本揭露有關(guān)于化學(xué)機(jī)械拋光裝置。特別是有關(guān)于用于化學(xué)機(jī)械拋光裝置的固定環(huán)。
背景技術(shù):
1、半導(dǎo)體或集成電路(integrated?circuit,ic)裝置是使用復(fù)雜的制造工藝構(gòu)建的,這些工藝形成多個(gè)彼此堆迭的不同層。這些多層使用微影技術(shù)進(jìn)行圖案化,其中光敏光阻材料選擇性地暴露在光線(xiàn)下。例如,微影用于限定形成在彼此之上的后端金屬化層。為了確保所形成的金屬化層具有良好的結(jié)構(gòu)清晰度,圖案化的光必須被適當(dāng)?shù)鼐劢埂榱苏_地聚焦圖案化的光,工件必須基本上是平面的以避免焦深問(wèn)題。
2、化學(xué)機(jī)械拋光(chemical?mechanical?polishing,cmp)是一種廣泛使用的工藝,利用化學(xué)力和機(jī)械力對(duì)半導(dǎo)體工作件進(jìn)行整體平坦化。平坦化使得工作件為后續(xù)層的形成做好準(zhǔn)備。典型的cmp工具包括覆蓋有拋光墊的旋轉(zhuǎn)臺(tái)板。漿料分配系統(tǒng)配置以向拋光墊提供具有化學(xué)成分和磨料成分的拋光混合物。然后使工作件與旋轉(zhuǎn)的拋光墊接觸以使工作件平坦化。cmp是一種受歡迎的工藝,因?yàn)閏mp可以實(shí)現(xiàn)整個(gè)晶圓表面的全域平坦化。cmp工藝用以?huà)伖獠⑷コA上的材料,適用于多種材料表面。此外,cmp工藝避免使用有害氣體,和/或通常是低成本工藝。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本揭露的一個(gè)態(tài)樣有關(guān)一種化學(xué)機(jī)械拋光裝置,包括:拋光墊;拋光頭,配置以接收晶圓并將晶圓保持在拋光墊上;及固定環(huán),配置以與拋光頭接合,其中固定環(huán)形成有通道,通道配置以使?jié){料沿流動(dòng)方向從固定環(huán)的外部流至固定環(huán)的內(nèi)部,其中通道的流動(dòng)截面積沿流動(dòng)方向減小。
2、本揭露的另一態(tài)樣有關(guān)一種用于化學(xué)機(jī)械拋光裝置中環(huán)繞晶圓的固定環(huán),此固定環(huán)包括環(huán)形壁,環(huán)繞晶圓并具有外表面與內(nèi)表面;及通道,從外表面延伸至內(nèi)表面,其中通道具有鄰近外表面的第一流動(dòng)截面積,其中通道具有鄰近內(nèi)表面的第二流動(dòng)截面積,并且其中第二流動(dòng)截面積小于第一流動(dòng)截面積。
3、本揭露的另一個(gè)態(tài)樣有關(guān)一種化學(xué)機(jī)械拋光裝置,包括:拋光墊;拋光頭,配置以接收晶圓并將晶圓保持在拋光墊上;及固定環(huán),配置以與拋光頭接合,其中固定環(huán)形成有通道,通道配置以使?jié){料沿流動(dòng)方向從固定環(huán)的外部流至固定環(huán)的內(nèi)部,其中通道具有形成有曲率半徑的內(nèi)通道壁,其中曲率半徑為5至50毫米。
1.一種化學(xué)機(jī)械拋光裝置,其特征在于,包括:
2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光裝置,其特征在于,其中各該流動(dòng)截面積沿該流動(dòng)方向減小5%至95%。
3.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光裝置,其特征在于,其中各所述多個(gè)通道的一最大流動(dòng)截面積為5至500平方毫米。
4.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光裝置,其特征在于,其中各所述多個(gè)通道的長(zhǎng)度為0.5至50毫米。
5.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光裝置,其特征在于,其中各所述多個(gè)通道的該流動(dòng)截面積連續(xù)減小。
6.一種用于化學(xué)機(jī)械拋光裝置中環(huán)繞晶圓的固定環(huán),其特征在于,該固定環(huán)包括:
7.如權(quán)利要求6所述的固定環(huán),其特征在于,其中該通道包括鄰近該內(nèi)表面的一擋板。
8.如權(quán)利要求6所述的固定環(huán),其特征在于,其中該通道為線(xiàn)性。
9.如權(quán)利要求6所述的固定環(huán),其特征在于,其中該通道為曲線(xiàn)形。
10.一種化學(xué)機(jī)械拋光裝置,其特征在于,包括: