173p、175p(下部膜 171p、173p、175p包括：鈦或含鈦金屬）和上部膜171r、173r、175r (上部膜171r、173r、175r 包括：銅或含銅金屬）。
[0088] 接下來，如圖8所示，鈍化層180形成在數(shù)據(jù)線171、漏電極175和柵絕緣膜140的 整個表面上，在此之后，如圖2所示，形成用于暴露漏電極175的接觸孔185,并且在鈍化層 180上形成像素電極191。
[0089] 下面，通過下面的測試例描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的蝕刻劑的性能。
[0090] 〈實施例1>
[0091] 如下面的表3中所示，制備了 IOkg的蝕刻劑，包含：10wt%的過硫酸鈉、0. 5wt% 的氟氫化銨、3wt%的硝酸、I. 5wt%的5-氨基四唑、I. 5wt%的氯化鈉、0· 2wt%的硫酸銅、 3wt %的乙酸、3wt %的二亞乙基三胺五乙酸和余量的水。
[0092] 〈實施例2>
[0093] 如下面的表3中所示，制備了 IOkg的蝕刻劑，包含：10wt%的過硫酸鈉、0. 5wt% 的氟氫化銨、3wt%的硝酸、I. 5wt%的5-氨基四唑、I. 5wt%的氯化鈉、0· 2wt%的硫酸銅、 3wt%的乙酸、0. lwt%的N-乙酰-L-半胱氨酸和余量的水。
[0094] 〈實施例3>
[0095] 如下面的表3中所示，制備了 IOkg的蝕刻劑，包含：10wt%的過硫酸鈉、0. 5wt% 的氟氫化銨、3wt%的硝酸、I. 5wt%的5-氨基四唑、I. 5wt%的氯化鈉、0· 2wt%的硫酸銅、 3wt%的乙酸、2wt%的L-甲硫氨酸和余量的水。
[0096] 〈比較例1>
[0097] 如下面的表3中所示，制備了 IOkg的蝕刻劑，包含：10wt%的過硫酸鈉、0. 5wt% 的氟氫化銨、3wt%的硝酸、I. 5wt%的5-氨基四唑、I. 5wt%的氯化鈉、0· 2wt%的硫酸銅、 3wt %的乙酸和余量的水。
[0098] [表 3]
[0099] (wt% )
[0101] ※SPS :過硫酸鈉
[0102] ※ABF :氟氫化銨
[0103] ※ATZ :5_氨基四唑
[0104] 乙酸
[0105] ※△-丨：二亞乙基三胺五乙酸
[0106] ※厶-〗：％，N-乙酰-L-半胱氨酸
[0107] ※八^ :L_甲硫氨酸
[0108] 〈測試例1-沉淀物的產(chǎn)生〉
[0109] 就沉淀物的產(chǎn)生對實施例1至3和比較例1的蝕刻劑進行了評價。
[0110] 將3000ppm的Cu粉末添加至所制備的蝕刻劑中，并攪拌約30分鐘，以使Cu粉末 完全溶解。隨后，當在-9°C以下將所得到的溶液貯存在聚乙烯瓶中時，實時觀察沉淀物的產(chǎn) 生。結果示于下面的表4中。
[0111] [表 4]
[0113] 從表4中明顯看出，實施例1至3的蝕刻劑沒有產(chǎn)生任何溶解性差的沉淀物，但比 較例1的蝕刻劑產(chǎn)生了溶解性差的沉淀物，并且所產(chǎn)生的沉淀物的量隨時間而增加。
[0114] 〈測試例2-蝕刻特性〉
[0115] 就蝕刻特性對實施例1至3和比較例1的蝕刻劑進行評價。
[0116] 將SiNx層沉積在玻璃上，鈦膜形成在SiNx層上，并且銅膜形成在鈦膜上。進 一步地，使用光刻膠使預定圖案形成在銅膜上，并用金剛石刀將得到的基板切割成 550_X650mm，由此制造測試樣品。
[0117] 將實施例1至3和比較例1的各個蝕刻劑置于噴霧蝕刻機中并溫熱至25°C。此后， 當加工溫度達到30±0. 1°C時，執(zhí)行蝕刻工藝。如此，在總蝕刻時間的方面上，基于EPD以 200%進行過度蝕刻。對置于噴霧蝕刻機中的每個測試樣品噴灑蝕刻劑。在蝕刻完成后，將 測試樣品從蝕刻機中取出，用去離子水進行洗滌，并使用熱風干燥機進行干燥，在此之后， 使用光刻膠剝離劑從中除去光刻膠。在洗滌和干燥后，使用掃描電子顯微鏡評價蝕刻特性。 結果示于下面的表5中。
[0118] [表 5]
[0119]
[0120] 從表5中明顯看出，實施例1至3的蝕刻劑展示出良好的蝕刻特性。
[0121] 雖然本發(fā)明的優(yōu)選實施方式已被公開用于說明的目的，但本領域技術人員將理解 不脫離所附權利要求中公開的本發(fā)明的范圍和精神的各種修改、添加和替換都是可能的。 例如，雖然這些實施方式公開了液晶顯示裝置，但是本發(fā)明可以應用至各種種類的包括TFT 的顯示裝置。
【主權項】
1. 一種蝕刻劑，包含： 0? 5wt%~20wt%的過硫酸鹽； 0.01界1:%~2￥1:%的氟化合物； Iwt %~IOwt %的無機酸； 0? 5wt%~5wt%的含氮原子的雜環(huán)化合物； 0.1界1:%~5￥1:%的氯化合物； 0? 05wt %~3wt %的銅鹽； 0? Iwt %~IOwt %的有機酸或有機酸鹽； 0? Iwt %~5wt %的供電子化合物；以及 余量的溶劑。2. 根據(jù)權利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述過硫酸鹽包括選自過硫酸鉀、過硫酸鈉和 過硫酸銨中的至少一種。3. 根據(jù)權利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述氟化合物包括選自氟化銨、氟化鈉、氟化 鉀、氟氫化銨、氟氫化鈉和氟氫化鉀中的至少一種。4. 根據(jù)權利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述無機酸包括選自硝酸、硫酸、磷酸和高氯 酸中的至少一種。5. 根據(jù)權利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述含氮原子的雜環(huán)化合物包括選自5-氨基 四唑、3-氨基-1，2, 4-三唑、4-氨基-4H-1，2, 4-三唑、苯并三唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡 啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷和吡咯啉中的至少一種。6. 根據(jù)權利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述氯化合物包括選自鹽酸、氯化鈉、氯化鉀 和氯化銨中的至少一種。7. 根據(jù)權利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述銅鹽包括選自硝酸銅、硫酸銅和磷酸銅銨 中的至少一種。8. 根據(jù)權利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述有機酸或有機酸鹽包括選自如下化合物 中的至少一種： 乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺 基鄰苯二甲酸、水楊酸、磺基水楊酸、苯甲酸、甘油酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸、異檸檬酸、丙 烯酸、亞氨基二乙酸、乙二胺四乙酸；以及 乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺 基鄰苯二甲酸、水楊酸、磺基水楊酸、苯甲酸、甘油酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸、異檸檬酸、丙 烯酸、亞氨基二乙酸和乙二胺四乙酸的鉀鹽、鈉鹽和銨鹽。9. 根據(jù)權利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述供電子化合物包括選自如下化合物中的 至少一種： L-異亮氨酸、草酸、己二酸、棕櫚酸、乳酸、馬來酸、二亞乙基三胺五乙酸、N-乙酰-L-半 胱氨酸、L-絲氨酸、L-甲硫氨酸，以及 L-異亮氨酸、草酸、己二酸、棕櫚酸、乳酸、馬來酸、二亞乙基三胺五乙酸、N-乙酰-L-半 胱氨酸、L-絲氨酸和L-甲硫氨酸的鉀鹽、鈉鹽和銨鹽。10. 根據(jù)權利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述溶劑包括去離子水。11. 根據(jù)權利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述蝕刻劑不含過氧化氫。12. -種制造顯示裝置的方法，包括： 在絕緣基板上形成柵金屬層，所述柵金屬層包括下部柵金屬層和上部柵金屬層； 使用權利要求1至11中任意一項所述的蝕刻劑來蝕刻所述柵金屬層，從而形成包括柵 電極的柵線； 在所述柵線上形成柵絕緣膜； 在所述柵絕緣膜上按序形成第一非晶硅層、第二非晶硅層、下部數(shù)據(jù)金屬層，和上部數(shù) 據(jù)金屬層； 蝕刻所述第一非晶硅層、所述第二非晶硅層、所述下部數(shù)據(jù)金屬層，和所述上部數(shù)據(jù)金 屬層，從而形成半導體層、歐姆接觸層、包括源電極的數(shù)據(jù)線，和漏電極； 在所述數(shù)據(jù)線、所述漏電極和所述柵絕緣膜上形成鈍化層；以及 在所述鈍化層上形成像素電極以與所述漏電極連接。13. 根據(jù)權利要求12所述的方法，其中，所述下部柵金屬層和所述下部數(shù)據(jù)金屬層由 鈦或含鈦金屬形成，并且 所述上部柵金屬層和所述上部數(shù)據(jù)金屬層由銅或含銅金屬形成。14. 根據(jù)權利要求12所述的方法，其中，使用所述蝕刻劑同時蝕刻所述上部金屬層和 所述下部金屬層。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種蝕刻劑和一種使用該蝕刻劑制造顯示裝置的方法。
【IPC分類】C23F1/26, G02F1/1333, C23F1/18
【公開號】CN105018930
【申請?zhí)枴緾N201510187631
【發(fā)明人】鞠仁說, 南基龍, 樸英哲, 劉仁浩, 尹暎晉, 李昔準
【申請人】東友精細化工有限公司
【公開日】2015年11月4日
【申請日】2015年4月20日
【公告號】US20150307779