本申請(qǐng)涉及產(chǎn)品加工，尤其涉及一種鍍膜設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、異質(zhì)結(jié)電池制備工藝步驟簡(jiǎn)單，工藝溫度低，且產(chǎn)品具有發(fā)電量高、穩(wěn)定性高、無(wú)衰減、成本低的優(yōu)勢(shì)，隨著行業(yè)不斷的技術(shù)進(jìn)步和政策推動(dòng)，異質(zhì)結(jié)電池性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)顯現(xiàn)。

2、然而，現(xiàn)有異質(zhì)結(jié)工藝中的微晶工藝與非晶工藝的腔室壓力差很大，通常微晶工藝腔壓力約為3-5托，非晶工藝腔約為0.5-1.5托，并且在鍍膜過(guò)程中，經(jīng)常將兩個(gè)腔相鄰設(shè)置，由于兩個(gè)腔體壓差過(guò)大，這就導(dǎo)致出現(xiàn)工藝腔報(bào)警的情況，影響產(chǎn)品的正常生產(chǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)實(shí)施例的主要目的在于提出一種鍍膜設(shè)備，能夠保持微晶工藝腔和非晶工藝腔兩側(cè)的壓力差值在合理范圍內(nèi)，提高工藝穩(wěn)定性。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)實(shí)施例的第一方面提出了一種鍍膜設(shè)備，包括：鍍膜腔，包括依次設(shè)置的第一工藝腔和第二工藝腔，其中，所述第一工藝腔的壓力值大于所述第二工藝腔的壓力值；

3、隔離腔組，設(shè)置在所述第一工藝腔和所述第二工藝腔之間，所述隔離腔組包括至少兩個(gè)隔離腔，靠近所述第一工藝腔的第一隔離腔與所述第一工藝腔之間的壓力差值在第一預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，靠近所述第二工藝腔的第二隔離腔與所述第二工藝腔之間的壓力差值在第二預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。

4、在一些實(shí)施例中，所述第一工藝腔與所述第一隔離腔之間設(shè)置有第一隔離機(jī)構(gòu)，所述第一隔離機(jī)構(gòu)用于在開(kāi)啟的情況下連通所述第一工藝腔和所述第一隔離腔。

5、在一些實(shí)施例中，所述第二工藝腔與所述第二隔離腔之間設(shè)置有第二隔離機(jī)構(gòu)，所述第二隔離機(jī)構(gòu)用于在開(kāi)啟的情況下連通所述第二工藝腔和所述第二隔離腔。

6、在一些實(shí)施例中，所述隔離腔組中的相鄰隔離腔之間設(shè)置有第三隔離機(jī)構(gòu)，所述第三隔離機(jī)構(gòu)用于在開(kāi)啟的情況下連通相鄰所述隔離腔。

7、在一些實(shí)施例中，還包括裝載腔和加熱腔，所述裝載腔的輸出端與所述加熱腔的輸入端連接，所述裝載腔包括用于承載待鍍膜硅襯底的載板，所述加熱腔用于對(duì)所述待鍍膜硅襯底進(jìn)行加熱。

8、在一些實(shí)施例中，所述加熱腔的輸出端與所述第一工藝腔的輸入端連接。

9、在一些實(shí)施例中，所述裝載腔、所述加熱腔、所述第一工藝腔、所述隔離腔組和所述第二工藝腔依次設(shè)置。

10、在一些實(shí)施例中，還包括傳輸機(jī)構(gòu)，所述傳輸機(jī)構(gòu)用于沿著所述裝載腔、所述加熱腔、所述第一工藝腔、所述隔離腔組和所述第二工藝腔的設(shè)置方向移動(dòng)所述載板。

11、在一些實(shí)施例中，所述第一工藝腔用于在待鍍膜硅襯底上對(duì)微晶硅種子層和微晶硅功能層進(jìn)行摻雜，所述第二工藝腔用于在所述待鍍膜硅襯底上對(duì)非晶硅接觸層進(jìn)行摻雜。

12、在一些實(shí)施例中，所述裝載腔和所述加熱腔之間設(shè)置有第四隔離機(jī)構(gòu)，所述第四隔離機(jī)構(gòu)用于在開(kāi)啟的情況下連通所述裝載腔和所述加熱腔。

13、本申請(qǐng)實(shí)施例提出的鍍膜設(shè)備，具有如下有益效果：鍍膜設(shè)備包括鍍膜腔和隔離腔組，鍍膜腔包括依次設(shè)置的第一工藝腔和第二工藝腔，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)待鍍膜硅襯底的微晶鍍膜和非晶鍍膜，隔離腔組設(shè)置在第一工藝腔和第二工藝腔之間，以實(shí)現(xiàn)對(duì)第一工藝腔和第二工藝腔的隔離，避免第一工藝腔和第二工藝腔之間壓力值的相互影響，并且靠近第一工藝腔的第一隔離腔與第一工藝腔之間的壓力差值在第一預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，靠近第二工藝腔的第二隔離腔與第二工藝腔之間的壓力差值在第二預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，使得第一隔離腔的壓力值與第一工藝腔的壓力值相近，第二隔離腔的壓力值與第二工藝腔的壓力值相近，從而能夠在鍍膜過(guò)程中，使得第一工藝腔和第二工藝腔兩側(cè)的壓差保持在合理范圍內(nèi)。因此，本申請(qǐng)的鍍膜設(shè)備通過(guò)在第一工藝腔和第二工藝腔之間設(shè)置第一隔離腔和第二隔離腔來(lái)減少腔室之間的壓力差，提高工藝的穩(wěn)定性，避免相鄰腔室壓差過(guò)大，進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率。

技術(shù)特征：

1.一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述第一工藝腔與所述第一隔離腔之間設(shè)置有第一隔離機(jī)構(gòu)，所述第一隔離機(jī)構(gòu)用于在開(kāi)啟的情況下連通所述第一工藝腔和所述第一隔離腔。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述第二工藝腔與所述第二隔離腔之間設(shè)置有第二隔離機(jī)構(gòu)，所述第二隔離機(jī)構(gòu)用于在開(kāi)啟的情況下連通所述第二工藝腔和所述第二隔離腔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述隔離腔組中的相鄰隔離腔之間設(shè)置有第三隔離機(jī)構(gòu)，所述第三隔離機(jī)構(gòu)用于在開(kāi)啟的情況下連通相鄰所述隔離腔。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，還包括裝載腔和加熱腔，所述裝載腔的輸出端與所述加熱腔的輸入端連接，所述裝載腔包括用于承載待鍍膜硅襯底的載板，所述加熱腔用于對(duì)所述待鍍膜硅襯底進(jìn)行加熱。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述加熱腔的輸出端與所述第一工藝腔的輸入端連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述裝載腔、所述加熱腔、所述第一工藝腔、所述隔離腔組和所述第二工藝腔依次設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，還包括傳輸機(jī)構(gòu)，所述傳輸機(jī)構(gòu)用于沿著所述裝載腔、所述加熱腔、所述第一工藝腔、所述隔離腔組和所述第二工藝腔的設(shè)置方向移動(dòng)所述載板。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述第一工藝腔用于在待鍍膜硅襯底上對(duì)微晶硅種子層和微晶硅功能層進(jìn)行摻雜，所述第二工藝腔用于在所述待鍍膜硅襯底上對(duì)非晶硅接觸層進(jìn)行摻雜。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述裝載腔和所述加熱腔之間設(shè)置有第四隔離機(jī)構(gòu)，所述第四隔離機(jī)構(gòu)用于在開(kāi)啟的情況下連通所述裝載腔和所述加熱腔。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)實(shí)施例提供了鍍膜設(shè)備，屬于產(chǎn)品加工技術(shù)領(lǐng)域。鍍膜設(shè)備包括：鍍膜腔，包括依次設(shè)置的第一工藝腔和第二工藝腔，其中，第一工藝腔的壓力值大于第二工藝腔的壓力值；隔離腔組，設(shè)置在第一工藝腔和第二工藝腔之間，隔離腔組包括至少兩個(gè)隔離腔，靠近第一工藝腔的第一隔離腔與第一工藝腔之間的壓力差值在第一預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，靠近第二工藝腔的第二隔離腔與第二工藝腔之間的壓力差值在第二預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。本申請(qǐng)實(shí)施例能夠保持微晶工藝腔和非晶工藝腔兩側(cè)的壓力差值在合理范圍內(nèi)，提高工藝穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：請(qǐng)求不公布姓名,請(qǐng)求不公布姓名,請(qǐng)求不公布姓名
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東利元亨智能裝備股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240129
技術(shù)公布日：2025/1/2