本技術(shù)屬于低溫沉積設(shè)備，具體涉及一種工藝套件及低溫沉積設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、低溫pecvd法生長(zhǎng)氮化硅利用了平衡等離子體，能夠在低溫下（250℃～400℃）實(shí)現(xiàn)氮化硅的生長(zhǎng)。

2、在非制冷探測(cè)器產(chǎn)品應(yīng)用中，氮化硅薄膜作為支撐層、吸收層和鈍化層。但氮化硅薄膜的厚度較薄，因此對(duì)其均勻性參數(shù)指標(biāo)有較高的要求，若薄膜均勻性差，橋面應(yīng)力分布不均勻，易出現(xiàn)橋面塌陷、橋腿變形等異常（如圖10所示），嚴(yán)重影響產(chǎn)品性能。

3、novellus低溫沉積設(shè)備采用6個(gè)showerhead鍍膜，按1至6的順序依次對(duì)襯底進(jìn)行鍍膜，薄膜總厚度由1至6個(gè)單頭累積加工完成。該設(shè)備采用周轉(zhuǎn)叉轉(zhuǎn)移待加工襯底，加熱臺(tái)上對(duì)應(yīng)設(shè)置6組放置周轉(zhuǎn)叉的凹槽位，加工過(guò)程中，加工襯底與加熱臺(tái)直接接觸，周轉(zhuǎn)叉與加熱臺(tái)存在溫度差，該區(qū)域薄膜厚度偏薄且晶圓表面有明顯的周轉(zhuǎn)叉印記（如圖8所示），導(dǎo)致最終沉積氮化硅薄膜厚度偏薄，表面均勻性差。

4、周轉(zhuǎn)叉與凹槽存在溫度差的原因如下：第一是周轉(zhuǎn)叉采用陶瓷材料，導(dǎo)熱性能差；第二是為了保證周轉(zhuǎn)叉能夠上下移動(dòng)，凹槽的深度和寬度均需大于周轉(zhuǎn)叉，導(dǎo)致周轉(zhuǎn)叉在凹槽內(nèi)處于懸空狀態(tài)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題在于：提供一種工藝套件及低溫沉積設(shè)備，通過(guò)對(duì)工藝套件的改進(jìn)，能夠改善周轉(zhuǎn)叉與凹槽之間存在溫度差的問(wèn)題，保證氮化硅薄膜的均勻性。

2、本實(shí)用新型提出的技術(shù)方案為：

3、第一方面，本實(shí)用新型提供一種工藝套件，包括：

4、加熱臺(tái)，加熱臺(tái)上設(shè)有多個(gè)凹槽；

5、升降板，升降板可靠近或遠(yuǎn)離加熱臺(tái)；

6、周轉(zhuǎn)叉，周轉(zhuǎn)叉與凹槽一一對(duì)應(yīng)，周轉(zhuǎn)叉安裝在升降板上，升降板移動(dòng)帶動(dòng)周轉(zhuǎn)叉進(jìn)入或移出凹槽，周轉(zhuǎn)叉用于放置待加工的襯底；

7、周轉(zhuǎn)叉進(jìn)入凹槽后，周轉(zhuǎn)叉的頂面與加熱臺(tái)位于同一水平面上，且周轉(zhuǎn)叉與凹槽接觸。

8、可選的，周轉(zhuǎn)叉進(jìn)出凹槽的過(guò)程中與凹槽不接觸。

9、可選的，周轉(zhuǎn)叉進(jìn)入凹槽后，周轉(zhuǎn)叉的底面與凹槽的底面接觸。

10、可選的，周轉(zhuǎn)叉進(jìn)入凹槽后，周轉(zhuǎn)叉的至少一個(gè)側(cè)面與凹槽的側(cè)面接觸。

11、可選的，所述凹槽和所述支撐段的截面均為球冠型。

12、可選的，周轉(zhuǎn)叉平行于其長(zhǎng)度方向的兩個(gè)側(cè)面與凹槽的側(cè)面接觸。

13、可選的，周轉(zhuǎn)叉垂直于其長(zhǎng)度方向的截面為梯形。

14、可選的，周轉(zhuǎn)叉包括連接段和支撐段，所述連接段固定設(shè)置在支撐段上，所述連接段與升降板固定連接，所述支撐段用于支撐待加工的襯底。

15、可選的，所述連接段采用絕緣材料，所述支撐段采用導(dǎo)熱材料。

16、可選的，支撐段與連接段鉚接。

17、可選的，所述連接段為陶瓷。

18、可選的，所述支撐段為金屬鋁。

19、可選的，相互平行的一對(duì)凹槽為一組，所述加熱臺(tái)上設(shè)有多組凹槽；一對(duì)相互平行的周轉(zhuǎn)叉與一組凹槽相互配合，一個(gè)待加工的襯底放置在一對(duì)相互平行的周轉(zhuǎn)叉上。

20、可選的，相互平行的一對(duì)凹槽為一組，所述加熱臺(tái)上設(shè)有多組凹槽。

21、第二方面，本實(shí)用新型提供一種低溫沉積設(shè)備，包括：

22、第一方面的工藝套件。

23、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：

24、本實(shí)用新型通過(guò)限定周轉(zhuǎn)叉進(jìn)入凹槽后與凹槽接觸，且限定周轉(zhuǎn)叉的頂面與加熱臺(tái)位于同一水平面上，能夠保證周轉(zhuǎn)叉進(jìn)入凹槽后，待加工的襯底能夠同時(shí)與加熱臺(tái)和周轉(zhuǎn)叉接觸，通過(guò)凹槽與周轉(zhuǎn)叉的接觸提高熱傳遞效率，降低周轉(zhuǎn)叉與加熱臺(tái)的溫差，進(jìn)而改善襯底的溫差，達(dá)到改善薄膜均勻性的目的。

技術(shù)特征：

1.一種工藝套件，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝套件，其特征在于，周轉(zhuǎn)叉進(jìn)出凹槽的過(guò)程中與凹槽不接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝套件，其特征在于，周轉(zhuǎn)叉進(jìn)入凹槽后，周轉(zhuǎn)叉的底面與凹槽的底面接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝套件，其特征在于，周轉(zhuǎn)叉進(jìn)入凹槽后，周轉(zhuǎn)叉的至少一個(gè)側(cè)面與凹槽的側(cè)面接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的工藝套件，其特征在于，周轉(zhuǎn)叉平行于其長(zhǎng)度方向的兩個(gè)側(cè)面與凹槽的側(cè)面接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的工藝套件，其特征在于，周轉(zhuǎn)叉垂直于其長(zhǎng)度方向的截面為梯形。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的工藝套件，其特征在于，周轉(zhuǎn)叉包括連接段和支撐段，所述連接段固定設(shè)置在支撐段上，所述連接段與升降板固定連接，所述支撐段用于支撐待加工的襯底。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的工藝套件，其特征在于，所述連接段采用絕緣材料，所述支撐段采用導(dǎo)熱材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的工藝套件，其特征在于，相互平行的一對(duì)凹槽為一組，所述加熱臺(tái)上設(shè)有多組凹槽；一對(duì)相互平行的周轉(zhuǎn)叉與一組凹槽相互配合，一個(gè)待加工的襯底放置在一對(duì)相互平行的周轉(zhuǎn)叉上。

10.一種低溫沉積設(shè)備，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)屬于低溫沉積設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種工藝套件及低溫沉積設(shè)備。工藝套件包括：加熱臺(tái)，加熱臺(tái)上設(shè)有多個(gè)凹槽；升降板，升降板可靠近或遠(yuǎn)離加熱臺(tái)；周轉(zhuǎn)叉，周轉(zhuǎn)叉與凹槽一一對(duì)應(yīng)，周轉(zhuǎn)叉安裝在升降板上，升降板移動(dòng)帶動(dòng)周轉(zhuǎn)叉進(jìn)入或移出與相應(yīng)的凹槽，周轉(zhuǎn)叉用于放置待加工的襯底；周轉(zhuǎn)叉進(jìn)入凹槽后，周轉(zhuǎn)叉的頂面與加熱臺(tái)位于同一水平面上，且周轉(zhuǎn)叉與凹槽接觸。本技術(shù)通過(guò)限定周轉(zhuǎn)叉進(jìn)入凹槽后與凹槽接觸，且限定周轉(zhuǎn)叉的頂面與加熱臺(tái)位于同一水平面上，能夠保證周轉(zhuǎn)叉進(jìn)入凹槽后，待加工的襯底能夠同時(shí)與加熱臺(tái)和周轉(zhuǎn)叉接觸，通過(guò)凹槽與周轉(zhuǎn)叉的接觸提高熱傳遞效率，降低周轉(zhuǎn)叉與加熱臺(tái)的溫差，達(dá)到改善薄膜均勻性的目的。

技術(shù)研發(fā)人員：陳國(guó)雪,李兆營(yíng),李海濤,孫宇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安徽光智科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240202
技術(shù)公布日：2024/12/30