一種中高溫槽式集熱鋁基反射膜的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于鋁材鍍膜領(lǐng)域，具體涉及了一種中高溫槽式集熱鋁基反射膜的制備方 法。
【背景技術(shù)】
[0002] 根據(jù)太陽能中高溫集熱系統(tǒng)發(fā)展的現(xiàn)狀，各種集熱和儲熱元件得到廣泛的應(yīng)用， 其中槽式集熱器的聚光反射膜在整個系統(tǒng)中起到很重要的作用，根據(jù)材質(zhì)情況，現(xiàn)有反射 板可分為低鐵鋼化玻璃鍍膜、鋁基鍍膜反射板、不銹鋼拋光板以及鍍銀高分子聚合物薄膜 四種原材料，鋼化玻璃反射板價高，重量大，基礎(chǔ)要求嚴(yán)格，除非在大型槽式集熱系統(tǒng)中。而 不銹鋼拋光板反射率不高，基本采用的很少。高分子聚合材料是最近幾年從國外引進(jìn)的高 反射率鍍膜材料，其反射率的高低受覆膜工藝的影響較大，并且會出現(xiàn)膜層剝離的現(xiàn)象。因 此急需造價低，質(zhì)量好的鋁基鍍膜反射板。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，設(shè)計了一種中高溫槽式集熱鋁基反射膜的制備 方法。
[0004] 本發(fā)明采用的技術(shù)方案是，一種中高溫槽式集熱鋁基反射膜的制備方法，其特征 在于：所述的制備方法的步驟如下：
[0005] a、對鋁基材進(jìn)行清洗；
[0006] b、進(jìn)行鈍化；
[0007] c、再清洗；
[0008] d、烘干；
[0009] e、磁控濺射鍍膜機(jī)與銀靶、硅靶，抽真空至5X KT3Pa,在真空室加氬氣維持壓強(qiáng) 3 X KT1Pa,啟銀靶濺射五分鐘鍍膜厚100納米，停銀靶啟硅靶濺射十分鐘鍍膜厚50納米； [0010] f、包覆靜電保護(hù)膜后包裝成品。
[0011] 本發(fā)明的有益效果是，采用小尺寸單體鍍膜工藝，更有利于高真空、高溫鍍膜，可 根據(jù)工程情況截取相應(yīng)尺寸基板進(jìn)行鍍膜和保護(hù)，膜層發(fā)射率可達(dá)到94 %左右，重量輕，使 用壽命長，適合小型槽式聚光反射板，主要應(yīng)用于中溫集熱。集中表現(xiàn)在：
[0012] 1、鋁基板，重量輕，抗氧化，表面光滑，可根據(jù)工程情況裁剪尺寸和彎折任意角度 和弧度。
[0013] 2、銀反射鍍膜：銀反射膜層的反射率可達(dá)到99. 2%，反射率高，和鋁基板結(jié)合好。
[0014] 3、氧化硅鍍膜：硬度高，耐磨損，抗腐蝕，耐高溫且不易傳熱，本身具有潤滑性，透 光率高。
【具體實施方式】
[0015] 本發(fā)明在具體實施時，
[0016] -種中高溫槽式集熱鋁基反射膜的制備方法，其特征在于：所述的制備方法的步 驟如下：
[0017] a、對鋁基材進(jìn)行清洗；
[0018] b、進(jìn)行鈍化；
[0019] c、再清洗；
[0020] d、烘干；
[0021] e、磁控濺射鍍膜機(jī)與銀靶、硅靶，抽真空至5X KT3Pa,在真空室加氬氣維持壓強(qiáng) 3 X KT1Pa,啟銀靶濺射五分鐘鍍膜厚100納米，停銀靶啟硅靶濺射十分鐘鍍膜厚50納米；
[0022] f、包覆靜電保護(hù)膜后包裝成品。
[0023] 所述的a步驟中，清洗方式先超聲波清洗30分鐘，再沖洗5分鐘。
[0024] 所述的b步驟中，鈍化的時間為6分鐘。
[0025] 鋁基材清洗（超聲波清洗30分鐘）一沖洗一鈍化五分鐘一沖洗一烘干一鍍膜一 覆保護(hù)膜（靜電膜）一包裝。
[0026]
[0027] 通過以上數(shù)據(jù)證明鋁基反射膜的反射率最高。
【主權(quán)項】
1. 一種中高溫槽式集熱鋁基反射膜的制備方法，其特征在于：所述的制備方法的步驟 如下： a、 對鋁基材進(jìn)行清洗； b、 進(jìn)行鈍化； c、 再清洗； d、 烘干； e、 磁控濺射鍍膜機(jī)與銀靶、硅靶，抽真空至5XKT3Pa,在真空室加氬氣維持壓強(qiáng) 3XKT1Pa,啟銀靶濺射五分鐘鍍膜厚100納米，停銀靶啟硅靶濺射十分鐘鍍膜厚50納米； f、 包覆靜電保護(hù)膜后包裝成品。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中高溫槽式集熱鋁基反射膜的制備方法，其特征在于： 所述的a步驟中，清洗方式先超聲波清洗30分鐘，再沖洗5分鐘。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中高溫槽式集熱鋁基反射膜的制備方法，其特征在于： 所述的b步驟中，鈍化的時間為6分鐘。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種中高溫槽式集熱鋁基反射膜的制備方法，步驟如下：a、對鋁基材進(jìn)行清洗；b、進(jìn)行鈍化；c、再清洗；d、烘干；e、磁控濺射鍍膜機(jī)與銀靶、硅靶，抽真空至5×10-3Pa，在真空室加氬氣維持壓強(qiáng)3×10-1Pa，啟銀靶濺射五分鐘鍍膜厚100納米，停銀靶啟硅靶濺射十分鐘鍍膜厚50納米；f、包覆靜電保護(hù)膜后包裝成品。本發(fā)明的有益效果是，采用小尺寸單體鍍膜工藝，更有利于高真空、高溫鍍膜，可根據(jù)工程情況截取相應(yīng)尺寸基板進(jìn)行鍍膜和保護(hù)，膜層發(fā)射率可達(dá)到94％左右，重量輕，使用壽命長，適合小型槽式聚光反射板，主要應(yīng)用于中溫集熱。
【IPC分類】C23C14/35
【公開號】CN104911557
【申請?zhí)枴緾N201510390104
【發(fā)明人】司紅慶, 張少寧, 張連君
【申請人】圣春新能源科技有限公司
【公開日】2015年9月16日
【申請日】2015年7月6日