本技術(shù)涉及半導(dǎo)體加工領(lǐng)域，特別是涉及一種新型拋光墊及晶圓拋光機臺。

背景技術(shù)：

1、隨著時代的變化，電路的大規(guī)模集成化已經(jīng)是社會繼續(xù)發(fā)展的必要條件，而集成電路的載體——半導(dǎo)體晶圓的加工與制造，也越來越受到社會各界的重視。

2、在晶圓的生產(chǎn)過程中，對晶圓的表面拋光是必要的工藝步驟，現(xiàn)有的對晶圓的拋光方式，是拋光墊去做整體拋光工藝，在涉及到某些金屬工藝時，整體拋光具體為分成兩步進行的化學(xué)機械拋光。第一步先進行粗拋，去除晶圓表面的大部分金屬層，第二步再進行精拋，修復(fù)晶圓的表面損傷。但是兩步用的拋光墊材質(zhì)、粗糙程度等條件均不一樣，所以需要兩個拋光盤進行工藝，大大降低了生產(chǎn)效率。

3、因此，如何提高晶圓的拋光效率，就成了本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的目的是提供一種新型拋光墊及晶圓拋光機臺，以解決現(xiàn)有技術(shù)中晶圓拋光效率較低的問題。

2、為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供一種新型拋光墊，包括多個互相嵌套的研磨區(qū)域；

3、各個所述研磨區(qū)域的粗糙程度不同。

4、可選地，在所述的新型拋光墊中，多個所述研磨區(qū)域的粗糙度從內(nèi)到外逐漸降低。

5、可選地，在所述的新型拋光墊中，所述新型拋光墊僅包括多個環(huán)形研磨區(qū)域。

6、可選地，在所述的新型拋光墊中，所述新型拋光墊包括圓形粗研磨區(qū)域及環(huán)形精研磨區(qū)域；

7、所述環(huán)形精研磨區(qū)域套設(shè)在所述圓形粗研磨區(qū)域外側(cè)。

8、可選地，在所述的新型拋光墊中，所述環(huán)形精研磨區(qū)域的寬度與所述圓形粗研磨區(qū)域的半徑相同。

9、可選地，在所述的新型拋光墊中，所述圓形粗研磨區(qū)域的厚度的范圍為1.3毫米至1.5毫米，包括端點值。

10、可選地，在所述的新型拋光墊中，所述圓形粗研磨區(qū)域的密度的范圍為430克每立方厘米至470克每立方厘米，包括端點值。

11、可選地，在所述的新型拋光墊中，所述圓形粗研磨區(qū)域的壓縮比的范圍為6.3至6.6，包括端點值。

12、可選地，在所述的新型拋光墊中，所述環(huán)形精研磨區(qū)域的厚度的范圍為0.8毫米至1.0毫米，包括端點值。

13、一種晶圓拋光機臺，所述晶圓拋光機臺包括拋光頭、拋光頭運動組件及如上述任一種所述的新型拋光墊；

14、所述拋光頭運動組件與所述拋光頭連接，帶動所述拋光頭在所述新型拋光墊的不同研磨區(qū)域之間運動。

15、本實用新型所提供的新型拋光墊，包括多個互相嵌套的研磨區(qū)域；各個所述研磨區(qū)域的粗糙程度不同。本實用新型提供的新型拋光墊包括多個互相嵌套的研磨區(qū)域，在實際使用中，晶圓拋光機臺可驅(qū)動待處理晶圓在不同的研磨區(qū)域之間移動，從而在單塊拋光墊上完成不同精細度的拋光，換言之，使用本實用新型提供的新型拋光墊，則晶圓拋光機臺上的每一個拋光盤均可獨立完成晶圓研磨的全過程，一塊待處理晶圓的拋光不再需要通過多個拋光盤進行處理，從而大大提升了晶圓的拋光效率。本實用新型同時還提供了一種具有上述有益效果的晶圓拋光機臺。

技術(shù)特征：

1.一種新型拋光墊，其特征在于，包括多個互相嵌套的研磨區(qū)域；

2.如權(quán)利要求1所述的新型拋光墊，其特征在于，多個所述研磨區(qū)域的粗糙度從內(nèi)到外逐漸降低。

3.如權(quán)利要求1所述的新型拋光墊，其特征在于，所述新型拋光墊僅包括多個環(huán)形研磨區(qū)域。

4.一種晶圓拋光機臺，其特征在于，所述晶圓拋光機臺包括拋光頭、拋光頭運動組件及如權(quán)利要求1至3任一項所述的新型拋光墊；

技術(shù)總結(jié)
本實用涉及半導(dǎo)體加工領(lǐng)域，特別是涉及一種新型拋光墊及晶圓拋光機臺，包括多個互相嵌套的研磨區(qū)域；各個所述研磨區(qū)域的粗糙程度不同。本技術(shù)提供的新型拋光墊包括多個互相嵌套的研磨區(qū)域，在實際使用中，晶圓拋光機臺可驅(qū)動待處理晶圓在不同的研磨區(qū)域之間移動，從而在單塊拋光墊上完成不同精細度的拋光，換言之，使用本技術(shù)提供的新型拋光墊，則晶圓拋光機臺上的每一個拋光盤均可獨立完成晶圓研磨的全過程，一塊待處理晶圓的拋光不再需要通過多個拋光盤進行處理，從而大大提升了晶圓的拋光效率。

技術(shù)研發(fā)人員：請求不公布姓名,請求不公布姓名
受保護的技術(shù)使用者：星鑰（珠海）半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240112
技術(shù)公布日：2025/1/6