本申請(qǐng)涉及掩膜版，尤其涉及一種掩膜版裝置及掩膜版的制造方法。

背景技術(shù)：

1、熱沉器件、電路板以及顯示屏等精密電子元器件，通常采用pvd（物理氣相沉積）工藝進(jìn)行制作。其中，掩膜版是pvd工藝中的核心零部件。

2、pvd工藝中所用的掩膜版上布滿有密集的孔洞，這類掩膜版的主要作用是在pvd工藝中確保鍍膜材料在基板上的特定區(qū)域精準(zhǔn)沉積。

3、在pvd工藝的過程中，鍍膜材料會(huì)釋放大量熱量，使掩膜版和基板的溫度升高，從而導(dǎo)致鍍膜材料沉積不規(guī)則，由此影響到成品的質(zhì)量。如何避免這一情況的發(fā)生，是目前亟待解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種掩膜版裝置及掩膜版的制造方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題。

2、為解決上述問題，本申請(qǐng)實(shí)施例第一方面提供了一種掩膜版裝置，包括掩膜版主體和張網(wǎng)框架；

3、所述張網(wǎng)框架包括框架主體；所述框架主體的中部設(shè)置有鏤空部；所述框架主體的兩側(cè)均設(shè)置有支撐部和張緊裝置，所述張緊裝置與所述支撐部一一對(duì)應(yīng)；

4、所述支撐部包括支撐面；所述張緊裝置包括擠壓件，所述擠壓件包括擠壓面；所述擠壓面與所述支撐面相對(duì)設(shè)置，其中，所述擠壓面與所述支撐面之間具有容納空間，所述容納空間用于容納掩膜版主體的端部；

5、所述擠壓件可轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置于所述框架主體上；其中，所述擠壓件通過動(dòng)力裝置進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；

6、當(dāng)所述擠壓件相對(duì)于所述框架主體朝向預(yù)設(shè)方向轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)：所述擠壓面與所述支撐面之間的間距逐漸縮小，以使得所述掩膜版主體的端部被夾緊于所述容納空間中；以及所述擠壓面對(duì)所述掩膜版主體施加摩擦力，以使得所述掩膜版主體被張緊。

7、在一種可能的實(shí)施方式中，所述支撐面和所述擠壓面均為圓柱面的一部分，其中，所述擠壓件的旋轉(zhuǎn)軸線與所述支撐面的中心軸線平行且不同軸；

8、所述掩膜版主體的厚度為20~100μm；

9、所述支撐面和所述擠壓面兩者的半徑差值為10μm及以下，所述支撐面和所述擠壓面兩者的圓度均為5μm及以下。

10、在一種可能的實(shí)施方式中，所述擠壓面上設(shè)置有防滑涂層，所述防滑涂層用于增大與所述掩膜版主體之間的摩擦力；

11、所述支撐面的表面粗糙度為0.05μm及以下。

12、在一種可能的實(shí)施方式中，所述防滑涂層包括氟化物涂層或納米涂層。

13、在一種可能的實(shí)施方式中，所述支撐部與所述框架主體為一體式結(jié)構(gòu)，且所述支撐部和所述框架主體均為因瓦合金材質(zhì)；

14、所述掩膜版主體為金屬箔材，且所述金屬箔材為因瓦合金材質(zhì)。

15、在一種可能的實(shí)施方式中，所述張緊裝置與所述框架主體之間可拆卸。

16、本申請(qǐng)實(shí)施例第二方面提供了一種掩膜版的制造方法，采用如上所述的掩膜版裝置，包括：

17、將掩膜版主體的主體部至于所述鏤空部上；

18、將所述掩膜版主體的第一端部和第二端部分別插入所述框架主體兩側(cè)的所述容納空間中；其中，所述第一端部和所述第二端部分別位于所述主體部的兩側(cè)；

19、驅(qū)使所述擠壓件朝向與自身相對(duì)應(yīng)的所述預(yù)設(shè)方向轉(zhuǎn)動(dòng)，以使得所述第一端部和所述第二端部被夾緊于對(duì)應(yīng)的所述容納空間中，以及使得所述掩膜版主體被張緊；

20、將所述第一端部和所述第二端部與對(duì)應(yīng)的所述支撐面進(jìn)行焊接固定；

21、在所述主體部上制作通孔。

22、在一種可能的實(shí)施方式中，在對(duì)所述掩膜版主體與所述張網(wǎng)框架進(jìn)行組裝前，對(duì)所述掩膜版主體進(jìn)行預(yù)處理；其中，所述預(yù)處理包括：在所述主體部的正面和背面分別涂布保護(hù)層；對(duì)所述第一端部和所述第二端部的正面或背面進(jìn)行粗糙化處理，以獲得粗糙面；去除涂布于所述主體部上的保護(hù)層；

23、將所述掩膜版主體的第一端部和第二端部分別插入所述框架主體兩側(cè)的所述容納空間時(shí)，所述粗糙面朝向于所述擠壓面。

24、在一種可能的實(shí)施方式中，通過激光設(shè)備在所述主體部上進(jìn)行激光打孔，以獲得所述通孔；或者，

25、通過刻蝕工藝在所述主體部上形成所述通孔。

26、在一種可能的實(shí)施方式中，所述粗糙化處理包括噴砂或酸蝕。

27、本申請(qǐng)的有益效果包括：

28、本申請(qǐng)?zhí)岢龅难谀ぐ嫜b置包括掩膜版主體和張網(wǎng)框架，張網(wǎng)框架包括框架主體，框架主體的中部設(shè)置有鏤空部，框架主體的兩側(cè)均設(shè)置有支撐部和張緊裝置，張緊裝置與支撐部一一對(duì)應(yīng)。支撐部包括支撐面，張緊裝置的擠壓件包括擠壓面，擠壓面與支撐面相對(duì)設(shè)置，其中，擠壓面與支撐面之間具有容納空間。

29、進(jìn)行張網(wǎng)時(shí)，將掩膜版主體的兩端分別插入對(duì)應(yīng)的容納空間中，隨后，通過動(dòng)力裝置驅(qū)使擠壓件朝向預(yù)設(shè)方向轉(zhuǎn)動(dòng)，由此對(duì)掩膜版主體的端部進(jìn)行夾緊，以及使得掩膜版主體被張緊，如此，給予掩膜版主體一定的預(yù)張力，從而降低掩膜版主體在pvd工藝過程中的膨脹變形率。

30、該掩膜版裝置能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)掩膜版主體的張網(wǎng)操作，以給予掩膜版主體一定的預(yù)張力，從而降低掩膜版主體在pvd工藝過程中的膨脹變形率。其中，通過控制擠壓件的轉(zhuǎn)動(dòng)幅度，可以對(duì)掩膜版主體的張緊程度進(jìn)行一定范圍內(nèi)的調(diào)節(jié)。另外，掩膜版裝置還具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、便于使用等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)特征：

1.一種掩膜版裝置，其特征在于，包括掩膜版主體和張網(wǎng)框架；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版裝置，其特征在于，所述支撐面和所述擠壓面均為圓柱面的一部分，其中，所述擠壓件的旋轉(zhuǎn)軸線與所述支撐面的中心軸線平行且不同軸；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜版裝置，其特征在于，所述擠壓面上設(shè)置有防滑涂層，所述防滑涂層用于增大與所述掩膜版主體之間的摩擦力；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜版裝置，其特征在于，所述防滑涂層包括氟化物涂層或納米涂層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版裝置，其特征在于，所述支撐部與所述框架主體為一體式結(jié)構(gòu)，且所述支撐部和所述框架主體均為因瓦合金材質(zhì)；

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版裝置，其特征在于，所述張緊裝置與所述框架主體之間可拆卸。

7.一種掩膜版的制造方法，采用如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的掩膜版裝置，其特征在于，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜版的制造方法，其特征在于，在對(duì)所述掩膜版主體與所述張網(wǎng)框架進(jìn)行組裝前，對(duì)所述掩膜版主體進(jìn)行預(yù)處理；其中，所述預(yù)處理包括：在所述主體部的正面和背面分別涂布保護(hù)層；對(duì)所述第一端部和所述第二端部的正面或背面進(jìn)行粗糙化處理，以獲得粗糙面；去除涂布于所述主體部上的保護(hù)層；

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜版的制造方法，其特征在于，通過激光設(shè)備在所述主體部上進(jìn)行激光打孔，以獲得所述通孔；或者，

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩膜版的制造方法，其特征在于，所述粗糙化處理包括噴砂或酸蝕。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N掩膜版裝置及掩膜版的制造方法，涉及掩膜版技術(shù)領(lǐng)域。掩膜版裝置包括掩膜版主體和張網(wǎng)框架；張網(wǎng)框架包括框架主體；框架主體的中部設(shè)置有鏤空部；框架主體的兩側(cè)均設(shè)置有支撐部和張緊裝置；支撐部包括支撐面；張緊裝置的擠壓件包括擠壓面；擠壓面與支撐面相對(duì)設(shè)置；擠壓件可轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置于框架主體上；當(dāng)擠壓件相對(duì)于框架主體朝向預(yù)設(shè)方向轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)：擠壓面與支撐面之間的間距逐漸縮小，以使得掩膜版主體的端部被夾緊于容納空間中；壓面對(duì)掩膜版主體施加摩擦力，以使得掩膜版主體被張緊。該掩膜版裝置能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)掩膜版主體的張網(wǎng)操作，以給予掩膜版主體一定的預(yù)張力，從而降低掩膜版主體在PVD工藝過程中的膨脹變形率。

技術(shù)研發(fā)人員：安屹,陳琦,秦太夢(mèng),陳維
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市湃泊科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6