本申請屬于半導體加工，具體涉及一種基座組件、工藝腔室和半導體工藝設備。

背景技術：

1、在半導體工藝設備中，通常通過化學氣相沉積的方式，把加工晶圓所需的氣體通入半導體工藝設備的工藝腔室內(nèi)，以在工藝腔室內(nèi)的晶圓表面上發(fā)生化學反應并生成薄膜，具體地，工藝腔室上開設有進氣口，加工晶圓所需的氣體一般包括含有氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需的其他氣體，這些氣體可以經(jīng)進氣口進入工藝腔室內(nèi)，以作用在晶圓表面上。

2、在具體加工晶圓的過程中，為了實現(xiàn)晶圓的取放，機械手會將晶圓傳送至基座的頂針上，隨后頂針相對基座往下移動，以使晶圓坐落在基座上，從而便于加工晶圓，但在此過程中，由于頂針遠離晶圓的一端會伸出至基座外，這導致頂針位置存在溫度分布不均勻的問題，進而導致晶圓與頂針接觸的位置的溫度不同于其他位置，致使晶圓的溫度分布不均勻，這容易影響對晶圓的加工效果。并且，由于頂針與晶圓的接觸面積較小，因此，當頂針帶動晶圓相對于基座往下移動時，晶片在頂針上的位置容易發(fā)生改變，這導致晶圓坐落在基座上時無法居中設置，即晶圓相對于基座容易偏邊，這也容易影響對晶圓的加工效果。

3、綜上，相關技術存在晶圓溫度分布不均勻以及晶圓容易偏邊的問題。

技術實現(xiàn)思路

1、本申請公開一種基座組件、工藝腔室和半導體工藝設備，以解決相關技術存在晶圓溫度分布不均勻以及晶圓容易偏邊的問題。

2、為了解決上述技術問題，本申請采用下述技術方案：

3、一種基座組件，所述基座組件包括基座本體、環(huán)形的基座邊緣部和升降軸；

4、所述基座本體包括主體部、凸出于所述主體部的承載部以及相對所述承載部的上表面向下凹陷的避讓槽，所述承載部用于承載晶圓，所述避讓槽用于在采用機械手放置所述晶圓時避讓所述機械手；

5、所述基座邊緣部環(huán)繞所述基座本體設置，且與所述基座本體同軸設置，所述基座邊緣部可相對所述基座本體升降；

6、所述升降軸與所述基座邊緣部連接，用于帶動所述基座邊緣部相對所述基座本體進行升降。

7、一種工藝腔室，包括腔室本體和設置在所述腔室本體內(nèi)的基座組件，所述基座組件為上文所述的基座組件。

8、一種半導體工藝設備，包括機械手和上文所述的工藝腔室，所述機械手用于在所述承載部上取放所述晶圓。

9、本申請采用的技術方案能夠達到以下有益效果：

10、本申請中，由于基座本體的承載部可以承載晶圓，而承載部與晶圓的接觸面積較大，且由于在取放晶圓過程中承載部在工藝腔室內(nèi)的高度不變，因此，在加工晶圓時，晶圓相對于承載部的位置不容易發(fā)生改變，進而晶圓不容易偏邊，并且在加熱晶圓時，由于承載部與晶圓直接接觸，且接觸面積較大，而承載部本身的溫度分布不容易變化，因此，晶圓的溫度分布較為均勻。同時，由于環(huán)繞基座本體設置的基座邊緣部可以在升降軸的帶動作用下，相對于基座本體升降，這使得基座邊緣部在工藝腔室內(nèi)的高度可以大于、等于或小于基座本體在工藝腔室內(nèi)的高度，進而可以大于、等于或小于晶圓在工藝腔室內(nèi)的高度，由此可知，此種設置方式可以連續(xù)調(diào)節(jié)晶圓邊緣與基座邊緣部的上表面之間的相對距離，從而達到調(diào)節(jié)晶圓邊緣的厚度的目的，且此種設置方式較易實現(xiàn)調(diào)節(jié)，這有利于滿足各類制程產(chǎn)品對晶圓邊緣厚度及平坦度的要求。因此，本申請公開的基座組件能夠解決相關技術存在晶圓溫度分布不均勻以及晶圓容易偏邊的問題，同時具有容易調(diào)節(jié)晶圓邊緣的厚度的效果。

技術特征：

1.一種基座組件，其特征在于，所述基座組件(100)包括基座本體(110)、環(huán)形的基座邊緣部(121)和升降軸(122)；

2.根據(jù)權利要求1所述的基座組件，其特征在于，所述避讓槽(113)為環(huán)形避讓槽，且所述避讓槽(113)環(huán)繞所述承載部(112)設置。

3.根據(jù)權利要求1所述的基座組件，其特征在于，所述避讓槽(113)的槽寬在5.5毫米至11毫米之間。

4.根據(jù)權利要求1所述的基座組件，其特征在于，所述升降軸(122)的數(shù)量為至少兩個，各所述升降軸(122)沿所述基座邊緣部(121)的周向間隔設置。

5.根據(jù)權利要求1所述的基座組件，其特征在于，所述承載部(112)的徑向尺寸小于所述主體部(111)的徑向尺寸和所述晶圓(200)的徑向尺寸。

6.根據(jù)權利要求1所述的基座組件，其特征在于，所述主體部(111)具有第一徑向尺寸，所述晶圓(200)具有第二徑向尺寸，所述第一徑向尺寸大于所述第二徑向尺寸。

7.根據(jù)權利要求1所述的基座組件，其特征在于，所述承載部(112)開設有凹槽(1121)，所述凹槽(1121)的面積小于待承載的所述晶圓(200)的面積。

8.一種工藝腔室，其特征在于，包括腔室本體和設置在所述腔室本體內(nèi)的基座組件，所述基座組件為權利要求1-7中任一項所述的基座組件(100)。

9.一種半導體工藝設備，其特征在于，包括機械手(300)和權利要求8中所述的工藝腔室，所述機械手(300)用于在所述承載部(112)上取放所述晶圓(200)。

10.根據(jù)權利要求9所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述機械手(300)上間隔設置有第一檢測件(310)和第二檢測件(320)，所述第一檢測件(310)可檢測所述機械手(300)與所述承載部(112)在第一方向上的距離，所述第二檢測件(320)可檢測所述機械手(300)與所述承載部(112)在第二方向上的距離，且所述第一方向與所述第二方向相垂直。

技術總結
本申請公開一種基座組件、工藝腔室和半導體工藝設備，屬于半導體加工技術領域。所述基座組件包括基座本體、環(huán)形的基座邊緣部和升降軸；所述基座本體包括主體部、凸出于所述主體部的承載部以及相對所述承載部的上表面向下凹陷的避讓槽，所述承載部用于承載晶圓，所述避讓槽用于在采用機械手放置所述晶圓時避讓所述機械手；所述基座邊緣部環(huán)繞所述基座本體設置，且與所述基座本體同軸設置，所述基座邊緣部可相對所述基座本體升降；所述升降軸與所述基座邊緣部連接，用于帶動所述基座邊緣部相對所述基座本體進行升降。上述方案能夠解決相關技術存在晶圓溫度分布不均勻以及晶圓容易偏邊的問題。

技術研發(fā)人員：崔殿鵬
受保護的技術使用者：北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
技術研發(fā)日：20240112
技術公布日：2024/12/26