉末,用高壓機械把鉻粉壓制成塊,然后通入氫氣，在高溫條件下去除非金屬雜質(zhì)，如：c、o、s和n，該方法的c、0含量均較低，但該方法反應時間長，氫氣使用量大，生產(chǎn)成本很高。

技術實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，有必要提供一種非金屬雜質(zhì)含量比較低的低氣高純鉻的制備方法。

2、一種低氣高純鉻的制備方法包括以下步驟：

3、步驟s1：采用鋁熱法制備部分金屬鉻并粉碎成粒度為60目～200目的粉體；采用電解法制備另一部分金屬鉻并粉碎成粒度為60目～200目的粉體；

4、步驟s2：將兩部分金屬鉻粉體與石墨粉混合，壓制成30mm×(18±2)mm的圓錠，裝入石墨坩堝中，其中石墨粉占圓錠總質(zhì)量的0.5％～2％；

5、步驟s3：將裝有圓錠的石墨坩堝放入真空爐中進行冶煉；當真空爐內(nèi)真空度≤5mpa時開始升溫,溫度升至1400℃～1600℃，保10～15h后降溫，當溫度降至1200-1100℃時，向真空爐內(nèi)充氫氣至15～20pa，并保壓1h；

6、步驟s4：保壓結(jié)束后，開始升溫至1400℃～1600℃，并保溫2h后降溫，當溫度降至室溫時出爐。

7、有益效果：本發(fā)明利用鋁熱法制備鉻的碳、氧含量高、硫含量低以及電解法制備鉻的碳、氧含量低、硫含量高的特點，用兩種方法制備出來的鉻進行復配，在滿足產(chǎn)品對硫含量要求的同時降低氣體雜質(zhì)，同時，利用金屬鉻高溫還原后降溫過程中吸氣的現(xiàn)象，在降溫過程中，當溫度達到1100℃時吸氣時進行充氫氣，氫氣被金屬鉻充分吸附后，再將溫度升高進行脫氫，在脫氫的過程中，產(chǎn)品中的氫和氧發(fā)生反應，從而降低產(chǎn)品的氧含量，實現(xiàn)最終產(chǎn)品碳氧降低的目的。

技術特征：

1.一種低氣高純鉻的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

2.如權利要求1所述的一種低氣高純鉻的制備方法，其特征在于：在步驟s1中，通過鋁熱法制備鉻的粉體與電解法制備鉻的粉體的質(zhì)量比為（4~6）：（6~4）。

3.如權利要求1所述的一種低氣高純鉻的制備方法，其特征在于：鋁熱法制備的鉻金屬粉體以及電解法制備的鉻金屬≤200目的粉體的比例不超過5%。

技術總結(jié)
一種低氣高純鉻的制備方法包括以下步驟：步驟S1：采用鋁熱法制備部分金屬鉻并粉碎成粒度為60目~200目的粉體；采用電解法制備另一部分金屬鉻并粉碎成粒度為60目~200目的粉體；步驟S2：將兩部分金屬鉻粉體與石墨粉混合，壓制成30mm×(18±2)mm的圓錠，裝入石墨坩堝中，其中石墨粉占圓錠總質(zhì)量的0.5%~2%；步驟S3：將裝有圓錠的石墨坩堝放入真空爐中進行冶煉；當真空爐內(nèi)真空度≤5Mpa時開始升溫,溫度升至1400℃~1600℃，保10~15h后降溫，當溫度降至1200?1100℃時，向真空爐內(nèi)充氫氣至15~20Pa，并保壓1h；步驟S4：保壓結(jié)束后，開始升溫至1400℃~1600℃，并保溫2h后降溫，當溫度降至室溫時出爐。

技術研發(fā)人員：何志敏,王強,倪航星,彭俊
受保護的技術使用者：中色（寧夏）東方集團有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/1/6