施例的俯視示意圖；
[0026]圖7為測(cè)溫探頭和彈性部件的配合示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的可實(shí)時(shí)監(jiān)控晶片溫度的壓環(huán)系統(tǒng)及磁控濺射設(shè)備進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用于解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0028]參照?qǐng)D5至圖7，本發(fā)明的可實(shí)時(shí)監(jiān)控晶片溫度的壓環(huán)系統(tǒng)一實(shí)施例，應(yīng)用在磁控濺射設(shè)備上，壓環(huán)系統(tǒng)包括晶片壓環(huán)13、彈性測(cè)溫臂22和用于測(cè)量晶片11溫度的測(cè)溫探頭23，彈性測(cè)溫臂22的一端固定在晶片壓環(huán)13上，彈性測(cè)溫臂22的另一端懸空，彈性測(cè)溫臂22為中空的管狀，晶片壓環(huán)13上設(shè)置通孔，所述通孔連通彈性測(cè)溫臂22的中空部分，測(cè)溫探頭23設(shè)置在彈性測(cè)溫臂22的中空部分，置于彈性測(cè)溫臂22的懸空的一端，測(cè)溫探頭23的導(dǎo)線16先后貫穿彈性測(cè)溫臂22的中空部分和晶片壓環(huán)13的所述通孔而延伸至晶片壓環(huán)13的外側(cè)。
[0029]彈性測(cè)溫臂22的形狀為L(zhǎng)形，彈性測(cè)溫臂22優(yōu)選金屬管。在彈性測(cè)溫臂22的中空部分設(shè)置彈性部件25，彈性部件25用于抵接測(cè)溫探頭23，使得測(cè)溫探頭23在彈性部件25的彈力作用下能夠部分地伸出彈性測(cè)溫臂22，這樣在測(cè)溫時(shí)可以通過(guò)彈性測(cè)溫臂22和彈性部件25共同將測(cè)溫探頭23緊密的接觸晶片11，同時(shí)保證熱測(cè)溫探頭23及測(cè)溫探頭的導(dǎo)線16不受到腔室內(nèi)濺射出的粒子影響，測(cè)溫精度更高，可靠性更強(qiáng)。彈性部件25為彈簧或彈片。
[0030]晶片11由加熱底座20支撐和加熱，加熱底座20和測(cè)溫探頭23分別與溫控器24電連接，測(cè)溫探頭23在工藝過(guò)程中實(shí)時(shí)監(jiān)控晶片的溫度，溫控器24根據(jù)晶片11的溫度通過(guò)調(diào)整加熱底座20的輸出功率達(dá)到調(diào)整晶片11表面溫度的作用。
[0031]作為一種可實(shí)施方式，彈性測(cè)溫臂22的數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)彈性測(cè)溫臂22間隔設(shè)置在晶片壓環(huán)13上。多個(gè)彈性測(cè)溫臂22的長(zhǎng)度不相同。在晶片壓環(huán)13上安裝不同長(zhǎng)度的彈性測(cè)溫臂22，這樣可以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片11不同區(qū)域的溫度監(jiān)控。當(dāng)然，多個(gè)彈性測(cè)溫臂22的長(zhǎng)度也可完全相同。在彈性測(cè)溫臂22上套設(shè)護(hù)套(未示出)，用以保護(hù)測(cè)溫探頭23和測(cè)溫探頭的導(dǎo)線16免受等離子體的干擾。
[0032]上述實(shí)施例的壓環(huán)系統(tǒng)應(yīng)用在磁控濺射設(shè)備上，由于磁控濺射設(shè)備除壓環(huán)系統(tǒng)為均為現(xiàn)有技術(shù)，此處不再一一贅述。
[0033]以上實(shí)施例的可實(shí)時(shí)監(jiān)控晶片溫度的壓環(huán)系統(tǒng)及磁控濺射設(shè)備，實(shí)現(xiàn)在不破壞腔室真空的條件下從腔室內(nèi)部引出測(cè)溫探頭的導(dǎo)線，從而保證薄膜沉積環(huán)境不受污染，測(cè)溫更加真實(shí)。測(cè)溫探頭和測(cè)溫探頭的導(dǎo)線均不會(huì)暴露在薄膜沉積產(chǎn)生的等離子體內(nèi)，保證熱測(cè)溫探頭及測(cè)溫探頭的導(dǎo)線不受到腔室內(nèi)濺射出的粒子影響，極大增強(qiáng)了測(cè)溫探頭的使用壽命及測(cè)溫準(zhǔn)確性。在測(cè)溫時(shí)通過(guò)彈性的測(cè)溫臂和彈性部件共同將測(cè)溫探頭緊密的接觸晶片，測(cè)溫精度更高，可靠性更強(qiáng)。通過(guò)連接加熱底座控制系統(tǒng)，可以實(shí)現(xiàn)晶片溫度的實(shí)時(shí)控制。在實(shí)現(xiàn)檢測(cè)晶片溫度的同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)溫度的控制。另外，溫控器分別與測(cè)溫探頭與加熱底座相連，實(shí)現(xiàn)對(duì)加熱底座加熱功率的有效控制，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片表面的溫度進(jìn)行控制。
[0034]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種可實(shí)時(shí)監(jiān)控晶片溫度的壓環(huán)系統(tǒng)，應(yīng)用在磁控濺射設(shè)備上，所述壓環(huán)系統(tǒng)包括晶片壓環(huán)，其特征在于: 還包括彈性測(cè)溫臂和用于測(cè)量晶片溫度的測(cè)溫探頭，所述彈性測(cè)溫臂的一端固定在所述晶片壓環(huán)上，所述彈性測(cè)溫臂的另一端懸空，所述彈性測(cè)溫臂為中空的管狀，所述晶片壓環(huán)上設(shè)置通孔，所述通孔連通所述彈性測(cè)溫臂的中空部分； 所述測(cè)溫探頭設(shè)置在所述彈性測(cè)溫臂的中空部分，置于所述彈性測(cè)溫臂的懸空的一端，所述測(cè)溫探頭的導(dǎo)線先后貫穿所述彈性測(cè)溫臂的中空部分和所述晶片壓環(huán)的所述通孔而延伸至所述晶片壓環(huán)的外側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可實(shí)時(shí)監(jiān)控晶片溫度的壓環(huán)系統(tǒng)，其特征在于: 所述彈性測(cè)溫臂的形狀為L(zhǎng)形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可實(shí)時(shí)監(jiān)控晶片溫度的壓環(huán)系統(tǒng)，其特征在于: 還包括彈性部件，所述彈性部件設(shè)置在所述彈性測(cè)溫臂的中空部分，用于抵接所述測(cè)溫探頭，使得所述測(cè)溫探頭在所述彈性部件的彈力作用下能夠部分地伸出所述彈性測(cè)溫臂。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可實(shí)時(shí)監(jiān)控晶片溫度的壓環(huán)系統(tǒng)，其特征在于: 所述彈性部件為彈簧或彈片。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可實(shí)時(shí)監(jiān)控晶片溫度的壓環(huán)系統(tǒng)，其特征在于: 還包括護(hù)套，所述護(hù)套套設(shè)在所述彈性測(cè)溫臂上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的可實(shí)時(shí)監(jiān)控晶片溫度的壓環(huán)系統(tǒng)，其特征在于: 所述彈性測(cè)溫臂的數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)所述彈性測(cè)溫臂間隔設(shè)置在所述晶片壓環(huán)上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可實(shí)時(shí)監(jiān)控晶片溫度的壓環(huán)系統(tǒng)，其特征在于: 多個(gè)所述彈性測(cè)溫臂的長(zhǎng)度不相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可實(shí)時(shí)監(jiān)控晶片溫度的壓環(huán)系統(tǒng)，其特征在于: 所述彈性測(cè)溫臂為金屬管。
9.一種磁控派射設(shè)備,其特征在于: 包括權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的可實(shí)時(shí)監(jiān)控晶片溫度的壓環(huán)系統(tǒng)。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種可實(shí)時(shí)監(jiān)控晶片溫度的壓環(huán)系統(tǒng)，應(yīng)用在磁控濺射設(shè)備上，壓環(huán)系統(tǒng)包括晶片壓環(huán)、彈性測(cè)溫臂和用于測(cè)量晶片溫度的測(cè)溫探頭，彈性測(cè)溫臂的一端固定在晶片壓環(huán)上，彈性測(cè)溫臂的另一端懸空，彈性測(cè)溫臂為中空的管狀，晶片壓環(huán)上設(shè)置通孔，所述通孔連通彈性測(cè)溫臂的中空部分，測(cè)溫探頭設(shè)置在彈性測(cè)溫臂的中空部分，置于彈性測(cè)溫臂的懸空的一端，測(cè)溫探頭的導(dǎo)線先后貫穿彈性測(cè)溫臂的中空部分和晶片壓環(huán)的所述通孔而延伸至晶片壓環(huán)的外側(cè)。還涉及一種磁控濺射設(shè)備。本發(fā)明的可實(shí)時(shí)監(jiān)控晶片溫度的壓環(huán)系統(tǒng)及磁控濺射設(shè)備，實(shí)現(xiàn)在不破壞腔室真空的條件下從腔室內(nèi)部引出測(cè)溫探頭的導(dǎo)線，從而保證薄膜沉積環(huán)境不受污染，且測(cè)溫更加真實(shí)。
【IPC分類】C23C14-54, C23C14-35
【公開(kāi)號(hào)】CN104746028
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310753210
【發(fā)明人】耿波, 王寬冒, 蔣秉軒, 郭萬(wàn)國(guó)
【申請(qǐng)人】北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
【公開(kāi)日】2015年7月1日
【申請(qǐng)日】2013年12月31日