。
【附圖說明】
[0018]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的磁控濺射設備的簡圖；
[0019]圖2為現(xiàn)有技術(shù)的升降針系統(tǒng)示意圖；
[0020]圖3為現(xiàn)有技術(shù)的升降針系統(tǒng)在晶片處于傳輸位示意圖；
[0021]圖4為現(xiàn)有技術(shù)的升降針系統(tǒng)在晶片處于工藝位的示意圖；
[0022]圖5為本發(fā)明的升降針系統(tǒng)一實施例示意圖；
[0023]圖6為測溫探頭與彈性部件的配合示意圖。
【具體實施方式】
[0024]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明的可實時監(jiān)控晶片溫度的升降針系統(tǒng)及磁控濺射設備進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用于解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0025]參照圖5和圖6，本發(fā)明的可實時監(jiān)控晶片溫度的升降針系統(tǒng)一實施例，應用在磁控濺射設備上，升降針系統(tǒng)包括測溫探頭24、彈性部件26、用于升降晶片的晶片升降針19和用于支撐固定晶片升降針19的升降針支撐件21，晶片升降針19為空心管狀，晶片升降針19的下端固定在升降針支撐件21上，測溫探頭24和彈性部件26均設置在晶片升降針19的空心內(nèi)，測溫探頭24的下端與彈性部件26抵接，使得測溫探頭24在彈性部件26的彈力作用下能夠部分地伸出晶片升降針19，測溫探頭24的導線16從晶片升降針19的下端伸出。彈性部件26為彈簧或彈片，測溫探頭24的形狀為圓柱狀平頂探頭，也可為圓頂探頭，測溫探頭24可采用熱電偶探頭。
[0026]升降針系統(tǒng)還包括用于驅(qū)動升降針支撐件21升降的升降裝置(未示出)，升降針支撐件21在升降裝置的驅(qū)動下帶動晶片升降針19上下移動。優(yōu)選地，升降針系統(tǒng)還包括用于加熱晶片11的加熱底座20，加熱底座20上設置導向孔，晶片升降針19置于所述導向孔內(nèi)，能夠在所述導向孔內(nèi)相對加熱底座20上下運動。加熱底座20和測溫探頭24分別與溫控器23電連接，溫控器23用于控制加熱底座20的溫度。
[0027]作為一種可實施方式，晶片升降針19的數(shù)量為三個以上，三個以上晶片升降針19間隔設置在升降針支撐件21上，使得晶片11被支撐的更加穩(wěn)定。
[0028]以上實施例的升降針系統(tǒng)應用在磁控濺射設備上，由于該磁控濺射設備除升降針系統(tǒng)外均為現(xiàn)有技術(shù)，此處不再一一贅述。
[0029]以上實施例的可實時監(jiān)控晶片溫度的升降針系統(tǒng)及磁控濺射設備，不僅能夠滿足晶片的傳輸任務需求，而且實現(xiàn)晶片在傳輸過程以及工藝過程中的溫度控制，升降針系統(tǒng)很好的將晶片傳輸系統(tǒng)與晶片控溫系統(tǒng)整合在一起，實現(xiàn)了多重功能。在整個的測溫及控溫過程中，升降針在彈性部件的彈力作用下實現(xiàn)晶片與測溫探頭的緊密接觸，從而增加測量的精確度。另外，升降針系統(tǒng)的所有部件均在真空狀態(tài)下，不與等離子體15接觸，不存在等離子體15污染測溫探頭的問題。測溫探頭和加熱底座分別與控制器連接，使得溫控器實時根據(jù)測溫探頭測得的晶片溫度而控制加熱底座的功率調(diào)整，從而保證工藝過程中對晶片溫度的控制。
[0030]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權(quán)利要求為準。
【主權(quán)項】
1.一種可實時監(jiān)控晶片溫度的升降針系統(tǒng)，應用在磁控濺射設備上，包括用于升降晶片的晶片升降針和用于支撐固定所述晶片升降針的升降針支撐件，其特征在于: 還包括測溫探頭和彈性部件； 所述晶片升降針為空心管狀，所述晶片升降針的下端固定在所述升降針支撐件上，所述測溫探頭和所述彈性部件均設置在所述晶片升降針的空心內(nèi)，所述測溫探頭的下端與所述彈性部件抵接，使得所述測溫探頭在所述彈性部件的彈力作用下能夠部分地伸出所述晶片升降針，所述測溫探頭的導線從所述晶片升降針的下端伸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可實時監(jiān)控晶片溫度的升降針系統(tǒng)，其特征在于: 所述晶片升降針的數(shù)量為三個以上，三個以上所述晶片升降針間隔設置在所述升降針支撐件上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可實時監(jiān)控晶片溫度的升降針系統(tǒng)，其特征在于: 所述測溫探頭的形狀為圓柱狀平頂探頭或圓柱狀圓頂探頭。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可實時監(jiān)控晶片溫度的升降針系統(tǒng)，其特征在于: 所述彈性部件為彈簧或彈片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的可實時監(jiān)控晶片溫度的升降針系統(tǒng)，其特征在于: 還包括用于驅(qū)動所述升降針支撐件升降的升降裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的可實時監(jiān)控晶片溫度的升降針系統(tǒng)，其特征在于: 還包括用于加熱晶片的加熱底座，所述加熱底座上設置導向孔，所述晶片升降針置于所述導向孔內(nèi)，能夠在所述導向孔內(nèi)相對所述加熱底座上下運動。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可實時監(jiān)控晶片溫度的升降針系統(tǒng)，其特征在于: 還包括溫控器，所述溫控器分別與所述加熱底座和所述測溫探頭電連接，所述溫控器用于控制所述加熱底座的溫度。
8.—種磁控派射設備,其特征在于: 包括權(quán)利要求1-7任一項所述的可實時監(jiān)控晶片溫度的升降針系統(tǒng)。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種可實時監(jiān)控晶片溫度的升降針系統(tǒng)，應用在磁控濺射設備上，包括測溫探頭、彈性部件、用于升降晶片的晶片升降針和用于支撐固定晶片升降針的升降針支撐件，晶片升降針為空心管狀，晶片升降針的下端固定在升降針支撐件上，測溫探頭和彈性部件均設置在晶片升降針的空心內(nèi)，測溫探頭的下端與彈性部件抵接，使得測溫探頭在彈性部件的彈力作用下能夠部分地伸出晶片升降針，測溫探頭的導線從晶片升降針的下端伸出。還涉及一種磁控濺射設備。本發(fā)明的可實時監(jiān)控晶片溫度的升降針系統(tǒng)及磁控濺射設備，在整個的測溫及控溫過程中，升降針在彈性部件的彈力作用下實現(xiàn)晶片與測溫探頭的緊密接觸，從而增加測量的精確度。
【IPC分類】C23C14-35, C23C14-54
【公開號】CN104746035
【申請?zhí)枴緾N201310753030
【發(fā)明人】耿波, 張同文, 常大磊
【申請人】北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
【公開日】2015年7月1日
【申請日】2013年12月31日