一種用于觸控液晶面板的ito低溫沉積工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及觸控面板顯示應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于觸控液晶面板的ITO低溫沉積工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，目前市場(chǎng)上On Cell觸摸屏多應(yīng)用于三星AMOLED面板產(chǎn)品上，技術(shù)上尚未能克服薄型化、觸控時(shí)產(chǎn)生的顏色不均等問(wèn)題。AMOLED不管在畫(huà)質(zhì)、效能及成本上，先天表現(xiàn)都較TFT-LCD優(yōu)勢(shì)很多。當(dāng)然AMOLED最大的問(wèn)題還是在良率，以目前的良率，AMOLED面板的價(jià)格高出TFT-LCD很多，而且AMOLED面板為三星獨(dú)有專利技術(shù)，使得以AMOLED面板的oncell觸控設(shè)備僅限于三星，無(wú)法得到普及。而目前大部分電子產(chǎn)品的顯示屏均為T(mén)FT-1XD技術(shù)，因此以顯示屏為T(mén)FT-1XD的on cell觸控電子設(shè)備為必然趨勢(shì)。然而在TFT-1XD液晶面板上用磁控濺射法沉積導(dǎo)電膜，因液晶面板材料不具備耐高溫的性質(zhì)，使得傳統(tǒng)沉積技術(shù)無(wú)法滿足on cell的低溫鍍膜工藝要求。具體見(jiàn)下文。
[0003]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中采用磁控濺射制備IZO導(dǎo)電薄膜的原理示意圖，如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)是將一定比例的IZO(錫銻氧化物)陶瓷靶作為陰極，工藝室真空度達(dá)到5.0X 10 4Pa時(shí)充純度為4N(99.99% )的氬氣，基片作為陽(yáng)極或接地，電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向?yàn)R射靶，并以高能量轟擊濺射靶表面，使濺射靶表面發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子沉積在基片上形成導(dǎo)電薄膜。然后在濺射靶后表面引入磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)雖然使用了 IZO導(dǎo)電膜層作為on cell的觸控電極層，提高了膜層在可見(jiàn)光區(qū)的透過(guò)率及熱穩(wěn)定性能。但是在滿足on cell觸控感應(yīng)層理化指標(biāo)的同時(shí)，基片需沉積10nm厚度的IZO膜層，此厚度在相同的方塊電阻指標(biāo)下是高溫沉積ITO厚度的4倍，成本提高了。且如此厚度的膜層無(wú)法濕法刻蝕，激光工藝對(duì)此厚度亦無(wú)法做出高端產(chǎn)品。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，提供一種低溫下即可實(shí)現(xiàn)用于觸控液晶面板的ITO低溫沉積工藝，工藝簡(jiǎn)潔實(shí)用，節(jié)能，并能實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電要求。
[0006]本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種用于觸控液晶面板的ITO低溫沉積工藝，其特征在于，包括步驟:
[0007]a.將一定比例的銦錫氧化物靶塊放置鍍膜室內(nèi)的蒸發(fā)源內(nèi)，關(guān)閉鍍膜室門(mén)并抽真空；
[0008]b.待工藝室真空度達(dá)到5.0X10 4Pa時(shí)充純度為99.99%的氬氣，鍍膜室內(nèi)壓強(qiáng)控制在 1.0X10 1 ?5.0X10 1Pa ；
[0009]c.在蒸發(fā)源與陰極之間施加2?5kv高壓使之產(chǎn)生輝光放電形成等離子體，此時(shí)銦錫從位于蒸發(fā)源內(nèi)加熱蒸發(fā)，并進(jìn)入輝光放電區(qū)即等離子區(qū)，此時(shí)蒸發(fā)出的銦錫中性原子氧原子在等離子區(qū)被離化，使得生成銦、錫正離子、氧負(fù)離子，此時(shí)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成In2O3-SnO2,沉積在基片上。
[0010]作為對(duì)本發(fā)明所述技術(shù)方案的一種改進(jìn)，所述步驟a中銦錫氧化物靶塊中銦錫氧化物的比例為質(zhì)量比為In20390%，SnO21%。
[0011]作為對(duì)本發(fā)明所述技術(shù)方案的一種改進(jìn)，所述步驟b中鍍膜室內(nèi)壓強(qiáng)為3.0X10 1Pa0
[0012]作為對(duì)本發(fā)明所述技術(shù)方案的一種改進(jìn)，所述步驟c中鍍膜沉積速率為SOnm/min0
[0013]本發(fā)明提供的用于觸控液晶面板的ITO低溫沉積工藝，工藝簡(jiǎn)潔實(shí)用，節(jié)能，并能實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電要求。
【附圖說(shuō)明】
[0014]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，附圖中:
[0015]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中采用磁控濺射制備IZO導(dǎo)電薄膜的原理示意圖；
[0016]圖2是本發(fā)明具體實(shí)施例的用于觸控液晶面板的ITO低溫沉積工藝所采用的裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0018]本發(fā)明目的在于提供一種具有低溫下滿足TFT-1XD鍍膜要求，且膜層理化指標(biāo)滿足于on cell觸控感應(yīng)層指標(biāo)要求的鍍膜工藝。導(dǎo)電膜層在低溫壞境沉積時(shí)，具有可見(jiàn)光的高透過(guò)率，膜層方塊電阻率低、膜厚薄的優(yōu)點(diǎn)。
[0019]本發(fā)明具體實(shí)施例的用于觸控液晶面板的ITO低溫沉積工藝，其包括步驟:
[0020]a.將一定比例的銦錫氧化物靶塊放置鍍膜室內(nèi)的蒸發(fā)源內(nèi)，關(guān)閉鍍膜室門(mén)并抽真空；
[0021]b.待工藝室真空度達(dá)到5.0X10 4Pa時(shí)充純度為99.99%的氬氣，鍍膜室內(nèi)壓強(qiáng)控制在 1.0X10 1 ?5.0X10 1Pa ；
[0022]c.在蒸發(fā)源與陰極之間施加2?5kv高壓使之產(chǎn)生輝光放電形成等離子體，此時(shí)銦錫從位于蒸發(fā)源內(nèi)加熱蒸發(fā)，并進(jìn)入輝光放電區(qū)即等離子區(qū)，此時(shí)蒸發(fā)出的銦錫中性原子氧原子在等離子區(qū)被離化，使得生成銦、錫正離子、氧負(fù)離子，此時(shí)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成In2O3-SnO2,沉積在基片上。
[0023]本發(fā)明具體實(shí)施例中，所述步驟a中銦錫氧化物靶塊中銦錫氧化物的比例為質(zhì)量比為In20390%，Sn0210%。所述步驟b中鍍膜室內(nèi)壓強(qiáng)為3.0X 10 1Pa0所述步驟c中鍍膜沉積速率為80nm/min。
[0024]圖2是本發(fā)明具體實(shí)施例的用于觸控液晶面板的ITO低溫沉積工藝所采用的裝置結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，本發(fā)明【具體實(shí)施方式】中，將一定比例的銦錫氧化物靶塊20放置到蒸發(fā)源10內(nèi)，鍍膜室真空度達(dá)到5.0X 10 4Pa時(shí)充純度為4N的氬氣，鍍膜壓力控制在1.0X 10 1?5.0X 10 1Pa0在蒸發(fā)源與陰極之間施加2?5kv高壓使之產(chǎn)生輝光放電形成等離子體，此時(shí)銦錫氧化物靶塊20從位于蒸發(fā)源10內(nèi)加熱蒸發(fā)，并進(jìn)入輝光放電區(qū)，即等離子區(qū)，此時(shí)蒸發(fā)出的銦錫中性原子氧原子在等離子區(qū)被離化，使得生成銦、錫正離子、氧負(fù)離子，即圖2中的銦錫離子及負(fù)氧離子40，此時(shí)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成In2O3-SnO2，沉積在基片50上，圖2中離子槍60的作用是產(chǎn)生等離子，使等離子離化金屬原子，由磁控濺射的原子沉積轉(zhuǎn)變?yōu)殡x子形式沉積，在離子槍60與接地80之間加高壓70。本發(fā)明具體實(shí)施例所制備的ITO薄膜的電阻率能達(dá)到5.0X10 4Ω.CM以下，無(wú)折射率匹配情況下的光學(xué)透過(guò)85%以上，完全滿足觸控SENSOR單層多點(diǎn)手勢(shì)的設(shè)計(jì)要求。
[0025]本發(fā)明中，鍍膜沉積速率為80nm/min，可根據(jù)需要的ITO膜厚來(lái)選擇鍍膜節(jié)拍?？刂棋兡す?jié)拍可生產(chǎn)出所需膜厚的產(chǎn)品。
[0026]相比于磁控濺射，等離子鍍ITO膜層因良好的控制住了沉積離子(銦錫離子)的動(dòng)量為20ev左右，使之能均勻的沉積于基板上，不會(huì)有破壞膜層的機(jī)會(huì)，(破壞膜層的沉積離子能量為大于10ev)從而膜層有良好的成核結(jié)晶取向，從而降低ITO膜層電阻率，提高膜層可見(jiàn)光透光率。
[0027]本發(fā)明使得on cell觸摸屏技術(shù)突破了 AMOLED—家獨(dú)斷的技術(shù)瓶頸，未來(lái)的電子設(shè)備即使是不基于AMLOED顯示屏技術(shù)的也能適配on cell觸摸屏技術(shù)，低溫沉積將是不耐高溫材料基底的最佳選擇。因此In cell相比on cell更具輕薄化，但是In-Cell屏幕還要嵌入配套的觸控1C，否則很容易導(dǎo)致錯(cuò)誤的觸控感測(cè)訊號(hào)或者過(guò)大的噪音。生產(chǎn)良率低，門(mén)濫高，因此，在中高端觸摸屏中，on cell相比in cell更具市場(chǎng)性。
[0028]本發(fā)明提供的用于觸控液晶面板的ITO低溫沉積工藝，工藝簡(jiǎn)潔實(shí)用，節(jié)能，并能實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電要求。本發(fā)明關(guān)鍵技術(shù)點(diǎn)為:本發(fā)明相對(duì)于傳統(tǒng)的高溫下磁控濺射導(dǎo)電膜層，具有低溫下沉積使得膜層具有可見(jiàn)光的高透過(guò)率，膜層方塊電阻率低、膜厚薄的優(yōu)點(diǎn)。
[0029]應(yīng)當(dāng)理解的是，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)上述說(shuō)明加以改進(jìn)或變換，而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于觸控液晶面板的ITO低溫沉積工藝，其特征在于，包括步驟: a.將一定比例的銦錫氧化物靶塊放置鍍膜室內(nèi)的蒸發(fā)源內(nèi)，關(guān)閉鍍膜室門(mén)并抽真空； b.待工藝室真空度達(dá)到5.0X 10 4Pa時(shí)充純度為99.99%的氬氣，鍍膜室內(nèi)壓強(qiáng)控制在1.0X10 1 ?5.0X10 1Pa ； c.在蒸發(fā)源與陰極之間施加2?5kv高壓使之產(chǎn)生輝光放電形成等離子體，此時(shí)銦錫從位于蒸發(fā)源內(nèi)加熱蒸發(fā)，并進(jìn)入輝光放電區(qū)即等離子區(qū)，此時(shí)蒸發(fā)出的銦錫中性原子氧原子在等離子區(qū)被離化，使得生成銦、錫正離子、氧負(fù)離子，此時(shí)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成In2O3-SnO2,沉積在基片上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于觸控液晶面板的ITO低溫沉積工藝，其特征在于，所述步驟a中銦錫氧化物靶塊中銦錫氧化物的比例為質(zhì)量比為In2O3 90%，SnO2 10%。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于觸控液晶面板的ITO低溫沉積工藝，其特征在于，所述步驟b中鍍膜室內(nèi)壓強(qiáng)為3.0X10 1Pa04.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于觸控液晶面板的ITO低溫沉積工藝，其特征在于，所述步驟c中鍍膜沉積速率為80nm/min。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種用于觸控液晶面板的ITO低溫沉積工藝，其包括步驟：a.將一定比例的銦錫氧化物靶塊放置鍍膜室內(nèi)的蒸發(fā)源內(nèi)，關(guān)閉鍍膜室門(mén)并抽真空；b.待工藝室真空度達(dá)到5.0×10-4Pa時(shí)充純度為99.99%的氬氣，鍍膜室內(nèi)壓強(qiáng)控制在1.0×10-1～5.0×10-1Pa；c.在蒸發(fā)源與陰極之間施加2～5kv高壓使之產(chǎn)生輝光放電形成等離子體，此時(shí)銦錫從位于蒸發(fā)源內(nèi)加熱蒸發(fā)，并進(jìn)入輝光放電區(qū)即等離子區(qū)，此時(shí)蒸發(fā)出的銦錫中性原子氧原子在等離子區(qū)被離化，使得生成銦、錫正離子、氧負(fù)離子，此時(shí)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成In2O3-SnO2，沉積在基片上。本發(fā)明低溫下即可實(shí)現(xiàn)用于觸控液晶面板的ITO低溫沉積工藝，工藝簡(jiǎn)潔實(shí)用，節(jié)能，并能實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電要求。
【IPC分類】C23C14/08, C23C14/32
【公開(kāi)號(hào)】CN105112849
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510551567
【發(fā)明人】王進(jìn)東
【申請(qǐng)人】江蘇宇天港玻新材料有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月2日
【申請(qǐng)日】2015年9月1日