環(huán)件結(jié)構(gòu)及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及一種環(huán)件結(jié)構(gòu)及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制造中常用到派射沉積(Sputtering Deposit1n, SD)工藝,用于將金屬派射到襯底上以形成薄膜。這種工藝是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposit1n, PVD)中的一種，通過高能量粒子轟擊濺射靶材，使被轟擊的靶材原子或分子離開固體進入氣體，并沉淀積累在待沉積的基底表面上形成薄膜。所述高能量粒子工藝是通過專門的濺射設(shè)備來完成的。
[0003]在濺射過程中，通常在濺射設(shè)備中安置環(huán)件結(jié)構(gòu)，以約束濺射粒子的運動軌跡，也就是說，所述環(huán)件結(jié)構(gòu)在濺射過程中起到聚焦高能量粒子的作用。
[0004]所述環(huán)件結(jié)構(gòu)通過若干凸起的連接部(knob)與派射設(shè)備相連接。
[0005]由于在濺射過程中，環(huán)件結(jié)構(gòu)上會留有濺射產(chǎn)生的顆粒物，尤其是停留在所述連接部上。這些顆粒物在環(huán)件結(jié)構(gòu)上聚集到一定程度后會發(fā)生剝落現(xiàn)象(peeling)，剝落的沉積物不僅會影響濺射環(huán)境，還容易掉落在濺射表面上，導(dǎo)致產(chǎn)品產(chǎn)生缺陷甚至報廢。
[0006]為此，如何盡量避免連接部上發(fā)生沉積物剝落現(xiàn)象，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明解決的問題是提供一種環(huán)件結(jié)構(gòu)及其制造方法，以增加所述連接不得粗糙程度以使吸附沉積物的能力變強，進而盡量避免發(fā)生剝落現(xiàn)象。
[0008]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種環(huán)件結(jié)構(gòu)，包括:
[0009]環(huán)件；
[0010]固定于所述環(huán)件上的若干圓柱狀的連接部，所述連接部的側(cè)壁上設(shè)有滾花形成的網(wǎng)紋。
[0011]可選的，所述環(huán)件以及連接部的材料為鉭。
[0012]可選的，所述環(huán)件以及連接部之間為焊接連接。
[0013]可選的，所述網(wǎng)紋的粗糙度在10?65微米的范圍內(nèi)。
[0014]可選的，所述網(wǎng)紋的深度在0.1?0.8毫米的范圍內(nèi)。
[0015]可選的，所述網(wǎng)紋為相互交叉的溝槽形成的菱形網(wǎng)紋。
[0016]可選的，所述網(wǎng)紋的疏密程度在25?80TPI的范圍內(nèi)。
[0017]此外，本發(fā)明還提供一種環(huán)件結(jié)構(gòu)的制造方法，包括:
[0018]提供環(huán)件；
[0019]形成圓柱狀的連接部，所述連接部的側(cè)壁形成有網(wǎng)紋；
[0020]將若干所述連接部固定于所述環(huán)件上。
[0021]可選的，提供環(huán)件的步驟包括:提供鉭環(huán)件。
[0022]可選的，提供連接部的步驟包括:提供鉭連接部。
[0023]可選的，形成連接部的步驟包括:
[0024]提供鉭棒；
[0025]去除所述鉭棒的端部的部分材料，以在所述鉭棒的端部形成直徑小于鉭棒的圓柱；
[0026]對所述圓柱進行滾花處理，以在圓柱的側(cè)壁形成所述網(wǎng)紋；
[0027]去除部分鉭棒，剩余的鉭棒以及圓柱形成所述連接部。
[0028]可選的，進行滾花處理的步驟包括:使形成的網(wǎng)紋的粗糙度在10?65微米的范圍內(nèi)。
[0029]可選的，進行滾花處理的步驟包括:使形成的網(wǎng)紋的深度在0.1?0.8毫米的范圍內(nèi)。
[0030]可選的，進行滾花處理的步驟包括:滾花處理的滾花壓降量在0.4?1.0毫米的范圍內(nèi)。
[0031]可選的，進行滾花處理的步驟包括:通過滾花處理在圓柱的側(cè)壁上形成相互交叉的溝槽，使形成的網(wǎng)紋呈菱形。
[0032]可選的，所述的呈菱形的網(wǎng)紋的深度在0.1?0.8毫米的范圍內(nèi)。
[0033]可選的，將連接部固定于環(huán)件的步驟包括:通過焊接的方式將所述連接部固定于所述環(huán)件上。
[0034]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點:
[0035]通過對所述連接部滾花處理以形成網(wǎng)紋，增加了連接部表面的粗糙程度，所述的網(wǎng)紋能夠駐留一定量的沉積物，也就是說，增加了連接部吸附沉積物的能力，進而減小了連接部上發(fā)生剝落現(xiàn)象的幾率。此外，網(wǎng)紋中駐留的沉積物不容易被濺射過程中的濺射原子影響，進一步避免了連接部上的沉積物發(fā)生剝落現(xiàn)象。
[0036]進一步，形成菱形的網(wǎng)紋能夠進一步增強連接部的表面的吸附沉積物的能力。
【附圖說明】
[0037]圖1至圖4是本發(fā)明環(huán)件結(jié)構(gòu)一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖5為本發(fā)明環(huán)件結(jié)構(gòu)的制造方法在一實施例的流程示意圖；
[0039]圖6至圖9為形成的所述連接部在各個步驟中的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0040]由于在進行濺射沉積的過程中，在濺射設(shè)備內(nèi)的環(huán)件的連接部(knob)上會留有一定量的沉積物，這些沉積物在附著到一定程度時容易發(fā)生剝落現(xiàn)象，剝落的沉積物會影響濺射環(huán)境以及產(chǎn)品質(zhì)量。
[0041]為此，本發(fā)明提供一種環(huán)件結(jié)構(gòu)，以盡量避免連接部上的沉積物發(fā)生剝落現(xiàn)象。參考圖1以及圖2，為本發(fā)明的環(huán)件結(jié)構(gòu)在實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，包括:
[0042]環(huán)件100 ；
[0043]固定于所述環(huán)件100上的若干圓柱狀的連接部110，所述連接部110的側(cè)壁上設(shè)有滾花形成的網(wǎng)紋112 (參考圖2)。
[0044]在本實施例中，所述環(huán)件100以及連接部110均采用鉭(Ta)作為材料，但是本發(fā)明對100以及連接部110的材料不作限制。
[0045]所述環(huán)件100通過所述連接部110安置在濺射設(shè)備中。
[0046]所述連接部110包括環(huán)形凸臺114以及同軸設(shè)于所述環(huán)形凸臺114上的圓柱111，其中:
[0047]所述環(huán)形凸臺114用于將所述連接部110與所述環(huán)件100連接；在本實施例中，所述環(huán)形凸臺114與所述環(huán)件100為焊接連接，也就是說，所述連接部110與所述環(huán)件100為焊接連接。
[0048]結(jié)合參考圖3，當(dāng)所述連接部110安裝于所述環(huán)件100后，所述環(huán)形凸臺114嵌入所述環(huán)件100中。
[0049]結(jié)合參考圖4，圓柱111的側(cè)壁設(shè)有所述網(wǎng)紋112。
[0050]設(shè)置所述網(wǎng)紋112的好處在于:
[0051]一方面，所述網(wǎng)紋112增加了所述連接部110表面的粗糙度，在濺射過程中，網(wǎng)紋112的縫隙或者溝槽具有一定的深度以及寬度，可以容納并吸附較多的沉積物50，從而盡量避免沉積物發(fā)生剝落現(xiàn)象。
[0052]另一方面，由于濺射原子的撞擊可能促使沉積物發(fā)生剝落現(xiàn)象，然而在本發(fā)明中，沉積物50掉落并駐留在網(wǎng)紋112的紋路的縫隙或者溝槽中，在濺射過程中的濺射原子不容易打到沉積物50上，也就是說，附著在網(wǎng)紋112上的沉積物50不容易受到濺射的原子的影響，從而進一步減小了附著的沉積物50發(fā)生剝落現(xiàn)象的幾率。
[0053]綜上所述，本發(fā)明的環(huán)件結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于濺射強度較大的工藝中，而不會發(fā)生沉積物剝落的現(xiàn)象，同時也使得環(huán)件結(jié)構(gòu)能夠得到多次重復(fù)使用，節(jié)約了成本。
[0054]由于鉭金屬的質(zhì)地較為堅硬，鑒于對于鉭金屬的滾花加工難度較大，在本實施例中，使所述網(wǎng)紋的粗糙度在10?65微米的范圍內(nèi)，網(wǎng)紋112的深度在0.1?0.8毫米的范圍內(nèi)，這樣的好處在于，在保證圓柱111表面具有一定的粗糙度的同時，盡量不增加滾花工藝的難度，以便于網(wǎng)紋112的加工。
[0055]同時，在本實施例