本發(fā)明屬于半導(dǎo)體拋光領(lǐng)域，尤其涉及一種用于減少ttv的半導(dǎo)體拋光方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體拋光是制造半導(dǎo)體器件中一個(gè)非常重要的工藝步驟。它的主要目的是為了提高硅片表面的平整度和光滑度，從而為后續(xù)的光刻、蝕刻等工藝提供一個(gè)更好的基礎(chǔ)。

2、在半導(dǎo)體制造過程中，ttv是指晶片厚度的變化，而這一變化可以通過拋光工藝來控制和減少。通過精密的拋光過程，可以使硅片的厚度變化更加均勻，從而減少ttv。在拋光過程中，控制好拋光時(shí)間、拋光劑的選擇以及拋光壓力等參數(shù)，可以有效地減少硅片的厚度變化。此外，采用高質(zhì)量的拋光設(shè)備和工藝流程也能夠?qū)tv進(jìn)行有效的控制。

3、但是，對(duì)于現(xiàn)有半導(dǎo)體拋光工藝，通過設(shè)定固定的拋光參數(shù)來完成拋光作業(yè)。這種方法在一定程度上存在著無法靈活應(yīng)對(duì)不同工件特性和拋光機(jī)狀態(tài)變化的問題，導(dǎo)致了拋光過程中的一些不確定性和浪費(fèi)。因此，現(xiàn)有技術(shù)往往無法有效地控制拋光參數(shù)以減少ttv，從而影響了半導(dǎo)體產(chǎn)品的質(zhì)量和穩(wěn)定性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，本發(fā)明提出一種用于減少ttv的半導(dǎo)體拋光方法，本發(fā)明設(shè)計(jì)的技術(shù)方案步驟包括：

2、s10：定義拋光機(jī)的拋光參數(shù)，并基于所述拋光參數(shù)建立拋光機(jī)的動(dòng)態(tài)模型；

3、s20：基于所述動(dòng)態(tài)模型建立拋光機(jī)的狀態(tài)描述函數(shù)；

4、s30：采用回歸移動(dòng)平均模型，基于所述狀態(tài)描述函數(shù)和預(yù)設(shè)損失函數(shù)對(duì)回歸移動(dòng)平均模型進(jìn)行訓(xùn)練，輸出拋光機(jī)的預(yù)測(cè)拋光參數(shù)；

5、s40：基于所述預(yù)測(cè)拋光參數(shù)建立拋光機(jī)的行為描述函數(shù)，并基于狀態(tài)描述和行為描述函數(shù)計(jì)算行為效用，定義隨機(jī)拋光參數(shù)方案，并基于所述行為效用優(yōu)化隨機(jī)拋光參數(shù)方案，獲得拋光參數(shù)的調(diào)整方案；

6、s50：定義獎(jiǎng)勵(lì)機(jī)制，基于所述獎(jiǎng)勵(lì)機(jī)制和拋光參數(shù)的調(diào)整方案構(gòu)建優(yōu)化拋光參數(shù)函數(shù)；

7、s60：基于所述優(yōu)化拋光參數(shù)函數(shù)輸出最優(yōu)拋光參數(shù)，并輸入至拋光機(jī)對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行拋光作業(yè)。

8、優(yōu)選地，所述s10中的建立拋光機(jī)的動(dòng)態(tài)模型公式如下：

9、

10、式中，為半導(dǎo)體的去除量，為拋光液比例系數(shù)，為拋光機(jī)表面產(chǎn)生的電磁力，為半導(dǎo)體與拋光機(jī)在拋光過程中的相對(duì)速度，為半導(dǎo)體在拋光過程中溶解的量，為半導(dǎo)體的溶解速度，為磨料在壓入半導(dǎo)體表面的壓入值，為拋光機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)速度，為拋光機(jī)與半導(dǎo)體接觸的區(qū)域面積，為磨料的直徑，為磨料的密度，為材料濃度的常數(shù)。

11、優(yōu)選地，所述s20中的建立拋光機(jī)的狀態(tài)描述函數(shù)公式如下：

12、。

13、優(yōu)選地，所述s30中的預(yù)設(shè)損失函數(shù)公式如下：

14、

15、式中，為樣本數(shù)量，為拋光機(jī)的預(yù)測(cè)拋光參數(shù)，為拋光機(jī)的實(shí)際拋光參數(shù)。

16、優(yōu)選地，所述包括、和，均一一對(duì)應(yīng)；

17、所述對(duì)應(yīng)，對(duì)應(yīng)參數(shù)為拋光液比例系數(shù)、拋光機(jī)表面產(chǎn)生的電磁力和半導(dǎo)體與拋光機(jī)在拋光過程中的相對(duì)速度；

18、所述對(duì)應(yīng)，對(duì)應(yīng)參數(shù)為磨料在壓入半導(dǎo)體表面的壓入值，拋光機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)速度和拋光機(jī)表面產(chǎn)生的電磁力；

19、所述對(duì)應(yīng)，對(duì)應(yīng)參數(shù)為磨料的直徑和磨料的密度。

20、優(yōu)選地，所述s40中的拋光機(jī)的行為描述函數(shù)公式如下：

21、

22、式中，為權(quán)重矩陣，relu為激活函數(shù)，為偏置項(xiàng)，為輸出層的權(quán)重，為輸出層的偏置項(xiàng)。

23、優(yōu)選地，所述s40中的拋光參數(shù)的調(diào)整方案公式如下：

24、

25、式中，為相似度，為隨機(jī)拋光參數(shù)方案，為行為效用，為規(guī)范化函數(shù)。

26、優(yōu)選地，所述s50中的獎(jiǎng)勵(lì)機(jī)制公式如下：

27、

28、式中，和為平衡和之間權(quán)重的參數(shù)，為平衡對(duì)拋光效果的影響的參數(shù)。

29、優(yōu)選地，所述s50中的構(gòu)建優(yōu)化拋光參數(shù)函數(shù)公式如下：

30、

31、式中，為狀態(tài)描述函數(shù)與行為描述函數(shù)的元組，為在調(diào)整方案下的，為數(shù)學(xué)期望操作符，為熵系數(shù)，為第i個(gè)調(diào)整方案下的狀態(tài)描述函數(shù)的行為熵。

32、優(yōu)選地，所述s60中的輸出最優(yōu)拋光參數(shù)包括：

33、初始化拋光機(jī)的拋光參數(shù)，計(jì)算優(yōu)化拋光參數(shù)函數(shù)的梯度并逐步調(diào)整拋光參數(shù)的取值，直至達(dá)到最大化目標(biāo)優(yōu)化函數(shù)并輸出最優(yōu)拋光參數(shù)。

34、有益效果：本發(fā)明通過建立拋光機(jī)的動(dòng)態(tài)模型，然后使用回歸移動(dòng)平均模型進(jìn)行訓(xùn)練，輸出預(yù)測(cè)拋光參數(shù)，并最終優(yōu)化拋光參數(shù)，以實(shí)現(xiàn)減少ttv的效果，通過這一方法，可以更精準(zhǔn)地控制拋光參數(shù)，提高拋光的效率和穩(wěn)定性，從而減少半導(dǎo)體的厚度變化，進(jìn)而提高產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。

技術(shù)特征：

1.一種用于減少ttv的半導(dǎo)體拋光方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于減少ttv的半導(dǎo)體拋光方法，其特征在于，所述s10中的建立拋光機(jī)的動(dòng)態(tài)模型公式如下：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于減少ttv的半導(dǎo)體拋光方法，其特征在于，所述s20中的建立拋光機(jī)的狀態(tài)描述函數(shù)公式如下：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于減少ttv的半導(dǎo)體拋光方法，其特征在于，所述s30中的預(yù)設(shè)損失函數(shù)公式如下：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于減少ttv的半導(dǎo)體拋光方法，其特征在于，所述包括、和，均一一對(duì)應(yīng)；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于減少ttv的半導(dǎo)體拋光方法，其特征在于，所述s40中的拋光機(jī)的行為描述函數(shù)公式如下：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種用于減少ttv的半導(dǎo)體拋光方法，其特征在于，所述s40中的拋光參數(shù)的調(diào)整方案公式如下：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種用于減少ttv的半導(dǎo)體拋光方法，其特征在于，所述s50中的獎(jiǎng)勵(lì)機(jī)制公式如下：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種用于減少ttv的半導(dǎo)體拋光方法，其特征在于，所述s50中的構(gòu)建優(yōu)化拋光參數(shù)函數(shù)公式如下：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種用于減少ttv的半導(dǎo)體拋光方法，其特征在于，所述s60中的輸出最優(yōu)拋光參數(shù)包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體拋光領(lǐng)域，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N用于減少TTV的半導(dǎo)體拋光方法，包括：S10：基于所述拋光參數(shù)建立拋光機(jī)的動(dòng)態(tài)模型；S20：基于所述動(dòng)態(tài)模型建立拋光機(jī)的狀態(tài)描述函數(shù)；S30：輸出拋光機(jī)的預(yù)測(cè)拋光參數(shù)；S40：基于所述預(yù)測(cè)拋光參數(shù)建立拋光機(jī)的行為描述函數(shù)，并基于狀態(tài)描述和行為描述函數(shù)計(jì)算行為效用，定義隨機(jī)拋光參數(shù)方案，優(yōu)化隨機(jī)拋光參數(shù)方案，獲得拋光參數(shù)的調(diào)整方案；S50：定義獎(jiǎng)勵(lì)機(jī)制，構(gòu)建優(yōu)化拋光參數(shù)函數(shù)；S60：基于所述優(yōu)化拋光參數(shù)函數(shù)輸出最優(yōu)拋光參數(shù)，并輸入至拋光機(jī)對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行拋光作業(yè)。本申請(qǐng)通過建立拋光機(jī)的動(dòng)態(tài)模型，輸出預(yù)測(cè)拋光參數(shù)，并最終優(yōu)化拋光參數(shù)，以實(shí)現(xiàn)減少TTV的效果。

技術(shù)研發(fā)人員：方小磊,姜偉佳,屈慶楠,于天偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長(zhǎng)春長(zhǎng)光圓辰微電子技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2