一種在撓性印制電路板上磁控濺射鍍銅的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種在電路板上鍍銅的方法，尤其涉及一種在撓性印制電路板上磁控 濺射鍍銅的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 由于撓性印制電路板具有如下特點(diǎn)：撓性基材體積小、重量輕；基材可彎折撓曲； 更高的裝備可靠性和量產(chǎn)；可以向三維空間發(fā)展，充分發(fā)揮出印制電路板的功能；優(yōu)良的 電性能、介電性能及耐熱性；有利于散熱。因而撓性印制電路板的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，幾乎在各 類電子設(shè)備中都可以用到，大有替代剛性印制電路板之趨勢(shì)。而隨著電子工業(yè)的飛速發(fā)展 對(duì)印制電路板制造業(yè)的要求越來(lái)越高，層數(shù)越來(lái)越多，孔密度增加而且直徑細(xì)小，一塊電路 板上的孔數(shù)高達(dá)數(shù)千乃至上萬(wàn)個(gè)，孔徑從〇. 05~2. 0mm不等，這就使得孔金屬化技術(shù)越來(lái) 越重要。
[0003] 孔金屬化工藝是印制電路板制造技術(shù)中最為重要的工序之一，其主要工作是在多 層印制電路板上鉆出所需的孔，把孔內(nèi)的鉆污去除，在絕緣孔壁上沉積一層金屬銅，為下一 步的電鍍加厚銅層打下基礎(chǔ)，實(shí)現(xiàn)良好的電氣互聯(lián)。對(duì)于金屬化孔的要求是嚴(yán)格的，要求有 良好的力學(xué)韌性和導(dǎo)電性，金屬化銅層均勻完整，厚度在15~20Mffl之間，鍍層不允許有嚴(yán) 重氧化現(xiàn)象，孔內(nèi)不分層、無(wú)氣泡、無(wú)鉆肩、無(wú)裂紋，孔電阻在lOOOKQ以下?？捉饘倩饕?是通過(guò)化學(xué)鍍或磁控濺射鍍銅等方法來(lái)實(shí)現(xiàn)印制線路相互聯(lián)通的工藝，目前主要采取化學(xué) 鍍進(jìn)行導(dǎo)電化處理，但采用化學(xué)鍍對(duì)環(huán)境污染較嚴(yán)重，因化學(xué)鍍使用的還原劑一般是甲醛， 其廢液比較難以處理，對(duì)人體也有不小的傷害，鍍層質(zhì)量也不太穩(wěn)定。盡管也有還原劑采用 非甲醛體系，但得到的銅層存在均勻度較差以及鍍速較慢等缺點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明旨在改善上述問(wèn)題，提出了一種工藝簡(jiǎn)單可控、對(duì)環(huán)境友好的在撓性印制 電路板上磁控濺射鍍銅的方法。
[0005] 本發(fā)明所述方法所采用的技術(shù)方案是，該方法是在撓性印制電路板的絕緣孔壁上 鍍銅，該方法包括以下步驟： 以銅靶為靶材，將撓性印制電路板作為基片放入真空室，在真空室壓力條件為 0? 5Pa~5. 5Pa,電流密度為0? lA/dm2~1. lA/dm2，革巴材與基片距離為5cm~15cm，通入 惰性氣體的流量密度為54sccm~64sccm，派射時(shí)間為lOmin。
[0006] 進(jìn)一步地，所述銅靶為可彎折的銅層。
[0007] 進(jìn)一步地，所述惰性氣體為氬氣。
[0008] 更進(jìn)一步地，該方法還包括對(duì)鍍銅后的印制電路板進(jìn)行抗氧化處理步驟： (1) 用蒸餾水做溶劑，配制質(zhì)量分?jǐn)?shù)為〇. 11%的苯并三氮唑溶液； (2) 將鍍銅后的印制電路板浸泡于苯并三氮唑溶液中，浸泡時(shí)間不少于30min ; (3) 取出印制電路板，用蒸餾水漂洗三次以上，確保殘留液已清洗干凈； (4) 放入真空干燥箱中干燥48h ; (5) 獲得成品，保存在干燥陰涼處。
[0009] 本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明在撓性印制電路板的絕緣孔壁上鍍銅，以銅靶為靶 材，將撓性印制電路板作為基片放入真空室，在真空室壓力條件為〇. 5Pa~5. 5Pa，電流密 度為0. lA/dm2~1. lA/dm 2，靶材與基片距離為5cm~15cm，通入惰性氣體的流量密度為 54sccm~64sccm，派射時(shí)間為lOmin ;本發(fā)明無(wú)需電鍍?nèi)芤号渲疲瑢?duì)環(huán)境污染小，工藝過(guò)程 簡(jiǎn)單可控，經(jīng)金屬化后印制電路板孔具有良好的韌性和導(dǎo)電性，與剛性電路相比，空間可節(jié) 省60%~90%，其重量可減輕約70%，且鍍層均勻完整，孔內(nèi)無(wú)分層、氣泡等缺陷。
【具體實(shí)施方式】
[0010] 下面根據(jù)發(fā)明方法通過(guò)具體實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明。以下實(shí)施實(shí)例只是為了更好地將 本發(fā)明技術(shù)原理闡釋清楚，并不代表本發(fā)明只限制使用該實(shí)施實(shí)例。
[0011] 實(shí)施例一： 印制電路板經(jīng)鉆孔技術(shù)、去鉆污工藝后，將其置于磁控濺射儀真空室內(nèi)，開啟真空栗， 使得真空室內(nèi)的壓力值為0. 5Pa，通入氬氣的流量密度為54SCCm，控制靶材與基片距離為 5cm，電流密度為0. lA/dm2,濺射時(shí)間為lOmin。磁控濺射結(jié)束后，待真空室溫度冷卻后取出 基片，并對(duì)新鍍銅層進(jìn)行抗氧化保護(hù)，并儲(chǔ)存于真空干燥環(huán)境中。
[0012] 實(shí)施例二： 印制電路板經(jīng)鉆孔技術(shù)、去鉆污工藝后，將其置于磁控濺射儀真空室內(nèi)，開啟真空栗， 使得真空室內(nèi)的壓力值為1. 5Pa，通入氬氣的流量密度為56SCCm，控制靶材與基片距離為 7cm，電流密度為0. 3A/dm2,濺射時(shí)間為lOmin。磁控濺射結(jié)束后，待真空室溫度冷卻后取出 基片，并對(duì)新鍍銅層進(jìn)行抗氧化保護(hù)，并儲(chǔ)存于真空干燥環(huán)境中。
[0013] 實(shí)施例三： 印制電路板經(jīng)鉆孔技術(shù)、去鉆污工藝后，將其置于磁控濺射儀真空室內(nèi)，開啟真空栗， 使得真空室內(nèi)的壓力值為2. 5Pa，通入氬氣的流量密度為58SCCm，控制靶材與基片距離為 9cm，電流密度為0. 5A/dm2,濺射時(shí)間為lOmin。磁控濺射結(jié)束后，待真空室溫度冷卻后取出 基片，并對(duì)新鍍銅層進(jìn)行抗氧化保護(hù)，并儲(chǔ)存于真空干燥環(huán)境中。
[0014] 實(shí)施例四： 印制電路板經(jīng)鉆孔技術(shù)、去鉆污工藝后，將其置于磁控濺射儀真空室內(nèi)，開啟真空栗， 使得真空室內(nèi)的壓力值為3. 5Pa，通入氬氣的流量密度為6〇SCCm，控制靶材與基片距離為 11cm，電流密度為0. 7A/dm2,濺射時(shí)間為lOmin。磁控濺射結(jié)束后，待真空室溫度冷卻后取 出基片，并對(duì)新鍍銅層進(jìn)行抗氧化保護(hù)，并儲(chǔ)存于真空干燥環(huán)境中。
[0015] 實(shí)施例五： 印制電路板經(jīng)鉆孔技術(shù)、去鉆污工藝后，將其置于磁控濺射儀真空室內(nèi)，開啟真空栗， 使得真空室內(nèi)的壓力值為4. 5Pa，通入氬氣的流量密度為62SCCm，控制靶材與基片距離為 13cm，電流密度為0. 9A/dm2,濺射時(shí)間為lOmin。磁控濺射結(jié)束后，待真空室溫度冷卻后取 出基片，并對(duì)新鍍銅層進(jìn)行抗氧化保護(hù)，并儲(chǔ)存于真空干燥環(huán)境中。
[0016] 實(shí)施例六： 印制電路板經(jīng)鉆孔技術(shù)、去鉆污工藝后，將其置于磁控濺射儀真空室內(nèi)，開啟真空栗， 使得真空室內(nèi)的壓力值為5. 5Pa，通入氬氣的流量密度為64sCCm，控制靶材與基片距離為 15cm，電流密度為1. lA/dm2,濺射時(shí)間為lOmin。磁控濺射結(jié)束后，待真空室溫度冷卻后取 出基片，并對(duì)新鍍銅層進(jìn)行抗氧化保護(hù)，并儲(chǔ)存于真空干燥環(huán)境中。
[0017] 上述實(shí)施例獲得的測(cè)試性能指標(biāo)如表1所示。
[0018]表1
可見(jiàn)，本發(fā)明無(wú)需電鍍?nèi)芤号渲疲瑢?duì)環(huán)境污染小，工藝過(guò)程簡(jiǎn)單可控，經(jīng)金屬化后印制 電路板孔具有良好的韌性和導(dǎo)電性，與剛性電路相比，空間可節(jié)省60%~90%，其重量可減 輕約70%，且鍍層均勻完整，孔內(nèi)無(wú)分層、氣泡等缺陷。
[0019] 上述實(shí)例對(duì)本發(fā)明做了詳細(xì)的說(shuō)明，但并不意味著本發(fā)明僅僅局限于這四種實(shí) 例。在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的情況下，對(duì)其進(jìn)行改進(jìn)和變形在本發(fā)明權(quán)利要求和技術(shù)之 內(nèi)，也應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種在撓性印制電路板上磁控濺射鍍銅的方法，其特征在于，該方法是在撓性印制 電路板的絕緣孔壁上鍍銅，該方法包括以下步驟： 以銅靶為靶材，將撓性印制電路板作為基片放入真空室，在真空室壓力條件為 0? 5Pa~5. 5Pa,電流密度為0? lA/dm2~I. lA/dm2，革巴材與基片距離為5cm~15cm，通入 惰性氣體的流量密度為54sccm~64sccm，派射時(shí)間為lOmin。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在撓性印制電路板上磁控濺射鍍銅的方法，其特征在 于：所述銅靶為可彎折的銅層。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在撓性印制電路板上磁控濺射鍍銅的方法，其特征在 于：所述惰性氣體為氬氣。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在撓性印制電路板上磁控濺射鍍銅的方法，其特征在 于，該方法還包括對(duì)鍍銅后的印制電路板進(jìn)行抗氧化處理步驟： (1) 用蒸餾水做溶劑，配制質(zhì)量分?jǐn)?shù)為〇. 11%的苯并三氮唑溶液； (2) 將鍍銅后的印制電路板浸泡于苯并三氮唑溶液中，浸泡時(shí)間不少于30min ; (3) 取出印制電路板，用蒸餾水漂洗三次以上，確保殘留液已清洗干凈； (4) 放入真空干燥箱中干燥48h ; (5) 獲得成品，保存在干燥陰涼處。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種工藝簡(jiǎn)單可控、對(duì)環(huán)境友好的在撓性印制電路板上磁控濺射鍍銅的方法。該方法是在撓性印制電路板的絕緣孔壁上鍍銅，該方法包括以下步驟：以銅靶為靶材，將撓性印制電路板作為基片放入真空室，在真空室壓力條件為0.5Pa～5.5Pa,電流密度為0.1A/dm2～1.1A/dm2,靶材與基片距離為5cm～15cm，通入惰性氣體的流量密度為54sccm～64sccm，濺射時(shí)間為10min。本發(fā)明可用于印制電路板電鍍領(lǐng)域。
【IPC分類】C23C14/20, C23C14/35
【公開號(hào)】CN105112863
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510437118
【發(fā)明人】徐景浩, 何波, 胡文成
【申請(qǐng)人】珠海元盛電子科技股份有限公司
【公開日】2015年12月2日
【申請(qǐng)日】2015年7月23日