掩膜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種掩膜，且特別是有關(guān)于一種蒸鍍工藝用的掩膜。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光顯示器(Organic Light Emitting D1de, OLED)以其自發(fā)光、廣視角、省電、程序簡(jiǎn)易、低成本、操作溫度廣泛、高應(yīng)答速度以及全彩化等等的優(yōu)點(diǎn)，使其具有極大的潛力，因此可望成為下一代平面顯示器的主流。有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法一般是采用蒸鍍的方式將有機(jī)材料形成于基板上，并且蒸鍍過(guò)程當(dāng)中可以設(shè)置掩膜于基板與蒸鍍?cè)粗g以實(shí)現(xiàn)圖案化蒸鍍層的制作。
[0003]蒸鍍用金屬掩膜(Fine metal mask, FMM)是將金屬薄板蝕刻出微細(xì)開(kāi)口區(qū)域而構(gòu)成的，且蝕刻后金屬之間的空隙即為蒸鍍開(kāi)口，可供蒸鍍材料通過(guò)而附著于基板上。蒸鍍工藝當(dāng)中，金屬掩膜與欲蒸鍍的基板間不能有間隙，以免造成蒸鍍材料外溢而產(chǎn)生陰影效應(yīng)(Shadow effect)。因此，蒸鍍工藝中除了需以機(jī)臺(tái)中的固定結(jié)構(gòu)固定金屬掩膜外，還會(huì)在基板上方設(shè)置磁鐵板，讓金屬掩膜因磁力的吸引而可以緊密的服貼于基板上。
[0004]固定結(jié)構(gòu)固定金屬掩膜時(shí)主要是夾持住金屬掩膜的兩端以將金屬掩膜支撐與展開(kāi)。此時(shí)，金屬掩膜所受到的應(yīng)力可能因?yàn)榻饘傺谀け旧淼膱D案設(shè)計(jì)(例如設(shè)計(jì)蒸鍍開(kāi)口的分布)而有不同的分布情形。當(dāng)金屬掩膜所受應(yīng)力分布不均勻時(shí)，金屬掩膜會(huì)有皺褶而無(wú)法服貼于基板上。因此，蒸鍍工藝中往往需要降低金屬掩膜發(fā)生皺褶的機(jī)率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種掩膜，不容易在應(yīng)用于蒸鍍制成時(shí)產(chǎn)生皺折。
[0006]本發(fā)明的一種掩膜包括多個(gè)圖案化結(jié)構(gòu)以及周邊區(qū)。圖案化結(jié)構(gòu)沿預(yù)定方向接續(xù)排列。各圖案化結(jié)構(gòu)包含開(kāi)口部以及薄化部。開(kāi)口部具有陣列排列的多個(gè)貫穿開(kāi)口。薄化部環(huán)繞開(kāi)口部設(shè)置。薄化部的外邊界具有大致平行于預(yù)定方向且互相對(duì)應(yīng)的一側(cè)邊及另一側(cè)邊，且薄化部的外邊界與開(kāi)口部的邊界之間所圍設(shè)的區(qū)域面積以定義出薄化部。周邊區(qū)環(huán)繞這些圖案化結(jié)構(gòu)設(shè)置，且薄化部的厚度小于周邊區(qū)的厚度。
[0007]其中，該薄化部的厚度為該周邊區(qū)的厚度的35%至75%。
[0008]其中，該掩膜為長(zhǎng)條狀，且該長(zhǎng)條狀的延伸方向平行于該預(yù)定方向。
[0009]其中，該開(kāi)口部的邊界圍成非矩形。
[0010]其中，該薄化部的外邊界圍成矩形。
[0011 ] 其中，該開(kāi)口部的邊界至該薄化部的外邊界的距離沿該預(yù)定方向的變化是先逐漸減少再逐漸增加。
[0012]其中，該開(kāi)口部包括多條細(xì)線段，該些細(xì)線段連接成網(wǎng)格狀以定義出該些貫穿開(kāi)
□ O
[0013]其中，該些細(xì)線段的厚度大于該薄化部的厚度。
[0014]其中，該些細(xì)線段的厚度等于該周邊區(qū)的厚度。
[0015]其中，該些圖案化結(jié)構(gòu)與該周邊區(qū)由一薄片圖案化而成。
[0016]基于上述，本發(fā)明實(shí)施例的掩膜具有多個(gè)圖案化結(jié)構(gòu)，且圖案化結(jié)構(gòu)由內(nèi)而外設(shè)置有開(kāi)口部與薄化部，藉由薄化部的薄化厚度來(lái)緩沖與散布拉伸應(yīng)力，而改善掩膜因外力拉張而產(chǎn)生皺褶的現(xiàn)象。
[0017]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。
【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的掩膜的局部上視示意圖。
[0019]圖2為圖1中區(qū)域X的放大示意圖。
[0020]圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的掩膜局部的剖面示意圖。
[0021]圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例的掩膜的局部上視示意圖。
[0022]圖5為圖4中區(qū)域X的放大示意圖。
[0023]圖6為本發(fā)明又一實(shí)施例的掩膜的局部上視示意圖。
[0024]圖7為圖6中區(qū)域X的放大示意圖。
[0025]圖8為本發(fā)明再一實(shí)施例的掩膜的局部上視示意圖。
[0026]圖9為圖8中區(qū)域X的放大示意圖。
[0027]圖10為本發(fā)明一實(shí)施例的掩膜的局部上視示意圖。
[0028]圖11為圖10中區(qū)域X的放大示意圖。
[0029]圖12為本發(fā)明另一實(shí)施例的掩膜的局部上視示意圖。
[0030]圖13為圖12中區(qū)域X的放大示意圖。
[0031]100、100A ?100E:掩膜
[0032]100a、100b:兩端
[0033]110:圖案化結(jié)構(gòu)
[0034]112、112A ?112E:開(kāi)口部
[0035]112a、112aA ?112aE:邊界
[0036]114:薄化部
[0037]114a:外邊界
[0038]120:周邊區(qū)
[0039]A-A’:剖線
[0040]D1、D2:方向
[0041]d、x、y:距離
[0042]E1、E2:側(cè)邊
[0043]S:細(xì)線段
[0044]Tl ?T3:厚度
[0045]P:貫穿開(kāi)口
[0046]X:區(qū)域
【具體實(shí)施方式】
[0047]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的掩膜的局部上視示意圖。圖2為圖1中區(qū)域X的放大示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1及圖2，掩膜100包括多個(gè)圖案化結(jié)構(gòu)110以及周邊區(qū)120。多個(gè)圖案化結(jié)構(gòu)110沿預(yù)定方向Dl接續(xù)排列。各圖案化結(jié)構(gòu)110包含開(kāi)口部112及薄化部114。開(kāi)口部112具有陣列排列的多個(gè)貫穿開(kāi)口 P(標(biāo)示于圖2)。薄化部114環(huán)繞開(kāi)口部112設(shè)置。薄化部114的外邊界114a具有大致平行于預(yù)定方向Dl且互相對(duì)應(yīng)的側(cè)邊El與側(cè)邊E2。薄化部114的外邊界114a與開(kāi)口部112的邊界112a之間所圍設(shè)的區(qū)域面積定義出薄化部114。周邊區(qū)120環(huán)繞圖案化結(jié)構(gòu)110設(shè)置。
[0048]在本實(shí)施例中，掩膜100例如是一窄長(zhǎng)形的掩膜，且預(yù)定方向Dl可以平行于掩膜100本身的延伸方向。當(dāng)掩膜100應(yīng)用于蒸鍍工藝時(shí)，掩膜100會(huì)被機(jī)臺(tái)的固定結(jié)構(gòu)所固定并展開(kāi)，其中機(jī)臺(tái)的固定結(jié)構(gòu)會(huì)夾持掩膜100的兩端100a、100b并將掩膜100拉平。此時(shí)，掩膜100所受到的拉伸應(yīng)力主要會(huì)平行于預(yù)定方向D1。值得一提的是，透過(guò)『薄化部114的側(cè)邊E1、E2大致平行于預(yù)定方向D1』的設(shè)計(jì)，拉伸應(yīng)力不易在每一圖案化結(jié)構(gòu)110的外邊緣(即薄化部114的外邊界114a)發(fā)生應(yīng)力分布不均的問(wèn)題，進(jìn)而降低掩膜100發(fā)生皺褶的機(jī)率及/或掩膜100皺褶的起伏程度。
[0049]圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的掩膜局部的剖面示意圖。特別是，圖3對(duì)應(yīng)于圖2的剖線A-A’。請(qǐng)參照?qǐng)D2及圖3，薄化部114的厚度Tl小于周邊區(qū)120的厚度T2。開(kāi)口部112包括多條細(xì)線段S。這些細(xì)線段S連接成網(wǎng)格狀以定義出多個(gè)貫穿開(kāi)口 P。在本實(shí)施例中，細(xì)線段S的厚度T3可大于薄化部114的厚度Tl ;細(xì)線段S的厚度T3可等于周邊區(qū)120的厚度T2。更進(jìn)一步地說(shuō)，薄化部114的厚度Tl可為周邊區(qū)120的厚度T2的35%至75%。然而，本發(fā)明不以此為限，在其它實(shí)施例中，薄化部114的厚度Tl、周邊區(qū)120的厚度T2以及細(xì)線段S的厚度T3亦可做其它適當(dāng)設(shè)計(jì)。無(wú)論薄化部114厚度Tl與周邊區(qū)120厚度T2的比值、或者細(xì)線段S厚度T3與周邊區(qū)120厚度T2的關(guān)系為何，凡具有厚度Tl小的薄化部114及厚度T2大的周邊區(qū)120的掩膜100均在本發(fā)明所欲保護(hù)的范疇內(nèi)。
[0050]請(qǐng)參照?qǐng)D1、圖2及圖3，本實(shí)施例的掩膜100是同一塊薄片。換言之，圖案化結(jié)構(gòu)110與周邊區(qū)120是由同一薄片圖案化而成。舉例而言，可在一薄片的上下表面分別形成第一、二圖案化光刻膠，其中第一、二圖案化光刻膠均暴露出貫穿開(kāi)口 P預(yù)定區(qū)，第一圖案化光刻膠暴露出預(yù)定薄化部114預(yù)定區(qū)，但第二圖案化光刻膠覆蓋薄化部114預(yù)定區(qū)；然后，以第一、二圖案化光刻膠為罩幕圖案化薄片，以形成貫穿薄片的貫穿開(kāi)口 P以及不貫穿薄片的薄化部114。然而，本發(fā)明不限于此，在其它實(shí)施例中，亦可采用其它適當(dāng)方法形成掩膜100。在本實(shí)施例中，掩膜100可采用金屬薄片制作，但本發(fā)明不以此為限，在其它實(shí)施例中，掩膜100亦可采用其它適當(dāng)材料制作。
[0051 ] 請(qǐng)參照?qǐng)D2，在本實(shí)施例中，開(kāi)口部112的邊界112a可圍成一非矩形，例如一圓形。薄化部114的外邊界114a可圍成一矩形。開(kāi)口部112的邊界112a可內(nèi)切于薄化部114的外邊界114a，但本發(fā)明不以此為限。開(kāi)口部112的邊界112a至薄化部114的外邊界114a的距離d沿預(yù)定方向Dl的變化是先逐漸減少再逐漸增加。需說(shuō)明的是，本發(fā)明并不限制開(kāi)口部112邊界112a的形狀一定要是圓形，在其它實(shí)施例中，亦可視實(shí)際需求(例如:以掩膜100制成的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的外型)將開(kāi)口部112的邊界112a設(shè)計(jì)為其它形狀。此夕卜，本發(fā)明亦不限制開(kāi)口部112的邊界112a—定要內(nèi)切于薄化部114的外邊界114a，在其它實(shí)施例中，開(kāi)口部的邊界與薄化部的外邊界之間的最短距離也可不為零，以下將配合其它圖示，舉例說(shuō)明之。
[0052]圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例的掩膜的局部上視示意圖。圖5為圖4中區(qū)域X的放大示意圖。請(qǐng)對(duì)照?qǐng)D1、圖2與圖4、圖5，掩膜100A與掩膜100類似，因此相同或相對(duì)應(yīng)的元件，以相同或相對(duì)應(yīng)的標(biāo)號(hào)表示。掩膜100A與掩膜100的差異在于:掩膜100A的開(kāi)口部112A的邊界112aA沒(méi)有內(nèi)切于薄化部114的外邊界114a。以下主要就此差異處做說(shuō)明，二者相同處請(qǐng)依圖4及圖5中的標(biāo)號(hào)參照前述說(shuō)明，于此便不再重述。
[0053]請(qǐng)參照?qǐng)D4及圖5，掩膜100A包括沿一預(yù)定方向Dl接續(xù)排列多個(gè)圖案化結(jié)構(gòu)110以及環(huán)繞多個(gè)圖案化結(jié)構(gòu)110設(shè)置的周邊區(qū)120。各圖案化結(jié)構(gòu)110包含開(kāi)口部112A以及環(huán)繞開(kāi)口部112A設(shè)置的薄化部114。開(kāi)口部112A具有陣列排列的多個(gè)貫穿開(kāi)口 P。薄化部114的外邊界114a具有大致平行于預(yù)定方向Dl且互相對(duì)應(yīng)的一側(cè)邊El及另一側(cè)邊E2。薄化部114的外邊界114a與開(kāi)口部112A的邊界112aA之間所圍設(shè)的區(qū)域面積定義出薄化部114。薄化部114的厚度小于周邊區(qū)120的厚度(請(qǐng)對(duì)應(yīng)參照?qǐng)D3)。
[0054]與掩膜100不同的是，掩膜100A的開(kāi)口部112A的邊界112aA沒(méi)有內(nèi)切于薄化部114的外邊界114a。換言之，開(kāi)口部112A的邊界112aA與薄化部114的外邊界114a之間的最短距離可以大于零。更精確地說(shuō)，預(yù)定方向Dl與方向D2垂直，開(kāi)口部112A邊界112aA在預(yù)定方向Dl上與薄化部114外邊界114a的最短距離為y，開(kāi)口部112A的邊界112aA在方向D2上與薄化部114的外邊界114a的最短距離為X，在本實(shí)施例中，最短距離x、y可均不為零。然而，本發(fā)明不限于此，在其它實(shí)施例中，在未繪示的其它實(shí)施例中，最短距離x、y之一可為零，而最短距離X、y的另一可不為零。
[0055]最短距離X、y中至少一者可大于零，換言之，對(duì)照?qǐng)D2與圖5可知，圖5的薄化部114在圖案化結(jié)構(gòu)110中所占的比例較圖2的薄化部114在圖案化結(jié)構(gòu)110中所占的比例來(lái)得大。因此，圖5的薄化部1