采用磁性金屬塊4與磁性金屬條5及非磁性金屬層3兩種金屬復(fù)合而成，可增加掩膜板在使用和清洗過程中的強(qiáng)度。
[0021]本發(fā)明中的磁性金屬塊4厚度為20 μπι?50 μ m，非磁性金屬層3的厚度為5 μπι?15 μ m0
[0022]根據(jù)圖3與圖4并結(jié)合圖5所示，本發(fā)明的復(fù)合掩膜板的制作方法如下:
步驟一，在磁性金屬層上沉積非磁性金屬層3 ;
步驟二，對(duì)磁性金屬層進(jìn)行刻蝕，使其開口較大，形成多個(gè)分布于非磁性金屬層3上的磁性金屬塊4 ；
步驟三，使用激光刻蝕方式對(duì)非磁性金屬層3上磁性金屬塊4之外的掩膜板開口區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成多個(gè)掩膜板開口 30，制作所需的掩膜板。
[0023]在步驟一中，非磁性金屬層3通過電鑄或者磁控濺射的方式沉積在磁性金屬層上。步驟二包括，形成多行多列的磁性金屬塊4分布于非磁性金屬層3上，如圖3所示，相鄰兩行的各磁性金屬塊4錯(cuò)位排列，相鄰兩列的各磁性金屬塊4錯(cuò)位排列，使磁性金屬塊4在非磁性金屬層3上呈島狀分布，在步驟三中，使每行中相鄰兩個(gè)磁性金屬塊4之間的掩膜板開口區(qū)域形成至少一個(gè)掩膜板開口 30，使每列中相鄰兩個(gè)磁性金屬塊4之間的掩膜板開口區(qū)域形成至少一個(gè)掩膜板開口 30。
[0024]本發(fā)明的復(fù)合掩膜板的制作方法中還可如圖4所示，將磁性金屬層刻蝕成呈網(wǎng)狀分布的磁性金屬塊4，即相鄰兩行或相鄰兩列的磁性金屬塊中，錯(cuò)位排列的兩個(gè)磁性金屬塊4之間通過磁性金屬條5連接，各磁性金屬塊4與連接的磁性金屬條5在非磁性金屬層3上呈網(wǎng)狀分布，每行中相鄰兩個(gè)磁性金屬塊4之間的掩膜板開口區(qū)域設(shè)有至少一個(gè)掩膜板開口 30，每列中相鄰兩個(gè)磁性金屬塊4之間的掩膜板開口區(qū)域設(shè)有至少一個(gè)掩膜板開口 30。
[0025]本發(fā)明中的磁性金屬層厚度為20 μπι?50 μπι，非磁性金屬層的厚度為5 μπι?15 μ m0
[0026]本發(fā)明中的磁性金屬層材質(zhì)可為過渡元素鐵、鈷、鎳或含有其中至少一種的合金等能夠直接或間接產(chǎn)生磁性的物質(zhì)，如Invar材質(zhì)；非磁性金屬層與磁性金屬層材質(zhì)不同，其為不含有過渡元素鐵、鈷、鎳的材料，如鉻(Cr )。
[0027]由于本發(fā)明中采用磁性金屬與非磁性金屬兩種金屬復(fù)合而成，因此即使金屬層較薄，掩膜板仍然具有很高的強(qiáng)度，可以解決傳統(tǒng)技術(shù)中使用金屬復(fù)合有機(jī)膠方式在使用和清洗過程中出現(xiàn)的強(qiáng)度問題；本發(fā)明中兩種金屬通過電鑄或者磁控濺射等方式進(jìn)行復(fù)合，可以解決傳統(tǒng)金屬復(fù)合有機(jī)膠的成膜不均勻性問題；另外，本發(fā)明中用于起支撐作用的磁性材質(zhì)金屬，通過刻蝕的方式進(jìn)行開口，使其呈島狀或者網(wǎng)狀的磁性金屬塊，相較于傳統(tǒng)條狀的磁性金屬材質(zhì)，本發(fā)明的磁性材質(zhì)金屬的支撐強(qiáng)度更大。由于本發(fā)明中的掩膜板開口位于刻蝕后的磁性金屬塊之間，且交錯(cuò)排列，因此可提高掩膜板的開口率及提高ppi。
[0028]以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種復(fù)合掩膜板，其特征在于，其包括有非磁性金屬層及設(shè)置于所述非磁性金屬層上的多個(gè)磁性金屬塊，所述非磁性金屬層上還設(shè)置有掩膜板開口區(qū)域，所述掩膜板開口區(qū)域中設(shè)有掩膜板開口。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩膜板，其特征在于，多個(gè)所述磁性金屬塊呈多行多列分布于所述非磁性金屬層上。
3.如權(quán)利要求2所述的復(fù)合掩膜板，其特征在于，相鄰兩行的各所述磁性金屬塊錯(cuò)位排列，每行中的相鄰兩個(gè)所述磁性金屬塊之間設(shè)有至少一個(gè)所述掩膜板開口。
4.如權(quán)利要求2所述的復(fù)合掩膜板，其特征在于，相鄰兩列的各所述磁性金屬塊錯(cuò)位排列，每列中的相鄰兩個(gè)所述磁性金屬塊之間設(shè)有至少一個(gè)所述掩膜板開口。
5.如權(quán)利要求3或4所述的復(fù)合掩膜板，其特征在于，相鄰兩行或相鄰兩列中錯(cuò)位排列的兩個(gè)所述磁性金屬塊之間通過磁性金屬條連接，各所述磁性金屬塊與所述磁性金屬條在所述非磁性金屬層上呈網(wǎng)狀分布。
6.一種權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩膜板的制作方法，其特征在于，該方法包括: 在磁性金屬層上沉積非磁性金屬層； 對(duì)磁性金屬層進(jìn)行刻蝕，形成多個(gè)分布于所述非磁性金屬層上的磁性金屬塊； 使用激光刻蝕方式對(duì)所述非磁性金屬層上的掩膜板開口區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成多個(gè)掩膜板開口，制作所需的掩膜板。
7.如權(quán)利要求6所述的復(fù)合掩膜板的制作方法，其特征在于，在磁性金屬層上沉積非磁性金屬層的步驟中，是通過電鑄或者磁控濺射的方式在所述磁性金屬層上沉積非磁性金屬層。
8.如權(quán)利要求6所述的復(fù)合掩膜板的制作方法，其特征在于，對(duì)磁性金屬層進(jìn)行刻蝕，形成多個(gè)分布于所述非磁性金屬層上的磁性金屬塊的步驟包括:形成多行多列的磁性金屬塊分布于所述非磁性金屬層上，相鄰兩行的各所述磁性金屬塊錯(cuò)位排列，相鄰兩列的各所述磁性金屬塊錯(cuò)位排列。
9.如權(quán)利要求6所述的復(fù)合掩膜板的制作方法，其特征在于，使用激光刻蝕方式對(duì)所述非磁性金屬層上的掩膜板開口區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成多個(gè)掩膜板開口，制作所需的掩膜板的步驟包括:使每行中相鄰兩個(gè)所述磁性金屬塊之間設(shè)有至少一個(gè)掩膜板開口，使每列中相鄰兩個(gè)所述磁性金屬塊之間設(shè)有至少一個(gè)掩膜板開口。
10.如權(quán)利要求8所述的復(fù)合掩膜板的制作方法，其特征在于，將相鄰兩行或相鄰兩列中錯(cuò)位排列的兩個(gè)所述磁性金屬塊之間通過磁性金屬條連接，所述磁性金屬塊與所述磁性金屬條在所述非磁性金屬層上呈網(wǎng)狀分布。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種復(fù)合掩膜板及其制作方法，該復(fù)合掩膜板包括有非磁性金屬層及設(shè)置于該非磁性金屬層上的多個(gè)磁性金屬塊，該非磁性金屬層上還設(shè)置有掩膜板開口區(qū)域，在該掩膜板開口區(qū)域中設(shè)有多個(gè)掩膜板開口。本發(fā)明的復(fù)合掩膜板由于采用磁性金屬與非磁性金屬兩種金屬復(fù)合而成，具有很高的強(qiáng)度，同時(shí)可提高掩膜板的開口率。
【IPC分類】C23C14-04
【公開號(hào)】CN104561895
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410819007
【發(fā)明人】彭兆基, 張伸福
【申請(qǐng)人】昆山國(guó)顯光電有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2014年12月25日