專利名稱:含硅量為2-22重量百分之百的硅鋁合金的制備方法
本發(fā)明屬于有色金屬與合金屬的冶煉領(lǐng)域，更確切些說，是關(guān)于制取含硅量為2-22重量%的硅鋁合金的方法問題。該合金可用于制造汽車工業(yè)、拖拉機(jī)工業(yè)中所需的異形鑄件，并用于日用品的生產(chǎn)。
制取含硅量為2-22重量%的硅鋁合金的已知方法包括下述步驟將鋁礬土和硅單獨(dú)進(jìn)行粉碎。按計(jì)算量，將下述組份，即含碳的材料和經(jīng)過粉碎的鋁礬土及硅，配成爐料。然后把爐料做成團(tuán)塊，并放入還原礦石用的電爐中。爐料經(jīng)過還原作用，變成了初級硅鋁合金。下一步是對此粗制合金進(jìn)行精煉提純，除掉其中的非金屬夾雜物。最后加工成用做結(jié)構(gòu)材料的硅鋁合金[I.A.Troitsky，V.A.Zheleznov合著的《鋁的冶煉》，發(fā)表于1977年，蘇聯(lián)“冶金出版社”(莫斯科)出版，第368-375頁]。
此法的缺點(diǎn)是硅的吸收程度(the degree of assimilation of silicon)低，合金中非金屬夾雜物的含量較高，所以制得的合金質(zhì)量不高。使用此法時(shí)，生成的爐渣很多，并因此消耗掉大量熱能(高達(dá)10%)。該法的工序多，能量消耗量很大。
制取含硅量為2-22重量%的硅鋁合金的另一已知方法包括如下步驟先把經(jīng)過粉碎的晶體硅分選成粒徑為20-50毫米的篩份和粒徑為0.3-1.0毫米的另一篩份，取前一篩份留用，后一份則棄去。將20-50毫米篩份的晶體硅放在反射爐里，在780-820℃的溫度和攪拌的條件下，使其溶解于液態(tài)的鋁中，生成硅鋁合金的熔體[參見M.B.Altman，A.A.Lebedev，M.V.Chukhrov合著的《輕合金的熔煉和鑄造》，發(fā)表于1969年，蘇聯(lián)“冶金出版社”(莫斯科)出版，第270-271頁]。
使用上述方法，可確保達(dá)到較高的硅吸收程度。同時(shí)，由于合金中非金屬夾雜物(氧化鋁和氫)的含量降低，所得合金的質(zhì)量有所提高。此外，該法還可減少爐渣形成量。該法在技術(shù)操作上可行，能耗也不大。
眾所周知，在晶體硅的粉碎過程中，20-50毫米篩份的平均產(chǎn)率為95%，而0.3-1.0毫米篩份的量平均占4.5%。采用上述方法時(shí)，0.3-1.0毫米篩份的晶體硅不能用于制造硅鋁合金，這就造成了稀缺原材料的非生產(chǎn)性損失。
因此，作為本發(fā)明基礎(chǔ)的課題是在制取含硅量為2-22重量%的硅鋁合金的方法中，通過改變晶體硅溶解過程的條件，把0.3-1.0毫米篩份的硅利用起來，從而避免稀缺原料的損失，并提高所制成的合金的質(zhì)量。
這項(xiàng)課題是用如下所述的一種制取含硅量為2-22重量%的硅鋁合金的方法(本發(fā)明方法的第一種方案)解決的，它包括將經(jīng)過粉碎的晶體硅分選成20-50毫米的篩份和0.3-1.0毫米的篩份;把20-50毫米篩份的晶體硅放在反射爐里，在780-820℃的溫度和攪拌的條件下，使其溶解在液態(tài)鋁中，生成硅鋁合金熔體，其中，根據(jù)本發(fā)明，是在20-50毫米篩份的晶體硅發(fā)生溶解的同時(shí)，利用惰性氣體氣流，把0.3-1.0毫米篩份的晶體硅帶到合金熔體的液面以下(under the melt level)，其量占晶體硅總投料量的3-10%。
上述課題還可以用如下所述的一種制取含硅量2-22重量%的硅鋁合金的方法(本發(fā)明方法的第二種方案)來解決，它包括先將經(jīng)過粉碎的晶體硅，按晶粒大小為20-50毫米和0.3-1.0毫米分選成兩份;再把20-50毫米篩份的晶體硅放到反射爐里，在780-820℃的溫度和攪拌的條件下，使其溶解在液態(tài)鋁中，生成硅鋁合金熔體。其中，根據(jù)本發(fā)明，20-50毫米篩份的晶體硅是與0.3-1.0毫米篩份的晶體硅一起溶解的，這兩份晶體硅的重量比相應(yīng)為80-85∶20-15。但是，在溶解之前，須將0.3-1.0毫米篩份的晶體硅與氯化鋇及助熔劑(主要成為為氯化鈉和氯化鉀)一起壓制成形，0.3-1.0毫米篩份的晶體硅、氯化鋇和助熔劑三者的配料比(重量比)為7∶1-2∶1-3。
本發(fā)明方法(上述兩種方案)使0.3-1.0毫米篩份的晶體硅得到了利用，從而避免了稀缺原料的損失。此外，利用本發(fā)明方法制得的合金中非金屬夾雜物(氧化鋁和氫)的含量低，所以可得到質(zhì)量更高的合金。
在2-50毫米篩份的晶體硅溶解的同時(shí)，利用惰性氣體氣流把0.3-1.0毫米篩份的晶體硅引入到熔體的液面以下(第一種方案)，可以保證增加細(xì)篩份硅在熔體中停留的時(shí)間，也就是說，在細(xì)篩份硅浮升到熔體表面之前，有足夠的時(shí)間讓它溶解在熔體中。此外，從熔體中通過的惰性氣體有助于除去熔體中的非金屬夾雜物(氧化鋁和氫)。
在第二種實(shí)施方案中，由于0.3-1.0毫米篩份的晶體硅與氯化鋇和助熔劑壓制在一起，形成了一種緊密壓實(shí)的物料，其密度大于熔體的密度，這樣就避免了0.3-1.0毫米篩份的硅浮升到熔體表面，從而可以使20-50毫米和0.3-1.0毫米這兩個(gè)篩份的晶體硅同時(shí)溶解。壓制物料中所含的助熔劑可以降低硅鋁合金熔體中氫和氧化鋁的含量。
在制備含硅量為2-22重量%的硅鋁合金的實(shí)際生產(chǎn)當(dāng)中發(fā)現(xiàn)，在本明的工藝過程中應(yīng)用粒徑為20-50毫米篩份的硅效果最佳，因?yàn)樵谶@種條件下，硅溶解時(shí)的損失可以降到最低。
如前所述，將晶體硅粉碎后，20-50毫米篩份的產(chǎn)率平均為95%，而0.3-1.0毫米篩份的產(chǎn)率平均為4.5%。0.3-1.0毫米篩份的硅，過去在制取硅鋁合金時(shí)是廢棄不用的，結(jié)果造成稀缺原料的損失。本發(fā)明提出的這種制備硅鋁合金的方法，使0.3-1.0毫米篩份的晶體硅得到了利用。
在本發(fā)明的方法中，晶體硅在液態(tài)鋁里溶解時(shí)的溫度為780-820℃。這個(gè)溶解溫度是由反射爐的工作特性和在該反射爐中制取合金的工藝條件決定的。
按照本發(fā)明方法的第一種方案，籍惰性氣體氣流引入0.3-1.0毫米篩份的晶體硅的量若低于晶體硅總投料量的3%，處理設(shè)備就不能滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn);若這一篩份晶體硅的引入量超過晶體硅總投料量的10%，又會(huì)耗費(fèi)大量的載體-惰性氣體。
按照本發(fā)明方法的第二種方案，20-50毫米和0.3-1.0毫米這兩個(gè)篩份的晶體硅在使用時(shí)的質(zhì)量比為80-85∶20-15。0.3-1.0毫米這個(gè)篩份的晶體硅的使用量不宜超過上述比例的上限，否則就必須在將0.3-1.0毫米篩份的晶體硅與氯化鋇和助熔劑一起壓制時(shí)，增加氯化鋇的用量，而氯化鋇用量的增加，將導(dǎo)致熔體粘度增大，這是很不利的。0.3-1.0毫米篩份晶體硅的使用量低于上述比例的下限也是不足取的，因?yàn)檫@樣做會(huì)明顯降低過程的效率。
按照本發(fā)明方法的第二種方案，0.3-1.0毫米篩份的晶體硅，與氯化鋇和助熔劑是按7∶1-2∶1-3這個(gè)質(zhì)量比壓制成塊的。選擇氯化鋇和助熔劑用量的下限的決定條件是壓成的物料的最小密度必須超過液態(tài)鋁的密度(
1＝2.4克/厘米3，
＝2.48克/厘米3，其中
1為液態(tài)鋁的密度，
為所壓制成的物料的密度)。
在上述質(zhì)量比中，氯化鋇和助熔劑的上限取決于若進(jìn)一步提高氯化鋇和助熔劑的含量，將致使熔體的粘度不利地增加，并造成助熔劑的無益消耗。
本發(fā)明第一種生產(chǎn)含硅量為2-22重量%的硅鋁合金的方案的實(shí)施過程如下。
將經(jīng)過粉碎的晶體硅分選成20-50毫米和0.3-1.0毫米兩種篩份，隨后把20-50毫米篩份的晶體硅裝入反射爐內(nèi)。然后，在780-820℃的溫度下，將所需量的液態(tài)鋁注入爐中。在上述溫度和攪拌下，20-50毫米篩份的晶體溶解在液態(tài)鋁中，生成硅鋁合金熔體。攪拌可以例如用離心泵(例如美國“Carborundum”公司生產(chǎn)的離心泵)、氣體動(dòng)力泵、電磁攪拌設(shè)備等來進(jìn)行[參見Andreev A.D，Gogin V.B.，Makarov G.S合著的《鋁合金的高效冶煉法》，發(fā)表于1980年，蘇聯(lián)“冶金出版社”(莫斯科)出版，第89-95頁]。
在20-50毫米篩份晶體硅溶解的同時(shí)，借助于惰性氣體(如氮?dú)?，氬?的氣流，把0.3-1.0毫米篩份的晶體硅從合金熔體液面下引入熔體中。這部分晶體硅的量應(yīng)占晶體硅總投料量的3-10重量%。0.3-1.0毫米篩份的晶體硅與惰性氣體相混合，形成混合物氣流的這一步，是在流體化床設(shè)備中完成的。在利用惰性氣體氣流把0.3-1.0毫米篩份的晶體硅從合金熔體液面下送入之后，由于能增加這部分硅在合金熔體中停留的時(shí)間，所以能使其全部溶解。
制得的合金是否合格，需要根據(jù)快速分析的結(jié)果來決定。分析的項(xiàng)目為合金各基本組份的含量以及雜質(zhì)的含量。若合格，則將成品合金澆注到鑄錠的模具里。
本發(fā)明第二種生產(chǎn)含硅量為2-22重量%的硅鋁合金的方案的實(shí)施過程如下把經(jīng)過粉碎的晶體硅分選成粒徑為20-50毫米和0.3-1.0毫米兩個(gè)篩份。然后把0.3-1.0毫米篩份的晶體硅與氧化鋇(加重劑)和助熔劑(主要成分是氯化鈉和氯化鉀)壓制成形。這三者的質(zhì)量比相應(yīng)等于7∶1-2∶1-3。例如，如下一種混合物就可以作為助熔劑，其組成為52-57重量%的NaCl、30-35重量%的KCl和10-15重量%的Na2SiF6。下一步是往反射爐里裝料，即裝入20-50毫米篩份的晶體硅以及所得到的壓制成形的、含有0.3-1.0毫米篩份晶體硅的物料。投料時(shí)，20-50毫米篩份的晶體硅與0.3-1.0毫米篩份的晶體硅之間的比例應(yīng)等于80-85∶20-15。然后，在780-820℃的溫度下，在爐中注入所需量的液態(tài)鋁，在此溫度并在攪拌條件下，這兩個(gè)篩份的硅同時(shí)溶解在液態(tài)鋁中。形成硅鋁合金熔體。冶煉過程在這樣的條件下進(jìn)行時(shí)，0.3-1.0毫米篩份的硅在合金熔體內(nèi)停留的時(shí)間增加了，所以來得及溶解。
這里所采用的攪拌方法，同上面所述的本發(fā)明方法的第一種方案中所用的一樣。
制得的合金合格與否是根據(jù)快速分析的結(jié)果決定的。分析的項(xiàng)目是合金中各基本組份的含量以及雜質(zhì)的含量。若合格，則將成品合金澆注到鑄錠的模具中。
為幫助更好地理解本發(fā)明，下面給出實(shí)施本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)例。
實(shí)施例1(本發(fā)明方法的第一種方案)把經(jīng)過粉碎的晶體硅分選成20-50毫米和0.3-1.0毫米兩種篩份。再把總量為2650千克的20-50毫米篩份的晶體硅裝入容量為25000千克(按液態(tài)的金屬計(jì)算)的反射爐中。然后在800℃的溫度下，向爐內(nèi)注入22250千克液態(tài)鋁。在上述溫度和攪拌的條件下，20-50毫米這份晶體硅溶解在液態(tài)鋁中，形成硅鋁合金熔體。攪拌是用電磁攪拌裝置完成的。
在20-50毫米這份晶體硅溶解的同時(shí)，利用氮?dú)猓瑥暮辖鹑垠w液面下，將270千克(相當(dāng)于晶體硅總投料量的10%)的0.3-1.0毫米篩份的硅引入熔體中。合金中硅的理論量為11.7重量%。利用氮?dú)饬鲗?.3-1.0毫米篩份的晶體硅從合金熔體液面下送入熔體中去，可以使這部分硅全部溶解。合金是否合格，需要根據(jù)快速分析的結(jié)果來決定。分析的項(xiàng)目是合金中各基本組份的含量，以及雜質(zhì)的含量。若合格，則將含硅量為11.4重量%的成品合金澆注到鑄錠的模具里。
下面的表Ⅰ中，給出了按照本發(fā)明方法的第一種方案來實(shí)施本發(fā)明方法的一些實(shí)際例子。
表Ⅰ實(shí)施例 合金中晶 晶體硅溶 0.3-1.0毫米 惰性編號(hào) 體硅的含 解在鋁中 篩份晶體硅在晶 氣體量，重量 的溫度， 體硅總投料量中% ℃ 所占的重量%2 2 (a)780 3 氮?dú)?b)800(c)8203 22 (a)780 3 氮?dú)?b)800(c)8204 11 (a)780 3 氬氣(b)800(c)8205 2 800 (a)5 氮?dú)?b)106 22 800 (a)5 氬氣(b)107 11 800 (a)5 氮?dú)?b)10
實(shí)施例1(本發(fā)明方法的第二種方案)將經(jīng)過粉碎的晶體硅分選成20-50毫米和0.3-1.0毫米兩種篩份。然后把0.3-1.0毫米篩份的硅584千克，與氯化鋇166.8千克和助熔劑250.2千克(晶體硅、氯化鋇和助熔劑三者的質(zhì)量比為7∶2∶3)一起壓制成塊。助熔劑是下列三種物質(zhì)的混合物52重量%的NaCl、34重量%的KCL和14重量%的Na2SiF6。下一步是往容量為25000千克(按液態(tài)金屬計(jì)算)的反射爐里裝入20-50毫米篩份的晶體硅2336千克以及壓制成形的、其中含有0.3-1.0毫米篩份的晶體硅的物料。20-50毫米和0.3-1.0毫米這種篩份的晶體硅的質(zhì)量比為80∶20。合金中硅的計(jì)算含量為11.7重量%。然后，在800℃溫度下，向爐內(nèi)注入22，250千克液態(tài)鋁，并在該溫度和攪拌的條件下，使這兩種篩份的晶體硅同時(shí)溶解到液態(tài)鋁中，形成硅鋁合金熔體。在這些工藝條件下，0.3-1.0毫米篩份的晶體硅在整個(gè)合金熔體中停留的時(shí)間延長了，所以它有足夠的時(shí)間全部溶解。
上述攪拌操作是用電磁攪拌裝置完成的。
合金是否合格，可根據(jù)快速分析的結(jié)果來確定。分析的項(xiàng)目是合金中各基本組份的含量以及雜質(zhì)含量。若合格，則將含硅量為11.4重量%的成品合金澆注到鑄錠的模具里。
按照第二種方案，在上述的反射爐里實(shí)施本發(fā)明方法的一些實(shí)施例歸納于表2中。
在這些實(shí)施例中，所用的助熔劑，就是在關(guān)于本發(fā)明方法第二種方案的實(shí)施例1中所介紹的那種。
表2實(shí)施例 合金中晶 晶體硅在 粒徑分別為 0.3-1.0毫米編號(hào) 體硅的含 鋁中溶解 20-50毫米和 篩份的晶體硅、量，重量 時(shí)的溫度， 0.3-1.0毫米 氯化鋇和助熔劑% ℃ 的兩個(gè)篩份晶體 三者的質(zhì)量比硅的質(zhì)量比2 2 (a)780(b)800(c)8203 22 (a)780(b)800(c)8204 11 (a)780(b)800(c)8205 2 800 (a)85∶15(b)82∶18 7∶1∶1
表2(續(xù))實(shí)施例 合金中晶 晶體硅在 粒徑分別為 0.3-1.0毫米編號(hào) 體硅的含 鋁中溶解 20-50毫米和 篩份的晶體硅、量，重量 時(shí)的溫度， 0.3-1.0毫米 氯化鋇和助熔劑% ℃ 的兩個(gè)篩份晶體 三者的質(zhì)量比硅的質(zhì)量比6 22 800 (a)85∶15(b)82∶18 7∶1∶17 11 800 (a)85∶15(b)82∶18 7∶1∶18 2 800 80∶20 (a)7∶2∶3(b)7∶1.5∶29 22 800 80∶20 (a)7∶2∶3(b)7∶1.5∶210 11 800 80∶20 (a)7∶2∶3(b)7∶1.5∶2
本發(fā)明方法(包括兩種方案在內(nèi))的效果如何，是根據(jù)對成品合金中氫和氧化鋁的含量進(jìn)行分析化驗(yàn)所得到的結(jié)果予以評價(jià)的。此外也根據(jù)0.3-1.0毫米篩份晶體硅的吸收程度(degree of assimilation)來評價(jià)。
合金中的氫和氧化鋁的含量可按照書上介紹的分析方法測定，可參考M.B.Altman，A.A.Lebedev，M.V.Chukhrov合著的《輕合金的冶煉與鑄造》，發(fā)表于1969年，蘇聯(lián)“冶金出版社”(莫斯科)出版，第663-674頁。
對于本發(fā)明方法的兩種方案，0.3-1.0毫米篩份晶體硅的吸收程度都是按下述方法測定的。
先只用20-50毫米篩份的晶體硅制備合金。結(jié)果得到含預(yù)定量硅(C1)的硅鋁合金。然后再用20-50毫米和0.3-1.0毫米這兩種篩份的硅，按本發(fā)明方法的第一種或第二種方案中給出的質(zhì)量比制備合金。結(jié)果又得到含一定量硅(C2)的硅鋁合金。在這兩種情況下，合金中硅的計(jì)算含量是相同的。
0.3-1.0毫米篩份晶體硅的吸收度(Y，%)可按下式算出Y＝ (C2)/(C1) ×100式中的C-只采用20-50毫米篩份晶體硅時(shí)所得合金中硅的含量(重量%)。
C-采用20-50毫米和0.3-1.0毫米兩種篩份晶體硅時(shí)所得合金中硅的含量(重量%)。
在下面的表3里，列出了本發(fā)明方法的兩種方案與已知方法在效果方面的指標(biāo)，這些指標(biāo)是按照已知方法確定的。
表3實(shí)施例 0.3-1.0毫米 非金屬夾雜物的含量編號(hào) 篩份晶體硅的吸收程度，% 氧化鋁 氫重量% 厘米3/100克成品合金1 2 3 4本發(fā)明方法的第一種方案1 98.1 0.018 0.202a 98.0 0.018 0.19b 97.9 0.017 0.20c 98.2 0.019 0.183a 97.8 0.019 0.20b 98.0 0.017 0.20c 98.0 0.017 0.17
表3(續(xù))實(shí)施例 0.3-1.0毫米 非金屬夾雜物的含量編號(hào) 篩份晶體硅的吸收程度，% 氧化鋁 氫重量% 厘米3/100克成品合金1 2 3 44a 98.2 0.018 0.19b 98.1 0.020 0.19c 98.1 0.018 0.185a 97.8 0.017 0.20b 98.0 0.017 0.186a 98.1 0.017 0.18b 97.9 0.019 0.177a 98.0 0.018 0.19b 98.2 0.018 0.19
表3(續(xù))實(shí)施例 0.3-1.0毫米 非金屬夾雜物的含量編號(hào) 篩份晶體硅的吸收程度，% 氧化鋁 氫重量% 厘米3/100克成品合金1 2 3 4本發(fā)明方法的第二種方案1 98.6 0.020 0.212a 98.5 0.020 0.20b 98.3 0.019 0.21c 98.5 0.022 0.213a 98.4 0.019 0.20b 98.4 0.019 0.19c 98.5 0.020 0.194a 98.3 0.020 0.19b 98.5 0.021 0.18c 98.5 0.018 0.20
表3(續(xù))實(shí)施例 0.3-1.0毫米 非金屬夾雜物的含量編號(hào) 篩份晶體硅的吸收程度，% 氧化鋁 氫重量% 厘米3/100克成品合金1 2 3 45a 98.4 0.019 0.19b 98.5 0.020 0.206a 98.5 0.018 0.18b 98.6 0.018 0.217a 98.6 0.021 0.21b 98.4 0.019 0.208a 98.5 0.018 0.19b 98.4 0.017 0.199a 98.6 0.020 0.18b 98.5 0.019 0.19
表3(續(xù)完)實(shí)施例 0.3-1.0毫米 非金屬夾雜物的含量編號(hào) 篩份晶體硅的吸收程度，% 氧化鋁 氫重量% 厘米/100克成品合金1 2 3 410a 98.5 0.018 0.20b 98.5 0.019 0.20已知方法x無此項(xiàng) 0.03 0.27x注指的是前面曾提到過的一本書里所介紹的方法，該書即M.B.Altman，A.A.Lebedev，M.V.Chukhrov合著的《輕合金的冶煉和鑄造》。
對表3所列出的數(shù)據(jù)進(jìn)行對比分析之后可以看出，采用本發(fā)明方法(即本發(fā)明方法的兩種方案)可以使成品合金中氫的含量平均下降30%，使氧化鋁的含量平均下降37%。
本發(fā)明方法使0.3-1.0毫米篩份的晶體硅得到了利用，從而避免了稀缺原料的損失。從表3上面的數(shù)據(jù)可以得出如下結(jié)論這種細(xì)篩份的晶體硅達(dá)到了很高的吸收率，該吸收率和已知方法中20-50毫米篩份晶體硅的吸收率幾乎相等。
權(quán)利要求
1.制備含硅量為2-22重量%的硅鋁合金的方法，包括以下要點(diǎn)先把經(jīng)過粉碎的晶體硅分選成20-50毫米的篩份和0.3-1.0毫米的另一篩份，再把20-50毫米篩份的晶體硅放在反射爐里，在780℃-820℃的溫度和攪拌的條件下，使其溶解在液態(tài)鋁中，形成硅鋁合金熔體，其特征是在20-50毫米篩份的晶硅溶解的同時(shí)，利用惰性氣體氣流，將0.3-1.0毫米的另一篩份的晶體硅，從熔體的液面下帶進(jìn)熔體中去，其量占晶體硅總投料量的3-10%。
2.制備含硅量為2-22重量%的硅鋁合金的方法，包括以下要點(diǎn)先把經(jīng)過粉碎的晶體硅分選成20-50毫米的篩份和0.3-1.0毫米的另一篩份，再把20-50毫米篩份的晶體硅放在反射爐里，在780-820℃的溫度和攪拌的條件下，使其溶解在液態(tài)鋁中，形成硅鋁合金熔體，其特征是使20-50毫米篩份的晶體硅與0.3-1.0毫米篩份的硅同時(shí)溶解，它們的質(zhì)量比等于80-85∶20-15，而且，在0.3-1.0毫米篩份的晶體硅溶解之前，須將其與氯化鋇和助熔劑(主要成分為氯化鈉和氯化鉀)按7∶1-2∶1-3的質(zhì)量比壓制在一起。
專利摘要
本文介紹的是一種制取含硅量為2—22重量％的硅鋁合金的方法。本法一種方案是把20—50毫米篩份的晶體硅放在反射爐里，在780—820℃和攪拌下使其溶解在液態(tài)鋁中，形成硅鋁合金熔體，同時(shí)利用惰性氣體流將0.3—1.0毫米篩份晶體硅帶入熔體底部。另一方案是把上述兩種篩份的晶體硅放在反射爐里，在780—820℃和攪拌下使二者同時(shí)溶解于液態(tài)鋁中。0.3—1.0毫米篩份的硅在溶解前須與氯化鋇及助熔劑一起壓制成塊。該合金可用于汽車工業(yè)、拖拉機(jī)工業(yè)及日用品生產(chǎn)中。
文檔編號(hào)C22C1/02GK87102446SQ87102446
公開日1988年10月12日 申請日期1987年4月1日
發(fā)明者維克多·西門諾維奇·舒斯特洛夫, 瓦迪姆·彼得羅維奇·伊夫陳科夫, 弗拉迪米爾·安那托利維奇·格爾布諾夫, 安那托利·尼古拉維奇·馬蘭基克, 弗拉迪米爾·尼古拉維奇·西寧, 埃拉那·列尼多夫娜·盧基娜, 弗拉迪米爾·夫拉迪米, 羅維奇·夫爾科夫, 弗多爾·康斯坦丁, 諾維奇·臺(tái)普利亞科夫 申請人:全蘇鋁鎂、電極工業(yè)科學(xué)研究設(shè)計(jì)院導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan