本技術(shù)涉及原子層沉積裝置。更詳細而言，本技術(shù)涉及形成薄膜原子層的原子層沉積裝置。

背景技術(shù)：

1、半導體裝置、顯示裝置和電子裝置等包括多個薄膜。形成所述薄膜的方法包括氣相沉積方法。所述氣相沉積方法包括有效利用原子層沉積裝置的原子層沉積方法(atomiclayer?deposition，ald)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的目的在于，提供一種具有簡化的結(jié)構(gòu)的原子層沉積裝置。

2、但是，本實用新型的目的并不限于如上所述的目的，在不超出本實用新型的思想和領(lǐng)域的范圍內(nèi)可以進行各種擴展。

3、為了達成上述的本實用新型的一目的，本實用新型的一實施例涉及的原子層沉積裝置可以包括：工作臺，安置基板；第一源流體收納部，收納包括第一前驅(qū)體以及第二前驅(qū)體的第一源流體；以及沉積部，位于所述工作臺上，包括通過第一源流體傳遞線而與所述第一源流體收納部連接且向所述基板噴射所述第一源流體的第一噴嘴部。

4、在一實施例中，可以是，所述第一前驅(qū)體和所述第二前驅(qū)體不會彼此發(fā)生化學反應。

5、在一實施例中，可以是，所述第一源流體還包括含有第三金屬元素的第三前驅(qū)體，所述第一前驅(qū)體、所述第二前驅(qū)體和所述第三前驅(qū)體不會彼此發(fā)生化學反應。

6、在一實施例中，可以是，所述原子層沉積裝置還包括：反應流體收納部，收納反應流體，所述沉積部還包括通過反應流體傳遞線而與所述反應流體收納部連接且向所述基板噴射所述反應流體的第二噴嘴部。

7、在一實施例中，可以是，所述原子層沉積裝置還包括：凈化流體收納部，收納凈化流體，所述沉積部還包括位于所述第一噴嘴部與所述第二噴嘴部之間且通過凈化流體傳遞線而與所述凈化流體收納部連接并且向所述基板噴射所述凈化流體的凈化部。

8、在一實施例中，可以是，所述第一源流體在所述第一源流體收納部內(nèi)處于液體狀態(tài)且通過所述第一噴嘴部以氣體狀態(tài)被噴射到所述基板。

9、在一實施例中，可以是，所述第一源流體傳遞線與氣化部及流量控制部連接，所述氣化部將所述第一源流體從液體狀態(tài)變化為氣體狀態(tài)，所述流量控制部調(diào)節(jié)從所述第一源流體收納部流向所述氣化部的所述第一源流體的流量。

10、在一實施例中，可以是，所述原子層沉積裝置還包括：第二源流體收納部，收納包括第四前驅(qū)體的第二源流體，所述沉積部還包括通過第二源流體傳遞線而與所述第二源流體收納部連接且向所述基板噴射所述第二源流體的第三噴嘴部，所述第三噴嘴部和所述第一噴嘴部被配置成彼此交替。

11、在一實施例中，可以是，所述第一前驅(qū)體和所述第二前驅(qū)體不會彼此發(fā)生化學反應，所述第四前驅(qū)體與所述第一前驅(qū)體和所述第二前驅(qū)體之中的至少一個發(fā)生化學反應。

12、在一實施例中，可以是，所述工作臺使所述基板在所述沉積部的下部進行往返移動。

13、為了達成上述的本實用新型的一目的，本實用新型的其他實施例涉及的原子層沉積裝置包括：工作臺，安置基板；第一源流體收納部，收納包括第一前驅(qū)體的第一源流體；第二源流體收納部，收納包括第二前驅(qū)體的第二源流體；以及沉積部，位于所述工作臺上，包括通過源流體傳遞線而與所述第一源流體收納部及所述第二源流體收納部連接且向所述基板噴射所述第一源流體和所述第二源流體的噴嘴部。

14、在一實施例中，可以是，所述噴嘴部在彼此不同的時間點向所述基板噴射所述第一源流體和所述第二源流體。

15、在一實施例中，所述原子層沉積裝置還包括：凈化流體收納部，收納凈化流體，所述噴嘴部通過所述源流體傳遞線而與所述凈化流體收納部連接。

16、在一實施例中，可以是，所述噴嘴部向所述基板噴射混合了所述第一源流體和所述第二源流體的混合流體。

17、在一實施例中，可以是，所述源流體傳遞線與混合所述第一源流體和所述第二源流體的混合部連接。

18、在一實施例中，可以是，所述第一前驅(qū)體和所述第二前驅(qū)體不會彼此發(fā)生化學反應。

19、在一實施例中，可以是，所述原子層沉積裝置還包括：第三源流體收納部，收納包括第三前驅(qū)體的第三源流體，所述噴嘴部通過所述源流體傳遞線而與所述第三源流體收納部連接，所述噴嘴部向所述基板噴射所述第三源流體。

20、在一實施例中，可以是，所述噴嘴部在彼此不同的時間點向所述基板噴射所述第一源流體、所述第二源流體和所述第三源流體。

21、在一實施例中，可以是，所述噴嘴部向所述基板噴射混合了所述第一源流體、所述第二源流體和所述第三源流體的混合流體，所述第一源流體、所述第二源流體和所述第三源流體不會彼此發(fā)生化學反應。

22、在一實施例中，可以是，所述源流體傳遞線與第一氣化部、第一流量控制部、第二氣化部及第二流量控制部連接，所述第一氣化部將所述第一源流體從液體狀態(tài)變化為氣體狀態(tài)，所述第一流量控制部調(diào)節(jié)從所述第一源流體收納部流向所述氣化部的所述第一源流體的流量，所述第二氣化部將所述第二源流體從液體狀態(tài)變化為氣體狀態(tài)，所述第二流量控制部調(diào)節(jié)從所述第二源流體收納部流向所述氣化部的所述第二源流體的流量，所述第一源流體和所述第二源流體分別在所述第一源流體收納部和第二源流體收納部內(nèi)處于液體狀態(tài)且通過所述噴嘴部以氣體狀態(tài)被噴射到所述基板。

23、(實用新型效果)

24、根據(jù)本實用新型的實施例涉及的原子層沉積裝置，可以通過一個噴嘴部向基板供給彼此不同的兩種以上的前驅(qū)體。由此，與通過單獨的噴嘴部單獨供給彼此不同的前驅(qū)體的情況相比，可以減少噴嘴部的個數(shù)。因此，可以簡化原子層沉積裝置的結(jié)構(gòu)。

25、但是，本實用新型的效果并不限于所述的效果，在不超出本實用新型的思想和領(lǐng)域的范圍內(nèi)可以進行各種擴展。

技術(shù)特征：

1.一種原子層沉積裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原子層沉積裝置，其特征在于，還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的原子層沉積裝置，其特征在于，還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原子層沉積裝置，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的原子層沉積裝置，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原子層沉積裝置，其特征在于，還包括：

7.一種原子層沉積裝置，其特征在于，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的原子層沉積裝置，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的原子層沉積裝置，其特征在于，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的原子層沉積裝置，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
原子層沉積裝置包括：工作臺，安置基板；第一源流體收納部，收納包括第一前驅(qū)體以及第二前驅(qū)體的第一源流體；以及沉積部，位于所述工作臺上，包括通過第一源流體傳遞線而與所述第一源流體收納部連接且向所述基板噴射所述第一源流體的第一噴嘴部。

技術(shù)研發(fā)人員：全祐奭,徐才喜,裵哲敏
受保護的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240402
技術(shù)公布日：2025/1/9