搬送晶片的方式進行動作。搬送機器人RB2以在清洗部CL2A、CL2B、暫置臺WS3、清洗部CL3A、CL3B之間搬送晶片的方式進行動作。搬送機器人RB2僅搬送清洗后的晶片，因此僅具備I個機械手。搬送機器人22從清洗部CL3A、CL3B取出晶片，且將該晶片送回至晶片盒。
[0079]<基板的待機狀態(tài)的削減>
[0080]接著，說明在從研磨處理開始起直到清洗處理結(jié)束為止的期間的基板的待機狀態(tài)的削減。
[0081]首先，說明產(chǎn)生基板的待機狀態(tài)的原因。圖2、圖3是表示從晶片被投入至CMP裝置起直到清洗處理結(jié)束為止的期間的晶片搬送路徑的一例的圖。在圖2、圖3中，對于在各處理部間搬送晶片的搬送單元，簡化說明。
[0082]如圖2、圖3所示，在本實施方式中，研磨處理及清洗處理分別處于2個系統(tǒng)。因此，晶片搬送路徑的自由度變高。此外，如圖2、圖3所示，也可以是未進行研磨處理而進行清洗處理的選單(recipe)。此外，如圖3所示，也可以是在清洗部CL2A結(jié)束清洗處理之后暫時返回而被搬送至其他系統(tǒng)的清洗部CL2B等復(fù)雜的晶片搬送路徑。
[0083]這樣一來，在清洗單元4具有可并列進行清洗處理的多個清洗部的情況下，在清洗單元內(nèi)的晶片搬送路徑會復(fù)雜化。其結(jié)果是，有可能在清洗單元內(nèi)產(chǎn)生晶片的待機狀態(tài)。當在清洗單元內(nèi)暫時產(chǎn)生晶片的待機狀態(tài)時，有可能在預(yù)定通過該晶片所處的場所的后續(xù)晶片也產(chǎn)生待機狀態(tài)。
[0084]相對于此，在本實施方式中，控制部5以從晶片被投入至CMP裝置起直到清洗處理結(jié)束為止都不會產(chǎn)生待機狀態(tài)的方式制作時刻表。時刻表是按每個投入至CMP裝置的多個晶片，將研磨部、清洗部、及搬送部中的處理結(jié)束時刻或處理結(jié)束預(yù)定時刻建立了對應(yīng)關(guān)系的表。控制部5根據(jù)時刻表來控制多個晶片對CMP裝置的投入時序。
[0085]關(guān)于這一點，連同CMP裝置的全體動作一起詳細說明。圖4是表示本實施方式的CMP裝置的動作的流程圖。如圖4所示，控制部5首先根據(jù)選單預(yù)測針對投入至CMP裝置的全部晶片的搬送路徑(步驟S101)。
[0086]接著，控制部5預(yù)測針對投入至CMP裝置的全部晶片的動作時間(步驟S102)。具體而言，控制部5根據(jù)選單所設(shè)定的預(yù)測時間、或過去的實際的值，預(yù)測針對各晶片的動作時間。該動作時間的預(yù)測在制作時刻表時被使用。即，控制部5根據(jù)在研磨部及清洗部的至少一方中處理所需時間和在搬送部中由研磨單元3搬送至清洗單元4的搬送處理所需時間的過去的實際的值，來制作時刻表。
[0087]接著，控制部5根據(jù)在步驟S102中所預(yù)測到的各晶片的動作時間，計算各晶片到達各處理部(研磨部、搬送部、及清洗部)的到達時刻(步驟S103)。接著，控制部5計算各晶片在各處理部的待機時間(步驟S104)。
[0088]關(guān)于這一點，使用附圖來說明。圖5是用于說明時刻表的制作過程的概略圖。圖5是表示針對晶片I?晶片3，已經(jīng)制作時刻表，且制作針對新投入至CMP裝置的晶片4的時刻表的過程。
[0089]如圖5所示，在時刻表210中，按每個晶片I?晶片3，將研磨部(Pol1.A)、清洗部(CL1A、CL2A)、及搬送部(LTP3、WS1、RB1L、RB1U)中的處理結(jié)束時刻或處理結(jié)束預(yù)定時刻建立了對應(yīng)關(guān)系。另一方面，在制作針對新投入至CMP裝置的晶片4的時刻表時，控制部5計算新投入的晶片4對研磨部、清洗部、及搬送部的假定到達時刻。假定到達時刻表220中，將晶片4到達研磨部(Pol1.A)、清洗部(CL1A、CL2A)、及搬送部(LTP3、WS1、RB1L、RB1U)的到達預(yù)定時刻建立了對應(yīng)關(guān)系。
[0090]控制部5對假定到達時刻(假定到達時刻表220)、及先投入至CMP裝置的晶片的研磨部、清洗部、及搬送部中的處理結(jié)束時刻或處理結(jié)束預(yù)定時刻(時刻表210)進行比較。例如在該例中，控制部5對晶片3在RBlU中的處理結(jié)束預(yù)定時刻(O:04:35)、與在RBlU中的處理相競爭的處理部即WSl中的到達預(yù)定時刻(0:04:10)進行比較。其結(jié)果是，在WSl中的到達預(yù)定時刻快25秒。換言之，按照假定到達時刻表220，將晶片4投入至CMP裝置時，晶片4在WSl待機25秒。此外，所謂相競爭的處理部是例如WSl與RBlU那樣為了供一方的處理部(WSl)進行動作(為了搬送晶片而進行交接)、另一方的處理部(RBlU)的動作(從WSl接收晶片)成為必要的關(guān)系的處理部。
[0091]如圖4所示，控制部5判定是否有待機時間(步驟S105)。在有待機時間時(步驟S105，Yes)，控制部5檢索等待時間為最長的處理部(步驟S106)。
[0092]例如，在圖5的例中，如上所述地在晶片3的RBlU與晶片4的WSl的相關(guān)的處理部之間會產(chǎn)生25秒的待機時間。除此之外，控制部5對晶片3在CLlA中的處理預(yù)定時刻(O:04:30)與晶片4在CLlA中的到達時刻(O:04:15)進行比較。其結(jié)果是，在CLlA中的到達預(yù)定時刻快15秒，因此會產(chǎn)生15秒的待機時間。
[0093]此時，控制部5識別為最長等待時間為25秒，等待時間為最長的處理部是晶片4的WSl。換言之，在存在多個(例如15秒與25秒)較快的假定到達時刻時，控制部5將較快的假定到達時刻與處理結(jié)束時刻或處理結(jié)束預(yù)定時刻之差為最大的假定到達時刻與處理結(jié)束時刻或處理結(jié)束預(yù)定時刻之差(25秒)，相加至到達研磨部、清洗部、及搬送部的假定到達時刻，由此來制作實際到達時刻。
[0094]接著，如圖4所示，控制部5通過將最長等待時間對假定到達時刻表220進行積算，來制作實際到達時刻表230 (步驟S107)。即，如圖5所示，控制部5將最長等待時間(25秒)相加到假定到達時刻表220的各處理部。例如，晶片4到達LTP3的到達時刻在假定到達時刻表220中為O:04:00，但是在實際到達時刻表230中為O:04:25。此外，晶片4到達WSl的到達時刻在假定到達時刻表220中為O:04:10，但是在實際到達時刻表230中為O:04:35o
[0095]這樣一來，在相同或相競爭的處理部中具有比處理結(jié)束時刻或處理結(jié)束預(yù)定時刻快的假定到達時刻的情況下，控制部5將較快的假定到達時刻與處理結(jié)束時刻或處理結(jié)束預(yù)定時刻之差，相加到到達研磨部、清洗部、及搬送部的假定到達時刻，由此來制作實際到達時刻。
[0096]接著，如圖4所示，控制部5根據(jù)在步驟S107中所制作的實際到達時刻(實際到達時刻表230)制作時刻表(步驟S108)。即，實際到達時刻表230是與晶片4到達各處理部的到達時刻建立了對應(yīng)關(guān)系的表。因此，控制部5通過將各處理部中的處理時間相加到實際到達時刻表230中來制作將各處理部中的處理結(jié)束時刻或處理結(jié)束預(yù)定時刻建立了對應(yīng)關(guān)系的時刻表。
[0097]另一方面，在步驟S105中判定為不存在待機時間的情況下(步驟S105中為否)，控制部5不制作實際到達時刻表230，而根據(jù)假定到達時刻表220制作時刻表(步驟S108)。即，在相同或相競爭的處理部中不存在比處理結(jié)束時刻或處理結(jié)束預(yù)定時刻快的假定到達時刻的情況下，控制部5根據(jù)假定到達時刻制作時刻表。
[0098]圖6是表示時刻表240的一例的圖。如圖6所示，時刻表240是針對投入至CMP裝置的多個晶片的每一個晶片而將一連串處理的開始時刻(Start)、當前的晶片的位置(Pos)、在各處理部中的處理結(jié)束時刻或處理結(jié)束預(yù)定時刻建立了對應(yīng)關(guān)系的表。時刻表240使用于使得在晶片被投入至CMP裝置之后直到清洗處理結(jié)束為止都不