本申請涉及半導(dǎo)體薄膜氣相沉積，例如涉及一種噴淋組件及半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、目前，在現(xiàn)有的等離子體增強化學(xué)氣相沉積(plasma?enhanced?chemical?vapordeposition，pecvd)薄膜制程中，由于等離子體具有擴散特性，導(dǎo)致不僅會在晶圓表面形成薄膜，也會在噴淋板的表面、反應(yīng)腔的側(cè)壁以及加熱盤的底部形成沉積。

2、因此，在制程結(jié)束后后需要進(jìn)行反應(yīng)腔清潔，現(xiàn)有的pecvd清潔方式一般為使用遠(yuǎn)程等離子體源(remote?plasma?source，rps)進(jìn)行反應(yīng)腔清洗。即清潔氣體通過遠(yuǎn)程等離子體源電離激活后，再利用氣流等將等離子體引入反應(yīng)腔，流經(jīng)噴淋板后均勻擴散，以充分清潔反應(yīng)腔、加熱盤等，以達(dá)到清洗的目的。

3、在實現(xiàn)本公開實施例的過程中，發(fā)現(xiàn)相關(guān)技術(shù)中至少存在如下問題：

4、在使用rps激活后的清潔氣體進(jìn)行反應(yīng)腔清洗的過程中，由于等離子化后清洗氣體中的離子因路程較遠(yuǎn)會頻繁發(fā)生碰撞，導(dǎo)致離子俘獲異性電荷轉(zhuǎn)變?yōu)殡娭行晕镔|(zhì)，從而減少了通過遠(yuǎn)程等離子體源激活后的清潔氣體中的帶電粒子數(shù)，導(dǎo)致反應(yīng)腔的腔璧以及加熱盤底部清洗效率較低且清洗效果較差，進(jìn)而導(dǎo)致半導(dǎo)體薄膜制程中出現(xiàn)不穩(wěn)定、產(chǎn)能低以及顆粒物沉積等技術(shù)問題。

5、需要說明的是，在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強對本申請的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為了對披露的實施例的一些方面有基本的理解，下面給出了簡單的概括。所述概括不是泛泛評述，也不是要確定關(guān)鍵/重要組成元素或描繪這些實施例的保護范圍，而是作為后面的詳細(xì)說明的序言。

2、本公開實施例提供一種噴淋組件及半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備，能夠提高反應(yīng)腔的清洗效果和清洗效率，并能夠有效提升半導(dǎo)體薄膜制程的穩(wěn)定性和設(shè)備的使用周期。

3、在一些實施例中，所述噴淋組件，設(shè)置于半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備的反應(yīng)腔內(nèi)并位于加熱盤的上方，包括：噴淋板、噴淋區(qū)和rps導(dǎo)入?yún)^(qū)，噴淋區(qū)設(shè)置于噴淋板，rps導(dǎo)入?yún)^(qū)設(shè)置于噴淋板并與噴淋區(qū)相互獨立，用于將來自于反應(yīng)腔頂部的清潔氣體導(dǎo)入至反應(yīng)腔的其他區(qū)域以及加熱盤。

4、可選地，rps導(dǎo)入?yún)^(qū)包括貫通部，貫通部沿噴淋區(qū)的邊緣設(shè)置，并沿清潔氣體的流動方向在噴淋板上形成通氣結(jié)構(gòu)。

5、可選地，貫通部包括呈等距間隔分布或不等距間隔分布的多個圓形通氣結(jié)構(gòu)。

6、可選地，貫通部包括呈等距間隔分布或不等距間隔分布的多個矩形通氣結(jié)構(gòu)。

7、可選地，貫通部包括由多個圓形通孔或矩形通孔相互連通后形成的連貫異形通氣結(jié)構(gòu)。

8、可選地，通氣結(jié)構(gòu)包括傾斜或口徑漸變的直線型貫通結(jié)構(gòu)，其中，傾斜和口徑漸變的方向為朝向反應(yīng)腔的側(cè)壁或加熱盤所在的方向。

9、可選地，通氣結(jié)構(gòu)包括第一貫通部和第二貫通部，第一貫通部在朝向反應(yīng)腔頂部的方向上形成開口；第二貫通部一端與第一貫通部的一端連通，另一端在朝向反應(yīng)腔的側(cè)壁或加熱盤所在的方向上形成開口；其中，第一貫通部的口徑與第二貫通部的口徑相同或不相同。

10、可選地，通氣結(jié)構(gòu)包括主體貫通部和多個分支貫通部，主體貫通部，在朝向反應(yīng)腔頂部的方向上形成開口；多個分支貫通部中的每個分支貫通部的一端均與主體貫通連通，另一端分別朝向反應(yīng)腔內(nèi)的多個不同方向。

11、可選地，噴淋區(qū)包括相互獨立的第一子噴淋區(qū)和第二子噴淋區(qū)，rps導(dǎo)入?yún)^(qū)包括相互獨立的第一子rps導(dǎo)入?yún)^(qū)和第二子rps導(dǎo)入?yún)^(qū)，其中，第一子噴淋區(qū)與第一子rps導(dǎo)入?yún)^(qū)同軸設(shè)置，第二子噴淋區(qū)與第二子rps導(dǎo)入?yún)^(qū)同軸設(shè)置。

12、在一些實施例中，所述半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備，包括如本申請所述的噴淋組件，其中，半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備包括刻蝕設(shè)備、化學(xué)氣相沉積設(shè)備或原子層沉積設(shè)備。

13、本公開實施例提供的噴淋組件及半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備，可以實現(xiàn)以下技術(shù)效果：

14、本申請通過在噴淋板上設(shè)置獨立于噴淋區(qū)的rps導(dǎo)入?yún)^(qū)，從而將來自于反應(yīng)腔頂部的清潔氣體，通過rps導(dǎo)入?yún)^(qū)穿過噴淋板直接導(dǎo)入至反應(yīng)腔的其他區(qū)域以及加熱盤，能夠有效地減少等離子化后清洗氣體中的離子因路程較遠(yuǎn)而發(fā)生的碰撞，從而降低了正離子或負(fù)離子俘獲異性電荷轉(zhuǎn)變?yōu)殡娭行晕镔|(zhì)的概率，增加了通過遠(yuǎn)程等離子體源激活后的清潔氣體中使帶電粒子數(shù)，提高了反應(yīng)腔的腔璧以及加熱盤底部的清洗效率和清洗效果，進(jìn)而提高了半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備的產(chǎn)能、工藝穩(wěn)定性以及設(shè)備的使用周期。

15、以上的總體描述和下文中的描述僅是示例性和解釋性的，不用于限制本申請。

技術(shù)特征：

1.一種噴淋組件，設(shè)置于半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備的反應(yīng)腔內(nèi)并位于加熱盤的上方，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴淋組件，其特征在于，所述rps導(dǎo)入?yún)^(qū)包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的噴淋組件，其特征在于，所述貫通部包括呈等距間隔分布或不等距間隔分布的多個圓形通氣結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的噴淋組件，其特征在于，所述貫通部包括呈等距間隔分布或不等距間隔分布的多個矩形通氣結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的噴淋組件，其特征在于，所述貫通部包括由多個圓形通孔或矩形通孔相互連通后形成的連貫異形通氣結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求3、4或5所述的噴淋組件，其特征在于，通氣結(jié)構(gòu)包括傾斜或口徑漸變的直線型貫通結(jié)構(gòu)，其中，傾斜和口徑漸變的方向為朝向所述反應(yīng)腔的側(cè)壁或所述加熱盤所在的方向。

7.根據(jù)權(quán)利要求3、4或5所述的噴淋組件，其特征在于，通氣結(jié)構(gòu)包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求3、4或5所述的噴淋組件，其特征在于，通氣結(jié)構(gòu)包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴淋組件，其特征在于，所述噴淋區(qū)包括相互獨立的第一子噴淋區(qū)和第二子噴淋區(qū)，所述rps導(dǎo)入?yún)^(qū)包括相互獨立的第一子rps導(dǎo)入?yún)^(qū)和第二子rps導(dǎo)入?yún)^(qū)，其中，所述第一子噴淋區(qū)與所述第一子rps導(dǎo)入?yún)^(qū)同軸設(shè)置，所述第二子噴淋區(qū)與所述第二子rps導(dǎo)入?yún)^(qū)同軸設(shè)置。

10.一種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至9中任一項所述的噴淋組件，其中，所述半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備包括刻蝕設(shè)備、化學(xué)氣相沉積設(shè)備或原子層沉積設(shè)備。

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及半導(dǎo)體薄膜氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域，公開一種噴淋組件及半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備，其中，所述噴淋組件包括：噴淋板、噴淋區(qū)和RPS導(dǎo)入?yún)^(qū)，噴淋區(qū)設(shè)置于所述噴淋板，RPS導(dǎo)入?yún)^(qū)設(shè)置于所述噴淋板并與所述噴淋區(qū)相互獨立，用于將來自于所述反應(yīng)腔頂部的清潔氣體導(dǎo)入至所述反應(yīng)腔的其他區(qū)域以及所述加熱盤。這樣，能夠提高反應(yīng)腔的清洗效果和清洗效率，并能夠有效提升半導(dǎo)體薄膜制程的穩(wěn)定性和設(shè)備的使用周期。

技術(shù)研發(fā)人員：李榮生
受保護的技術(shù)使用者：江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6