本發(fā)明涉及半導體加工，尤其涉及一種拋光墊修整器、拋光墊及硅片。

背景技術：

1、化學機械拋光技術(chemical?mechanical?polishing，cmp)屬于化學作用和機械作用相結合的技術，其是半導體制程中獲得全局平坦化的一種手段。cmp處理過程中，首先待加工硅片表面材料與拋光液中的氧化劑、催化劑等發(fā)生化學反應，生成一層相對容易去除的軟質層。然后在拋光液中的磨料和拋光墊的機械作用下去除軟質層，使待加工硅片表面重新裸露出來。然后再進行化學反應，這樣在化學作用過程和機械作用過程的交替進行中完成待加工硅片表面拋光。拋光墊對經過化學機械拋光形成的表面的質量具有重要影響。

2、化學機械拋光設備中通常通過拋光墊修整器對拋光墊的表面進行修整，去除釉化層，以恢復拋光墊表面粗糙度。

3、邊緣平坦度(edege?flatness)是硅片平坦度中及其重要的參數(shù)。然而，現(xiàn)有技術中cmp工序處理后的硅片邊緣平坦度有待提高。

技術實現(xiàn)思路

1、為了解決上述現(xiàn)有技術中至少一種技術問題，本公開實施例提供了一種拋光墊修整器、拋光墊及硅片。

2、本公開實施例所提供的技術方案如下：

3、第一方面，本公開實施例提供了一種拋光墊修整器，包括修整器本體，所述修整器本體具有用于對拋光墊的表面進行修整的修整面，所述修整面上具有修整區(qū)，所述修整區(qū)被構造為具有磨粒；其中所述修整區(qū)包括若干子修整區(qū)，且若干所述子修整區(qū)沿著所述修整面的周向依次間隔分布，且所述修整區(qū)在所述修整面上的總面積占比為10～30％。

4、示例性的，所述子修整區(qū)的形狀為圓形，且各個所述子修整區(qū)的面積相同。

5、示例性的，若干所述子修整區(qū)沿所述修整面的周向均勻分布，任意相鄰兩個所述子修整區(qū)之間對應的圓心角均相同。

6、示例性的，任意相鄰兩個所述子修整區(qū)之間對應的圓心角的取值范圍為60～120°。

7、示例性的，所述修整區(qū)中的磨粒目數(shù)為大于或等于200目。

8、示例性的，所述修整面還包括支撐區(qū)，若干所述子修整區(qū)圍繞在所述支撐區(qū)的外圍。

9、第二方面，本公開實施例還提供了一種拋光墊，所述拋光墊具有通過如上所述的拋光墊修整器進行修整得到的表面。

10、示例性的，所述拋光墊的材質硬度大于或等于80jis-a。

11、示例性的，所述拋光墊的材質包括聚氨酯。

12、第三方面，本公開實施例還提供了一種根據(jù)如上所述的拋光墊研磨得到的硅片，所述硅片的邊緣部位正面基準最小二乘范圍esfqr值的范圍為20～40納米。

13、本公開實施例所帶來的有益效果如下：

14、本公開實施例中提供的拋光墊修整器、拋光墊及硅片中，在拋光墊修整器的修整面上設置有修整區(qū)，且修整區(qū)被構造為包括若干子修整區(qū)，若干子修整區(qū)沿著修整面周向依次間隔分布，且所有子修整區(qū)在修整面上的總面積占比為10～30％，這樣，通過對拋光墊修整器上的修整區(qū)進行優(yōu)化設計，通過增大修整區(qū)在修整面上的總面積占比，來增加修整區(qū)與拋光墊的接觸面積，以提高修整后的拋光墊的均勻性和平整性，進而使得拋光墊在對硅片進行拋光加工過程中作用到硅片上的力更為均勻，以改善硅片邊緣平坦度；同時，將修整區(qū)設計為沿著修整面的周向依次間隔分布的若干子修整區(qū)，可以在增大修整區(qū)在修整面上的總面積占比的同時，避免修整區(qū)覆蓋區(qū)域過大，而造成對拋光墊修整過度，從而確保達到預期的拋光墊修整效果，以改善硅片邊緣平坦度。

技術特征：

1.一種拋光墊修整器，其特征在于，包括修整器本體，所述修整器本體具有用于對拋光墊的表面進行修整的修整面，所述修整面上具有修整區(qū)，所述修整區(qū)被構造為具有磨粒；其中所述修整區(qū)包括若干子修整區(qū)，且若干所述子修整區(qū)沿著所述修整面的周向依次間隔分布，且所述修整區(qū)在所述修整面上的總面積占比為10～30％。

2.根據(jù)權利要求1所述的拋光墊修整器，其特征在于，所述子修整區(qū)的形狀為圓形，且各個所述子修整區(qū)的面積相同。

3.根據(jù)權利要求1所述的拋光墊修整器，其特征在于，若干所述子修整區(qū)沿所述修整面的周向均勻分布，任意相鄰兩個所述子修整區(qū)之間對應的圓心角均相同。

4.根據(jù)權利要求3所述的拋光墊修整器，其特征在于，任意相鄰兩個所述子修整區(qū)之間對應的圓心角的取值范圍為60～120°。

5.根據(jù)權利要求1所述的拋光墊修整器，其特征在于，所述修整區(qū)中的磨粒目數(shù)為大于或等于200目。

6.根據(jù)權利要求1所述的拋光墊修整器，其特征在于，所述修整面還包括支撐區(qū)，若干所述子修整區(qū)圍繞在所述支撐區(qū)的外圍。

7.一種拋光墊，其特征在于，所述拋光墊具有通過如權利要求1至6中的任一項所述的拋光墊修整器進行修整得到的表面。

8.根據(jù)權利要求7所述的拋光墊，其特征在于，所述拋光墊的材質硬度大于或等于80jis-a。

9.根據(jù)權利要求8所述的拋光墊，其特征在于，所述拋光墊的材質包括聚氨酯。

10.一種根據(jù)權利要求1-9中的任一項所述的拋光墊研磨得到的硅片，其特征在于，所述硅片的邊緣部位正面基準最小二乘范圍esfqr值的范圍為20～40納米。

技術總結
本公開提供一種拋光墊修整器、拋光墊及硅片，所述拋光墊修整器包括修整器本體，所述修整器本體具有用于對拋光墊的表面進行修整的修整面，所述修整面上具有修整區(qū)，所述修整區(qū)被構造為具有磨粒；其中所述修整區(qū)包括若干子修整區(qū)，且若干所述子修整區(qū)沿著所述修整面的周向依次間隔分布，且所述修整區(qū)在所述修整面上的總面積占比為10～30％。本公開提供的拋光墊修整器、拋光墊及硅片可提高修整后的拋光墊的均勻性和平整性，進而使得拋光墊在對硅片進行拋光加工過程中作用到硅片上的力更為均勻，以改善硅片邊緣平坦度。

技術研發(fā)人員：楊軒,崔俊杰,王旭輝
受保護的技術使用者：西安奕斯偉材料科技股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/1/28