專利名稱：工業(yè)型脈沖直流等離子體化學(xué)氣相沉積工模具表面強(qiáng)化設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在工模具表面沉積具有高硬度、強(qiáng)結(jié)合力、抗氧化、耐腐蝕的硬質(zhì)薄膜及同爐離子氮化和碳氮共滲的設(shè)備，特別涉及一種工業(yè)生產(chǎn)型脈沖直流等離子體化學(xué)氣相沉積工模具表面強(qiáng)化設(shè)備。
目前，國(guó)內(nèi)外有關(guān)制備硬質(zhì)薄膜的方法主要有三種，即化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)和等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(PCVD)。CVD法問(wèn)世較早，適用于硬質(zhì)合金類零部件的強(qiáng)化，在當(dāng)今仍保持著一定的優(yōu)勢(shì)，但其工藝過(guò)程的原理主要是高溫?zé)峒せ罨瘜W(xué)氣相沉積反應(yīng)，通常達(dá)1000℃左右，超過(guò)了一般鋼制工模具的回火溫度，鍍膜后須重新淬回火，易產(chǎn)生變形甚至開(kāi)裂，一定程度上限制了它的應(yīng)用；此外，在硬質(zhì)合金刀具應(yīng)用方面，CVD法也應(yīng)謹(jǐn)慎使用，首先工藝過(guò)程產(chǎn)生的氯化氫氣體可能腐蝕硬質(zhì)合金中鈷結(jié)合劑，造成刀具表面疏松，增加應(yīng)力集中源；其次硬質(zhì)合金表面易脫碳，降低刀具強(qiáng)度。PVD法主要以離子轟擊方式加熱，工作溫度只有200-300℃，遠(yuǎn)低于高速鋼刀具的回火溫度，克服了CVD法溫度過(guò)高的不足，在高速鋼刀具薄膜制備方面獲得廣泛應(yīng)用。但由于離子賤射、蒸發(fā)受直線性限制，繞鍍性差，難以在狹縫、溝槽、小孔等部位獲得均勻鍍膜；加之薄膜與基體之間主要靠物理及化學(xué)吸附結(jié)合，膜基結(jié)合力較弱，膜層質(zhì)量下降。PCVD法避免了CVD法工藝溫度過(guò)高和PVD法工藝?yán)@鍍性差的缺點(diǎn)，其工藝溫度一般控制在500到550℃之間，同時(shí)可在同一臺(tái)設(shè)備中實(shí)現(xiàn)連續(xù)等離子滲氮、碳氮共滲和鍍膜的復(fù)合處理，不僅適用于不同材質(zhì)的工模具，而且特別適用于形狀復(fù)雜類模具的表面強(qiáng)化，因而自八十年代以來(lái)倍受重視。目前，按等離子體的引入和產(chǎn)生方法，PCVD技術(shù)可進(jìn)一步細(xì)分為射頻PCVD、微波PCVD、直流PCVD和脈沖直流PCVD。但射頻PCVD能量不易集中，功率消耗較大；微波PCVD由于技術(shù)自身的局限，難以在工業(yè)型爐體中實(shí)現(xiàn)鍍膜；而傳統(tǒng)直流PCVD的致命缺點(diǎn)是在狹縫、溝槽、小孔等部位易出現(xiàn)空心陰極效應(yīng)而產(chǎn)生弧光放電，燒損工件表面，難以對(duì)復(fù)雜形狀的工模具實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的均勻鍍覆。脈沖直流PCVD技術(shù)將脈沖直流輝光放電引入化學(xué)氣相沉積反應(yīng)中，借助脈沖占空比的恰當(dāng)調(diào)制，較好地克服了弧光放電問(wèn)題，因而從根本上解決了對(duì)復(fù)雜形狀的工模具進(jìn)行表面強(qiáng)化的技術(shù)難題，展現(xiàn)出良好的工業(yè)應(yīng)用前景，是現(xiàn)今PCVD技術(shù)的主要發(fā)展方向。然而，國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有脈沖直流PCVD設(shè)備仍存在以下不足(1)早期的PCVD表面強(qiáng)化設(shè)備采用直流等離子電源，以轟擊方式進(jìn)行加熱，稱為冷壁式設(shè)備。在轟擊加熱下，爐體空間溫度遠(yuǎn)低于工件表面溫度，等離子體化學(xué)反應(yīng)不能充分進(jìn)行，使膜層質(zhì)量下降，而且鍍膜過(guò)程中熱、電工藝參數(shù)相互牽制，不一分離控制，難以形成規(guī)范的工藝制度。為改善爐體中的空間溫度分布，此后開(kāi)發(fā)的PCVD設(shè)備采用在爐體外加熱爐罩的外熱式加熱系統(tǒng)，稱為外熱式，但加熱速度較慢且能源消耗較大。(2)目前PCVD技術(shù)中脈沖電源均為斬波式，其缺點(diǎn)是頻率較低，而且固定不變，工作狀態(tài)易受強(qiáng)電干擾，電源的效率較低。且難以實(shí)現(xiàn)負(fù)脈沖供給，影響導(dǎo)電性不良鍍層的制備和不同鍍層制備的工藝優(yōu)化。(3)由于受等離子體場(chǎng)分布均勻性制約，國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有PCVD真空爐體有效空間均顯較小，難以對(duì)大中型模具進(jìn)行表面鍍膜強(qiáng)化，導(dǎo)致脈沖直流PCVD技術(shù)的工業(yè)化推廣明顯滯后于潛在的市場(chǎng)需求。
本發(fā)明的目的皆在克服上述不足，開(kāi)發(fā)出一種工業(yè)用脈沖直流PCVD工模具表面強(qiáng)化設(shè)備，采用大爐體結(jié)構(gòu)、內(nèi)熱式加熱系統(tǒng)，具有強(qiáng)滅弧功能，短路、過(guò)載保護(hù)的逆變式脈沖直流電源系統(tǒng)和可制備單一膜、多元膜、多層膜及離子滲的工作氣體供給控制系統(tǒng)，能夠滿足工業(yè)化生產(chǎn)的需要，具有節(jié)能、工藝性能穩(wěn)定的特點(diǎn)。
利用本發(fā)明可制備TiN、TiC、(Ti，Si)N、(Ti，Si)C、(Ti，Si)CN、Ti(CN)、TiN/TiC/TiN等單一膜、多元膜和多層膜，其沉積速率每小時(shí)0.5μm到2.0μm，薄膜微觀組織致密、晶粒細(xì)小(幾個(gè)微米)，表面均勻、具有金屬光澤，其薄膜與基體結(jié)合力強(qiáng)，膜層顯微硬度Hv0.05在2000-3000Kg/mm2之間，并具有很好的耐腐蝕性。
附圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖2是加熱器(3)的結(jié)構(gòu)圖。
附圖3是氣體供給控制系統(tǒng)(12)的流程圖。
附圖4是脈沖直流電源(10)的原理圖。
附圖5是脈沖直流電源(10)的電路圖。
附圖6是控制器(34)的電路圖。
附圖7是IGBT功率開(kāi)關(guān)電路(33)圖。
下面結(jié)合附圖和實(shí)例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述。
參照?qǐng)D1，本發(fā)明有一個(gè)由液壓機(jī)構(gòu)提升的鐘罩式爐體(1)界定的反應(yīng)室，反應(yīng)室依靠爐體自重密封，爐體(1)為陽(yáng)極且接地。爐體(1)的內(nèi)壁均勻分布著帶狀加熱器(3)，為待處理工件(5)加熱，帶狀加熱器(3)通過(guò)過(guò)橋引入電極(6)與加熱及溫控系統(tǒng)(11)連接，以獲得加熱所需的三相工頻電源。配置的熱電偶(13)從爐體(1)底部進(jìn)入反應(yīng)室與工件(5)柔性接觸，將實(shí)測(cè)溫度傳遞給加熱及控制系統(tǒng)(11)，據(jù)此改變加熱速率，或進(jìn)行恒溫調(diào)節(jié)。在反應(yīng)室內(nèi)采用具有熱輻射和屏蔽雙重作用的屏蔽罩結(jié)構(gòu)(2)實(shí)現(xiàn)內(nèi)熱式加熱。屏蔽罩(2)內(nèi)側(cè)有一滑道，滑道上配置有一輔助陽(yáng)極(14)，依據(jù)工件的形狀和大小調(diào)節(jié)輔助陽(yáng)極(14)的相對(duì)位置，以加強(qiáng)爐內(nèi)不同部位氣體放電的均勻性，維持均勻的等離子體場(chǎng)。工件(5)放置在陰極盤(pán)(7)上，陰極盤(pán)(7)放置在用熔鑄云母陶瓷制作的雙屏蔽陰極(8)上，陰極既對(duì)工件承重，又通過(guò)小間隙屏蔽與陽(yáng)極絕緣，且與逆變式脈沖直流電源(10)相連，在陰陽(yáng)兩極之間借助高頻脈沖電壓，激發(fā)輝光放電，建立等離子體場(chǎng)，并對(duì)放電物理參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)與控制。工作氣體由通氣管(4)進(jìn)入反應(yīng)室內(nèi)，通氣管(4)根據(jù)反應(yīng)室和工件的大小可布置在反應(yīng)室的中心處，也可布置在反應(yīng)室的周邊處，或二者兼而有之，且與氣體供給控制系統(tǒng)(12)連通，進(jìn)行氣體的定量供給。真空系統(tǒng)(9)通過(guò)管道與鐘罩式爐體(1)的下端相連接，并對(duì)其抽真空，排放出的少量有害氣體在冷阱中凝結(jié)。
參照?qǐng)D2，本發(fā)明的加熱器(3)安裝于鐘罩式爐體(1)內(nèi)部，加熱器(3)與隔熱屏(16)和鐘罩式爐體(1)聯(lián)體安裝，在加熱器(3)內(nèi)側(cè)安裝一個(gè)具有熱輻射和屏蔽雙重作用的屏蔽罩(2)。此種內(nèi)熱式加熱系統(tǒng)比外熱式加熱系統(tǒng)的加熱速度提高一倍以上，耗電量降低一半以上，重量減輕80％以上。
參照?qǐng)D3，本發(fā)明氣體供給控制系統(tǒng)(12)中，包括與氣路(24、25、26、27)相連通的電磁閥開(kāi)關(guān)(17)和蒸發(fā)罐(28、29)，電磁閥開(kāi)關(guān)(17)的另一端和質(zhì)量流量計(jì)(18)相連通，質(zhì)量流量計(jì)(18)與一級(jí)混氣罐(22)相連通，蒸發(fā)罐(28、29)與浮子流量計(jì)(21)相連通，浮子流量計(jì)(21)和一級(jí)混氣罐(22)均與二級(jí)混氣罐(23)相連通，蒸發(fā)罐(28)通過(guò)管道與氣路(27)的浮子流量計(jì)(21)相連通。工作氣體氣路(24、25、26、27)中的CH4、N2、Ar、H2和載帶氣路(27)中的H2首先由與其連接的電磁閥開(kāi)關(guān)(17)打開(kāi)，它們的流量大小由配置的質(zhì)量流量計(jì)(18)控制，CH4、N2、Ar和H2首先進(jìn)入一級(jí)混氣罐(22)混合均勻，TiCl4是通過(guò)載帶氣H2由手控開(kāi)關(guān)(19)和電磁閥開(kāi)關(guān)(17)打開(kāi)進(jìn)入TiCl4蒸發(fā)罐(28)，帶出TiCl4進(jìn)入二級(jí)混氣罐(23)，與從一級(jí)混氣罐(22)中混合均勻的CH4、N2、Ar、H2氣體在二級(jí)混氣罐(23)中充分混合均勻。SiCl4則由手控開(kāi)關(guān)(19)打開(kāi)SiCl4蒸發(fā)罐(29)，調(diào)節(jié)電磁閥(20)控制SiCl4流量和由浮子流量計(jì)(21)顯示SiCl4流量值，SiCl4直接進(jìn)入二級(jí)混氣罐(23)，與從一級(jí)混氣罐(22)中混合均勻的CH4、N2、Ar、H2氣體在二級(jí)混氣罐(23)中充分混合均勻。經(jīng)二級(jí)混氣罐(23)混合均勻后，所有工作氣體由電磁閥開(kāi)關(guān)(17)控制進(jìn)入鐘罩式爐體(1)內(nèi)。特別指出的是，本發(fā)明開(kāi)發(fā)了間接流量精確控制技術(shù)，其原理是在一個(gè)蒸發(fā)系統(tǒng)中，當(dāng)溫度一定時(shí)，TiCl4氣體的輸出流量(蒸發(fā)量)與載氣的流量成正比關(guān)系，所以只要使TiCl4蒸發(fā)罐(28)保持恒溫，就可以通過(guò)控制載帶氣H2的流量實(shí)現(xiàn)對(duì)TiCl4輸出流量的控制。本發(fā)明中TiCl4蒸發(fā)系統(tǒng)采用了智能溫控原理，溫度控制精度達(dá)±0.5℃。TiCl4蒸發(fā)系統(tǒng)采用手控開(kāi)關(guān)(19)和電磁閥開(kāi)關(guān)(17)雙重控制。在載帶氣H2的管路上設(shè)置了單向閥門(mén)(30)，防止關(guān)H2后，TiCl4氣體回流而腐蝕質(zhì)量流量計(jì)(17)。
參照?qǐng)D4，本發(fā)明的逆變式脈沖直流電源(10)中，三相工頻電源經(jīng)交流調(diào)壓器(31)調(diào)整成大小連續(xù)可調(diào)的三相交流電壓，再經(jīng)三相整流器(32)整流為電壓連續(xù)可調(diào)的直流電源，以改變輸出幅度。直流電源經(jīng)IGBT功率開(kāi)關(guān)電路(33)逆變成脈沖功率源，通過(guò)直流脈沖變換器(35)輸出脈沖提供給PCVD設(shè)備(38)。利用峰值和平均值檢測(cè)電路(36)從脈沖變換器(35)輸出端采集信號(hào)，再反饋入控制器(34)，當(dāng)輸出電源峰值或平均值超限時(shí)，切斷輸出，既保護(hù)電源設(shè)備，又有效滅弧，避免工件表面燒傷。由控制器(34)控制輸出脈沖的頻率及占空比，輸出電壓、電流的波形可由電源自備的雙線示波器(37)直接觀察和計(jì)量。
參照?qǐng)D5，逆變式脈沖直流電源(10)的該實(shí)施例中，三相工頻電源經(jīng)交流調(diào)壓器(31)調(diào)整成大小連續(xù)可調(diào)的三相交流電壓，經(jīng)三相整流器(32)整流為電壓連續(xù)可調(diào)的直流電源，直流電源經(jīng)IGBT功率開(kāi)關(guān)電路(33)逆變成脈沖功率源，通過(guò)直流脈沖變換器(35)輸出脈沖提供給PCVD設(shè)備(38)。利用峰值和平均值檢測(cè)電路(36)從脈沖變換器(35)輸出端采集信號(hào)，再反饋入控制器(34)，當(dāng)輸出電源峰值或平均值超限時(shí)，切斷輸出。
參照?qǐng)D6，控制器(34)的電路中，當(dāng)峰值和平均值檢測(cè)電路(36)從直流脈沖變換器(35)輸出端采集信號(hào)后，送至集成電路TL3846(39)，它共有16個(gè)管腳，利用該電路中的雙重脈沖抑制端點(diǎn)(4腳和5腳)，能達(dá)到低電平電壓控制大功率脈沖輸出，改變連在第9腳的電位器R39的值，使和8腳相連的電容器C1、C2組成的時(shí)間常數(shù)變化，達(dá)到改變輸出脈沖的頻率。控制一個(gè)脈沖抑制端(5腳)電平的變化，達(dá)到調(diào)節(jié)輸出脈沖的占空比。當(dāng)大功率輸出的平均值或峰值超過(guò)額定值時(shí)，其檢測(cè)出的超值反饋至集成電路TL3846(39)的另一脈沖抑制端(4腳)，切斷IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓，使功率輸出為零，達(dá)到電路保護(hù)的目的。
參照?qǐng)D7，本發(fā)明中IGBT功率開(kāi)關(guān)電路(33)由橋式輸出電路組成，具有四組相互隔離的驅(qū)動(dòng)電路(40)?，F(xiàn)以一組為例說(shuō)明其工作原理當(dāng)高頻脈沖變壓器T1(41)次級(jí)繞組輸出高電平時(shí)，驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)二極管D5、D9輸出由穩(wěn)壓器Z1限值于15V；當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)反向時(shí)，g端的高電平使三極管TR1充分導(dǎo)通，使g、e端電壓迅速將為零，使IGBT可靠關(guān)斷。本發(fā)明中逆變式脈沖直流電源比斬波式電路優(yōu)越之處是只要設(shè)計(jì)出合理的控制器，實(shí)時(shí)控制IGBT大功率開(kāi)關(guān)，就可獲得大功率脈沖信號(hào)，經(jīng)一定變比升壓，達(dá)到PCVD工藝的要求。
現(xiàn)以制備TiN為例闡述本發(fā)明設(shè)備的工作原理如下將待處理工件(5)置入鐘罩式爐體(1)內(nèi)，打開(kāi)真空系統(tǒng)(9)對(duì)鐘罩式爐體(1)抽真空至10Pa以下時(shí)，開(kāi)始打開(kāi)氣體供給控制系統(tǒng)(12)中的H2、Ar氣體，借助逆變式脈沖直流電源(10)產(chǎn)生的等離子體場(chǎng)中的高能離子轟擊工件(5)表面，以達(dá)到清潔處理的效果，隨后加熱及控制系統(tǒng)(11)開(kāi)始加熱至一定溫度恒溫保持一定時(shí)間后，在要求的氣壓條件下，按適當(dāng)比例通入工作氣體H2、N2、Ar、和TiCl4，并由逆變式脈沖直流電源(10)為兩個(gè)電極之間提供合適的高頻脈沖放電電壓，此時(shí)高能電子與氣體分子碰撞離化產(chǎn)生輝光放電，形成具有化學(xué)活性的Ti+、N+離子和自由基。這些離子和自由基在工件(5)表面發(fā)生反應(yīng)沉積成TiN薄膜。沉積一定時(shí)間后，首先關(guān)閉氣體供給控制系統(tǒng)(12)，接著關(guān)掉逆變式脈沖直流電源(10)和加熱及控制系統(tǒng)(11)，最后停止真空系統(tǒng)(9)工作，結(jié)束鍍膜處理，并對(duì)鐘罩式爐體(1)內(nèi)充入H2、N2保護(hù)性氣氛冷卻至100℃以下出爐。


(1)鐘罩式爐體；(2)屏蔽罩；(3)加熱器；(4)通氣管；(5)工件；(6)過(guò)橋引入電極；(7)陰極盤(pán)；(8)雙屏蔽韻母陰極；(9)真空系統(tǒng)；(10)逆變式脈沖直流電源；(11)加熱及控制系統(tǒng)；(12)氣體供給控制系統(tǒng)；(13)熱電偶；(14)輔助陽(yáng)極；(15)觀察窗(16)隔熱屏(17)電磁閥開(kāi)關(guān)；(18)質(zhì)量流量計(jì)；(19)手控開(kāi)關(guān)；(20)調(diào)節(jié)電磁閥；(21)浮子流量計(jì)；(22)一級(jí)混氣罐；(23)二級(jí)混氣罐；(24)CH4氣路；(25)N2氣路；(26)Ar氣路；(27)H2氣路、載帶氣H2氣路；(28)TiCl4蒸發(fā)罐；(29)SiCl4蒸發(fā)罐；(30)單向閥門(mén)(31)交流調(diào)壓器；(32)三相整流器；(33)IGBT功率開(kāi)關(guān)電路；(34)控制器；(35)直流脈沖變換器；(36)峰值和平均值檢測(cè)電路；(37)雙線示波器；(38)PCVD設(shè)備；(39)集成電路TL3846；(40)驅(qū)動(dòng)電路；(41)高頻脈沖變壓器T權(quán)利要求
1.工業(yè)型脈沖直流等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備，包括一接地的鐘罩式爐體(1)，爐體(1)界定的反應(yīng)室內(nèi)配置有加熱體(3)，與加熱及控制系統(tǒng)(11)相連接的熱電偶(13)、與氣體供給系統(tǒng)(12)相連通的通氣管(4)和與爐體(1)下端相連接的真空系統(tǒng)(9)。本發(fā)明的特征是，爐體(1)的內(nèi)壁均勻分布有帶狀加熱體(3)，帶狀加熱體(3)通過(guò)過(guò)橋引入電極(6)與加熱及控制系統(tǒng)(11)連接，帶狀加熱體(3)內(nèi)側(cè)配置一具有熱輻射和屏蔽雙重作用的屏蔽罩(2)，爐體(1)的反應(yīng)室底部通過(guò)雙屏蔽陰極(8)支撐陰極盤(pán)(7)，陰極盤(pán)(7)與脈沖直流電源(10)相連接，所說(shuō)反應(yīng)室的中心或周邊配置一與氣體供給控制系統(tǒng)(12)相連通的通氣管(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所說(shuō)的屏蔽罩(2)內(nèi)側(cè)布置有滑道，滑道內(nèi)配置有可沿其滑動(dòng)的輔助陽(yáng)極(14)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所說(shuō)的加熱器(3)
4.與隔熱屏(16)和爐體(1)聯(lián)體安裝，在加熱器(3)內(nèi)側(cè)安裝一個(gè)具有熱輻射和屏蔽雙重作用的屏蔽罩(2)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所說(shuō)的氣體供給控制系統(tǒng)(12)包括與氣路(24、25、26、27)相連通的電磁閥開(kāi)關(guān)(17)和蒸發(fā)罐(28、29)，電磁閥開(kāi)關(guān)(17)的另一端和質(zhì)量流量計(jì)(18)相連通，質(zhì)量流量計(jì)(18)與一級(jí)混氣罐(22)相連通，蒸發(fā)罐(28、29)與浮子流量計(jì)(21)相連通，浮子流量計(jì)(21)和一級(jí)混氣罐(22)均與二級(jí)混氣罐(23)相連通，蒸發(fā)罐(28)通過(guò)管道與氣路(27)的浮子流量計(jì)(21)相連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所說(shuō)的逆變式脈沖直流電源(10)包括一交流調(diào)壓器(31)，三相工頻電源經(jīng)交流調(diào)壓器(31)調(diào)整成大小連續(xù)可調(diào)的三相交流電壓，再經(jīng)三相整流器(32)整流為電壓連續(xù)可調(diào)的直流電源，直流電源經(jīng)IGBT功率開(kāi)關(guān)電路(33)逆變成脈沖功率源，通過(guò)直流脈沖變換器(35)輸出脈沖提供給PCVD設(shè)備(38)。利用峰值和平均值檢測(cè)電路(36)從脈沖變換器(35)輸出端采集信號(hào)，再反饋入控制器(34)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所說(shuō)的控制器(34)包括一檢測(cè)電路(36)，當(dāng)峰值和平均值檢測(cè)電路(36)從直流脈沖變換器(35)輸出端采集信號(hào)后，送至集成電路TL3846(39)，利用該電路中的雙重脈沖抑制端點(diǎn)(4腳和5腳)，能達(dá)到低電平電壓控制大功率脈沖輸出，改變連在第9腳的電位器R39的值，使和8腳相連的電容器C1、C2組成的時(shí)間常數(shù)變化，達(dá)到改變輸出脈沖的頻率，控制一個(gè)脈沖抑制端(5腳)電平的變化，達(dá)到調(diào)節(jié)輸出脈沖的占空比，當(dāng)大功率輸出的平均值或峰值超過(guò)額定值時(shí)，其檢測(cè)出的超值反饋至集成電路TL3846(39)的另一脈沖抑制端(4腳)，切斷IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓，使功率輸出為零。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所說(shuō)的功率開(kāi)關(guān)電路(33)由橋式輸出電路組成，具有四組相互隔離的驅(qū)動(dòng)電路(40)。
全文摘要
一種在刀具、模具及要求耐磨、耐蝕金屬部件表面沉積硬質(zhì)陶瓷薄膜材料的等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備,主要由爐體及真空系統(tǒng)、加熱及溫控系統(tǒng),等離子體電源系統(tǒng),氣體供給及控制系統(tǒng)組成,真空爐體為鐘罩式結(jié)構(gòu),內(nèi)壁布有加熱元件,用屏蔽罩防止加熱體電場(chǎng)與等離子電場(chǎng)之間的相互干擾,實(shí)現(xiàn)內(nèi)熱式加熱,可在工模具及零部件表面鍍覆單一膜,多元膜和多層復(fù)合膜等,以改善耐磨、耐蝕、抗氧化和熱疲勞等性能,從而提高使用壽命和生產(chǎn)效率。
文檔編號(hào)C23C16/50GK1263953SQ99115959
公開(kāi)日2000年8月23日 申請(qǐng)日期1999年12月29日 優(yōu)先權(quán)日1999年12月29日
發(fā)明者徐可為, 陶冶, 何家文, 南俊馬, 張凌云, 朱曉東, 馬勝利, 李雁淮, 劉齊成 申請(qǐng)人:西安交通大學(xué), 北京航空航天大學(xué)