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一種pcb化學(xué)鍍銀工藝的制作方法

文檔序號:9392353閱讀:613來源:國知局
一種pcb化學(xué)鍍銀工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及PCB制作技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說是一種PCB化學(xué)鍍銀工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]印制電路板(PCB)制造的最終工序是對表面進行可焊性處理。銀層有著良好的可焊、耐候和導(dǎo)電性能?,F(xiàn)今廣泛使用的熱風(fēng)整平工藝中存在缺陷,滿足不了社會對高技術(shù)和環(huán)境友好的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是為了彌補現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種PCB化學(xué)鍍銀工藝。
[0004]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
一種PCB化學(xué)鍍銀工藝,包括以下步驟:
(1)化學(xué)除油:將鉆孔后的線路板放入5%的堿性除油劑中,在50°C下處理5分鐘,取出后用熱水清洗干凈;
(2)微蝕:室溫下將整孔后的線路板放入80g/L過硫酸鈉和3%硫酸的混合溶液中,處理2分鐘后取出并用蒸餾水水洗兩次;
(3)預(yù)浸:室溫下將微蝕后的線路板放入硫酸亞錫l_50g/L、鹽酸l-100ml/L、氟化物0.l-5g/L的混合溶液中處理I分鐘;
(4)將預(yù)浸后的線路板放入化學(xué)鍍銀液中,調(diào)節(jié)PH值為0.5-1,在15°C下沉積8分鐘,取出后水洗兩次并吹干即可。
[0005]所述的一種PCB化學(xué)鍍銀工藝,其特征在于:所述的化學(xué)鍍銀液是由2.5 g / L Ag N O 3、12%的甲基磺酸、I g / L聚乙二醇600、1.5 g / L硫脲、2.5 g / L檸檬酸銨以及去離子水配制而成。
[0006]本發(fā)明的優(yōu)點在于:
本發(fā)明的鍍銀工藝鍍液能均勻起鍍,緩和沉積,得到的鍍層均勻,呈銀白色、光亮、無黃斑,厚度達到0.17 μ m。銀層與基體的結(jié)合力較好。
【具體實施方式】
[0007]一種PCB化學(xué)鍍銀工藝,包括以下步驟:
(1)化學(xué)除油:將鉆孔后的線路板放入5%的堿性除油劑中,在50°C下處理5分鐘,取出后用熱水清洗干凈;
(2)微蝕:室溫下將整孔后的線路板放入80g/L過硫酸鈉和3%硫酸的混合溶液中,處理2分鐘后取出并用蒸餾水水洗兩次;
(3)預(yù)浸:室溫下將微蝕后的線路板放入硫酸亞錫25g/L、鹽酸50ml/L、氟化物3g/L的混合溶液中處理I分鐘;
(4)將預(yù)浸后的線路板放入化學(xué)鍍銀液中,調(diào)節(jié)PH值為0.8,在15°C下沉積8分鐘,取出后水洗兩次并吹干即可。
[0008]所述的化學(xué)鍍銀液是由2.5g/LAgN0 3、12%的甲基磺酸、I g / L聚乙二醇600、1.5 g / L硫脲、2.5 g / L梓檬酸錢以及去離子水配制而成。
【主權(quán)項】
1.一種PCB化學(xué)鍍銀工藝,其特征在于:包括以下步驟: (1)化學(xué)除油:將鉆孔后的線路板放入5%的堿性除油劑中,在50°C下處理5分鐘,取出后用熱水清洗干凈; (2)微蝕:室溫下將整孔后的線路板放入80g/L過硫酸鈉和3%硫酸的混合溶液中,處理2分鐘后取出并用蒸餾水水洗兩次; (3)預(yù)浸:室溫下將微蝕后的線路板放入硫酸亞錫l_50g/L、鹽酸l-100ml/L、氟化物0.l-5g/L的混合溶液中處理I分鐘; (4)將預(yù)浸后的線路板放入化學(xué)鍍銀液中,調(diào)節(jié)PH值為0.5-1,在15°C下沉積8分鐘,取出后水洗兩次并吹干即可。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PCB化學(xué)鍍銀工藝,其特征在于:所述的化學(xué)鍍銀液是由 2.5g/LAgNO 3、12% 的甲基磺酸、I g / L 聚乙二醇 600、1.5 g / L 硫脲、2.5 g /L檸檬酸銨以及去離子水配制而成。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種PCB化學(xué)鍍銀工藝,涉及PCB制作技術(shù)領(lǐng)域,包括化學(xué)除油、微蝕、預(yù)浸、化學(xué)鍍銀等步驟。本發(fā)明的鍍銀工藝鍍液能均勻起鍍,緩和沉積,得到的鍍層均勻,呈銀白色、光亮、無黃斑,厚度達到0.17μm。銀層與基體的結(jié)合力較好。
【IPC分類】C23C18/42, C23C18/20, C23C18/24
【公開號】CN105112896
【申請?zhí)枴緾N201510468695
【發(fā)明人】柏萬春, 嚴(yán)正平, 柏寒
【申請人】永利電子銅陵有限公司
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2015年8月4日
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