單數(shù)形式的“一”、“一個”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項目的任何及所有組合。
[0045]這里參考作為本發(fā)明的理想實施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的橫截面圖來描述發(fā)明的實施例。這樣，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或容差導(dǎo)致的從所示形狀的變化。因此，本發(fā)明的實施例不應(yīng)當(dāng)局限于在此所示的區(qū)的特定形狀，而是包括由于例如制造導(dǎo)致的形狀偏差。
[0046]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細的步驟以及詳細的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。
[0047]實施例一
[0048]下面，參照圖1、圖2、圖3A、圖3B、圖4A至圖4C來描述本發(fā)明實施例的拋光墊修整器。其中，圖1為本發(fā)明實施例的拋光墊修整器的立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實施例一的拋光墊修整器的一種示意性剖面圖；圖3A為本發(fā)明實施例一的拋光墊修整器的修整粒的一種示意性剖面圖；圖3B為本發(fā)明實施例一的拋光墊修整器的修整粒的另一種示意性剖面圖；圖4A為本發(fā)明實施例一的拋光墊修整器的基板的一種示意性剖面圖；圖4B為本發(fā)明實施例一的拋光墊修整器的基板的第二種示意性剖面圖；圖4C為本發(fā)明實施例一的拋光墊修整器的基板的第三種示意性剖面圖，其中，上圖是俯視圖，下圖是側(cè)視圖。
[0049]本實施例的拋光墊修整器，如圖1和圖2所示，包括基板100與位于基板100上并突出所述基板100的表面(即，工作面)的多個修整粒101，其中，修整粒101與基板100為一體結(jié)構(gòu)。其中，基板100也稱作修整盤，基板100與修整粒101的材料可以為藍寶石(主要成分為氧化鋁)或其他合適的材料。
[0050]其中，基板100設(shè)置有修整粒101的表面為基板的工作面，即，拋光墊修整器對拋光墊進行修整時與拋光墊相對的表面。
[0051]示例性地，在本實施例中，修整粒的形狀(外觀)可以為如圖3A所示的平頭錐柱或如圖3B所示的尖頭錐柱，也可為其他合適的形狀。進一步地，如圖3A或圖3B所示，修整粒的高度為h，并且300μπι>1ι>100μπι。需要解釋的是，修整粒的高度h，指從修整粒的頂端到根部的距離，如圖3A或3B所示。
[0052]其中，本實施例的拋光墊修整器的基板的設(shè)置有修整粒的表面(S卩，工作面)，可以為整面平坦的結(jié)構(gòu)(即，平面)，如圖4A所示；可以為具有弧度的凸出面，如圖4B所示；可以為具有多個(至少兩個)層次(階層)的凸出面(中央部位于邊緣部位有高低段差)，如圖4C所示；還可以為其他任何可行的結(jié)構(gòu)。在圖4B所示的結(jié)構(gòu)中，基板的邊緣區(qū)域與中央?yún)^(qū)域的高度差異值為R，其中，300 μ m>R>100 μ m0在圖4C所示的結(jié)構(gòu)中，該基板具有η個階層，其中，3〈η〈10 ;相鄰的不同階層的高度差異值為S，并且，δΟμπιΜΜΟμπι。其中，如圖4Β所示結(jié)構(gòu)的基板，可以利用異形研磨拋光法制得；如圖4C所示結(jié)構(gòu)的基板，可以采用多道黃光微影以及基板蝕刻的方式的制備。
[0053]在本實施例中，形成修整粒101的方法，可以通過對基板100進行刻蝕實現(xiàn)。并且，如果需要多個層次的修整粒，可以通過多道刻蝕工藝實現(xiàn)。其中，不同層次的修整粒，是指修整粒的頂端處于不同的水平面。關(guān)于修整粒分布設(shè)計，可藉由微影制程中光罩設(shè)計來改變。
[0054]在本實施例中，修整粒在基板上的分布為規(guī)則分布(即，分布具有一定的規(guī)律)，例如，可以為區(qū)域性分布或整面分布。示例性地，修整粒的數(shù)量(個數(shù))由中心向外圈遞減或遞增。修整粒的大小可以相同也可以不相同，示例性地，修整粒的粒徑由基板的外圈向中心處遞增。優(yōu)選地,位于基板100的中心區(qū)域(中央?yún)^(qū)域)的修整粒的頂端高于其他區(qū)域的修整粒的頂端，具體地，可以為基板100的表面為平面，但修整粒的高度不一致；也可以為基板100的表面為具有弧度或多種層次的凸出面，而修整粒的高度一致。此時的修整粒在整體上具有多個高度不同的層次，其修整粒高低間隙可增加修整粒的有效運用。其中，在同一個拋光墊修整器上定義一種或多種的修整粒高度排列，可以將拋光墊修整出均勻且粗細相間的纖毛，其中，較高的修整粒(指頂端高的修整粒)能刺入拋光墊表面移除表面阻塞物且刮出較深的溝槽，可以提高拋光墊表面拋光漿的披覆量，而較低的修整粒(指頂端低的修整粒)則可以同時刮出較淺溝槽，使拋光墊表面得到均勻的細纖毛結(jié)構(gòu)，而提高拋光效率。
[0055]本實施例的拋光墊修整器，由于修整粒101與基板100為一體結(jié)構(gòu)，因此與現(xiàn)有技術(shù)相比，修整粒不容易脫落，可以提高拋光墊修整器的使用壽命，并提高拋光良率。
[0056]此外，在進行研磨時，修整器拋光墊的表面一致化及提高修整器拋光墊的拋光效率是一直追求的目標(biāo)，然而，頂端均高的修整粒排列容易使修整的殘屑滯留在拋光墊與拋光墊修整器的表面，不易藉由離心力排除而一直在修整碟內(nèi)部循環(huán)、填塞空隙，因而會降低移除效率，且一致性的修整粒的尖端磨耗，接觸面積增加，會導(dǎo)致需持續(xù)增加拋光墊修整器的下壓力以維持整體修整力。而在本實施例中，當(dāng)拋光墊修整器的基板100的形成有修整粒101的表面為凸出面(例如:具有弧度的凸出面或具有多個層次的凸出面)時，基板100的形狀可以使得中心區(qū)域的修整粒101的頂端高于其他區(qū)域的修整粒的頂端，因此，在進行修整時，中央凸出部位的修整粒101可以刺入拋光墊的表面移除表面阻塞物且均勻刮出較深的溝槽，而外圍的修整粒101亦可被利用；同時，如此非完全平面的設(shè)計，可以提高研磨時排除殘屑的效率，避免平面結(jié)構(gòu)的排屑不易的問題，進而提高修整拋光墊的效率。另外，如此之設(shè)計，使用時亦可用拋光墊修整器的中央部位抵住拋光墊，承受大部分力量，利用周邊的修整粒以層次的方式修整拋光墊表面，因而可以使拋光墊修整器的整體使用壽命得到提升。當(dāng)然，只要位于基板100的中心區(qū)域(中央?yún)^(qū)域)的修整粒的頂端高于其他區(qū)域的修整粒的頂端(包括基板100的表面為平面、修整粒的高度不一致的情況)，就可以具有前述技術(shù)效果。
[0057]實施例二
[0058]本發(fā)明實施例的拋光墊修整器的制造方法，用于制造實施例一所述的拋光墊修整器。
[0059]下面，參照圖5A至5D和圖6來描述本發(fā)明實施例的拋光墊修整器的制造方法一個示例性方法的詳細步驟。其中，圖5A至圖為本發(fā)明實施例的拋光墊修整器的制造方法的相關(guān)步驟形成的結(jié)構(gòu)的示意性剖面圖；圖6為本發(fā)明實施例的拋光墊修整器的制造方法的一種流程圖。
[0060]示例性地，本實施例的拋光墊修整器的制造方法，包括如下步驟:
[0061]步驟Al:提供用于制備拋光墊修整器的基板(也稱基材或修整盤)100，如圖5A所示。其中，基板100為藍寶石基板或其他合適的基板。
[0062]不例性地，基板100為監(jiān)寶石基板，提供基板100的方法，包括如下步驟:
[0063]步驟AlOl:將氧化鋁原料經(jīng)由高溫爐進行熔料，藉由特定軸向晶種進行拉晶、冷卻以完成氧化鋁單晶的生長，形成晶棒；
[0064]步驟A102:沿特定軸向?qū)λ鼍О暨M行切片，形成基板(也可稱作晶片、圓盤等)。
[0065]其中，沿特定軸向進行切片，是為了使晶片單元平面擁有可辨識性的軸向分布。
[0066]步驟A103:對所述基板的表面進行表面修整。
[0067]其中，所述修整包括雙面研磨和拋光。
[0068]在本實施例中，基板100的用于形成修整粒的表面，可以為整面平坦的結(jié)構(gòu)(如圖4A所示)，可以為具有弧度的凸出面(如圖4B所示)，可以為具有多種層次的凸出面(如圖4C所示)，還可以為其他可行的結(jié)構(gòu)。其中，在圖4B所示的結(jié)構(gòu)中，基板的邊緣區(qū)域與中央?yún)^(qū)域的高度差異值為RdOOyn^RMOOym。在圖4C所示的結(jié)構(gòu)中，該基板具有η個階層，其中，3〈η〈10 ;相鄰的不同階層的高度差異值為S，并且，δΟμπιΜΜΟμπι。其中，圖4Β所示結(jié)構(gòu)的基板可以利用異形研磨拋光法制得，圖4C所示結(jié)構(gòu)的基板可以采用多道黃光微影以及基板蝕刻的方式的制備。
[0069]步驟Α2:在基板100的用于形成修整粒的表面上形成掩膜200，如圖5Β所示。
[0070]其中，掩膜200可以為硬掩膜或其他合適的掩膜。示例性地，形成掩膜200的方法，包括:在基板100的用于形成修整粒的表面上涂覆光刻膠層，對所述光刻膠層進行曝光、顯影以形成掩膜200。
[0071]步驟A3:對基板100進行刻蝕以在所述基板100上形成修整粒101，如圖5C所示。然后，去除所述掩膜200，如圖所示。
[0072]其中，進行刻蝕的方法，可以為干法刻蝕或濕法刻蝕,優(yōu)選為濕法刻蝕。
[0073]經(jīng)過步驟A3，在基板100上形成了修整粒101，S卩，完成了拋光墊修整器的制造。本步驟為蝕刻制程，其原理為利用掩膜200保護基板100 (例如:藍寶石基板)的部分區(qū)域，再使用干法蝕刻或濕法蝕