本公開的實施例涉及半導體，且特別是涉及一種半導體加工工藝方法和半導體器件。

背景技術(shù)：

1、在半導體器件制造過程中，蒸發(fā)（evaporation）工藝是一種常見的鍍膜工藝，例如可用于沉積形成金屬等材料層。例如，可采用蒸發(fā)工藝和剝離工藝來制造金屬圖形，金屬圖形的形貌可能直接影響到半導體器件的性能。因此，如何在蒸發(fā)工藝時形成具有較好形貌的金屬圖形是本領(lǐng)域的重要研究課題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、根據(jù)本公開的至少一個實施例提供一種半導體加工工藝方法，包括：提供襯底；在所述襯底上形成圖案化的掩膜層，所述圖案化的掩膜層具有掩膜開口，以暴露出所述襯底的部分表面；進行蒸發(fā)工藝，以在所述襯底和所述圖案化的掩膜層上形成金屬材料層，所述金屬材料層包括形成在被所述掩膜開口暴露出的所述襯底上的金屬圖案以及形成在所述圖案化的掩膜層的遠離所述襯底一側(cè)的犧牲金屬部；以及移除所述圖案化的掩膜層和所述犧牲金屬部，其中在蒸發(fā)時間段進行所述蒸發(fā)工藝，且在所述蒸發(fā)工藝中，將形成有所述圖案化的掩膜層的所述襯底置于蒸發(fā)設(shè)備的承載盤上，且所述襯底隨著所述承載盤的旋轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)，其中所述蒸發(fā)時間段包括第一時間段和第二時間段，所述承載盤在所述第一時間段沿第一旋轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)，且在所述第二時間段沿第二旋轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)，所述第二旋轉(zhuǎn)方向與所述第一旋轉(zhuǎn)方向相反。

2、根據(jù)本公開至少一個實施例提供的半導體加工工藝方法中，所述第一旋轉(zhuǎn)方向為順時針方向和逆時針方向之一，所述第二旋轉(zhuǎn)方向為順時針方向和逆時針方向之另一。

3、根據(jù)本公開至少一個實施例提供的半導體加工工藝方法中，所述蒸發(fā)時間段包括一或多個所述第一時間段和一或多個所述第二時間段，且所述第一時間段和所述第二時間段交替設(shè)置。

4、根據(jù)本公開至少一個實施例提供的半導體加工工藝方法中，一或多個第一時間段的數(shù)量與一或多個第二時間段的數(shù)量相同；和/或所述一或多個第一時間段的總時間長度與所述一或多個第二時間段的總時間長度相同。

5、根據(jù)本公開至少一個實施例提供的半導體加工工藝方法中，所述金屬圖案是具有目標厚度的單層結(jié)構(gòu)，且所述蒸發(fā)工藝包括第一子蒸發(fā)工藝和第二子蒸發(fā)工藝，所述第一子蒸發(fā)工藝在所述第一時間段沉積形成第一厚度的金屬材料，接著改變所述承載盤的旋轉(zhuǎn)方向，并在所述第二時間段進行所述第二子蒸發(fā)工藝，以沉積第二厚度的金屬材料；交替進行所述第一子蒸發(fā)工藝和所述第二子蒸發(fā)工藝，且使得最終形成的所述金屬材料層的整體厚度達到所述目標厚度。

6、根據(jù)本公開至少一個實施例提供的半導體加工工藝方法中，所述第一厚度和所述第二厚度相等。

7、根據(jù)本公開至少一個實施例提供的半導體加工工藝方法中，所述第一厚度和所述第二厚度各自等于所述目標厚度的1/n，且n為偶數(shù)。

8、根據(jù)本公開至少一個實施例提供的半導體加工工藝方法中，所述金屬圖案為多層結(jié)構(gòu)，且包括多個金屬子層，所述蒸發(fā)工藝包括分別使用多個金屬蒸發(fā)源的多個金屬蒸發(fā)工藝，且所述多個金屬子層分別通過所述多個金屬蒸發(fā)工藝形成，且所述蒸發(fā)工藝在切換金屬蒸發(fā)源后，改變所述承載盤的旋轉(zhuǎn)方向。

9、根據(jù)本公開至少一個實施例提供的半導體加工工藝方法中，所述多個金屬子層包括第一金屬子層和第二金屬子層，所述第一金屬子層的材料和所述第二金屬子層的材料不同，且所述第一金屬子層在所述第一時間段通過第一金屬蒸發(fā)工藝形成，所述第二金屬子層在所述第二時間段通過第二金屬蒸發(fā)工藝形成。

10、根據(jù)本公開至少一個實施例提供的半導體加工工藝方法中，在所述第一時間段中，所述蒸發(fā)工藝使用的蒸發(fā)源與所述襯底之間具有第一蒸發(fā)距離，且以第一蒸發(fā)角度在所述襯底上進行金屬沉積；在所述第二時間段中，所述蒸發(fā)工藝使用的蒸發(fā)源與所述襯底之間具有第二蒸發(fā)距離，且以第二蒸發(fā)角度在所述襯底上進行金屬沉積；其中所述第一蒸發(fā)距離與所述第二蒸發(fā)距離相同，和/或所述第一蒸發(fā)角度與所述第二蒸發(fā)角度相同。

11、根據(jù)本公開的至少一個實施例提供一種半導體器件，由上述的半導體加工工藝方法形成，且包括：所述襯底；以及所述金屬圖案，位于所述襯底上，其中所述金屬圖案為對稱圖形；或者所述金屬圖案具有在平行于所述襯底的主表面的方向上相對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，所述第一側(cè)壁與所述襯底的主表面之間具有第一夾角，所述第二側(cè)壁與所述襯底的主表面之間具有第二夾角，且所述第一夾角與所述第二夾角的差值范圍為0至2°；或者所述第一夾角和所述第二夾角的差值與所述第一夾角和所述第二夾角的平均值的比值范圍為0至2%。

12、根據(jù)本公開實施例的半導體加工工藝方法可改善所形成的金屬圖案的形貌，獲得更對稱的圖案形貌，進而可提高所形成的半導體器件的器件性能。

技術(shù)特征：

1.一種半導體加工工藝方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體加工工藝方法，其特征在于，所述第一旋轉(zhuǎn)方向為順時針方向和逆時針方向之一，所述第二旋轉(zhuǎn)方向為順時針方向和逆時針方向之另一。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體加工工藝方法，其特征在于，所述蒸發(fā)時間段包括一或多個所述第一時間段和一或多個所述第二時間段，且所述第一時間段和所述第二時間段交替設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體加工工藝方法，其特征在于，一或多個第一時間段的數(shù)量與一或多個第二時間段的數(shù)量相同；和/或

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的半導體加工工藝方法，其特征在于，所述金屬圖案是具有目標厚度的單層結(jié)構(gòu)，且所述蒸發(fā)工藝包括第一子蒸發(fā)工藝和第二子蒸發(fā)工藝，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體加工工藝方法，其特征在于，所述第一厚度和所述第二厚度相等。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體加工工藝方法，其特征在于，所述第一厚度和所述第二厚度各自等于所述目標厚度的1/n，且n為偶數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的半導體加工工藝方法，其特征在于，所述金屬圖案為多層結(jié)構(gòu)，且包括多個金屬子層，所述蒸發(fā)工藝包括分別使用多個金屬蒸發(fā)源的多個金屬蒸發(fā)工藝，且所述多個金屬子層分別通過所述多個金屬蒸發(fā)工藝形成，且所述蒸發(fā)工藝在切換金屬蒸發(fā)源后，改變所述承載盤的旋轉(zhuǎn)方向。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體加工工藝方法，其特征在于，所述多個金屬子層包括第一金屬子層和第二金屬子層，所述第一金屬子層的材料和所述第二金屬子層的材料不同，且所述第一金屬子層在所述第一時間段通過第一金屬蒸發(fā)工藝形成，所述第二金屬子層在所述第二時間段通過第二金屬蒸發(fā)工藝形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體加工工藝方法，其特征在于，在所述第一時間段中，所述蒸發(fā)工藝使用的蒸發(fā)源與所述襯底之間具有第一蒸發(fā)距離，且以第一蒸發(fā)角度在所述襯底上進行金屬沉積；

11.?一種半導體器件，其特征在于，由根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項所述的半導體加工工藝方法形成，且包括：

技術(shù)總結(jié)
一種半導體加工工藝方法和半導體器件，半導體加工工藝方法包括：在襯底上形成具有掩膜開口的圖案化的掩膜層；進行蒸發(fā)工藝，以在襯底和圖案化的掩膜層上形成金屬材料層，金屬材料層包括形成在被掩膜開口暴露出的襯底上的金屬圖案以及形成在圖案化的掩膜層上的犧牲金屬部；移除圖案化的掩膜層和犧牲金屬部，其中在蒸發(fā)時間段進行蒸發(fā)工藝，且在蒸發(fā)工藝中，將形成有圖案化的掩膜層的襯底置于蒸發(fā)設(shè)備的承載盤上，襯底隨著承載盤的旋轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)，其中蒸發(fā)時間段包括第一時間段和第二時間段，承載盤在第一時間段沿第一旋轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)，且在第二時間段沿與第一旋轉(zhuǎn)方向相反的第二旋轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)。所述半導體加工工藝方法可改善所形成的金屬圖案的形貌。

技術(shù)研發(fā)人員：高晉文,郭佳惠,王晉,徐家駿,黃峰
受保護的技術(shù)使用者：潤芯感知科技（南昌）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2