一種真空蒸發(fā)源裝置及真空蒸鍍設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及顯示設(shè)備制造領(lǐng)域，特別設(shè)及一種真空蒸發(fā)源裝置及真空蒸鍛設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機致電發(fā)光（OLED)顯示器件的制備過程中，常采用蒸鍛法進行無機層和有機 層的制備。蒸鍛法是一種屬于物理氣相沉積的真空鍛膜技術(shù)，其原理為將蒸鍛的材料置于 真空蒸發(fā)源裝置的相蝸內(nèi)，通過對相蝸加熱，使材料從固態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)的原子、原子團或分 子，然后凝聚到待鍛膜的基板表面形成薄膜。在采用蒸鍛法制備較大尺寸的OL邸顯示面板 時，主要采用真空蒸發(fā)源裝置靜止、且玻璃基板在相蝸上方進行水平運動的方式進行蒸鍛。 相蝸不同位置處的蒸鍛速率主要依靠改變蒸發(fā)溫度來進行調(diào)控，此調(diào)控方式常會造成相蝸 不同位置處的蒸鍛速率出現(xiàn)較大差異，導致基板上薄膜厚度的均勻性較差，降低了顯示屏 內(nèi)的電學及光學的均勻性，進而降低了顯示屏的亮度及顏色均勻性，導致顯示屏的顯示效 果下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明提供了一種真空蒸發(fā)源裝置及真空蒸鍛設(shè)備，可W減小蒸發(fā)源裝置不同位 置處的蒸鍛速率的差異，提高基板各處蒸鍛材料膜厚的均勻性，提高顯示屏內(nèi)電學及光學 均勻性，進而提升顯示屏的顯示性能。
[0004] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下的技術(shù)方案： 陽〇化]一種真空蒸發(fā)源裝置，包括蒸鍛相蝸和設(shè)置于蒸鍛相蝸出口處的第一蓋板和第二 蓋板，第一蓋板上設(shè)置有多個貫穿其厚度方向且均勻分布的第一過孔，第二蓋板上設(shè)置有 與第一過孔一一對應的第二過孔；第二蓋板可相對第一蓋板沿第一蓋板延伸方向位置可調(diào) 地疊置于第一蓋板上，每一對相互對應的第一過孔和第二過孔之間的重合面積大小與另一 對相互對應的第一過孔和第二過孔之間的重合面積大小相同，當?shù)诙w板相對于第一蓋板 移動時實現(xiàn)對每一對相互對應的第一過孔和第二過孔之間的重合面積的調(diào)節(jié)。
[0006] 上述真空蒸發(fā)源裝置在蒸鍛過程中，由于第一過孔與第二過孔為均勻分布，且每 一對相互對應的第一過孔和第二過孔之間的重合面積大小與另一對相互對應的第一過孔 和第二過孔之間的重合面積大小相同，所W蒸發(fā)源裝置在不同位置處的蒸鍛氣體在透過第 一過孔和第二過孔之間的重合處逸出時的氣體分布均勻性較好；并可通過調(diào)節(jié)第一蓋板和 第二蓋板的相對位置，改變相互對應的第一過孔和第二過孔之間的重合面積，從而調(diào)整蒸 鍛相蝸內(nèi)逸出的蒸鍛氣體的逸出速度，進而控制真空蒸發(fā)源裝置的蒸鍛速率，與現(xiàn)有技術(shù) 中通過調(diào)整蒸發(fā)溫度控制蒸鍛速率的方法相比，其控制精度更高。因此該真空蒸發(fā)源裝置 可W減小蒸發(fā)源不同位置處蒸鍛速率的差異，提高基板各處蒸鍛材料膜厚的均勻性，從而 提高顯示屏內(nèi)電學及光學均勻性，進而提升了顯示屏的整體顯示性能。
[0007] 優(yōu)選地，第一蓋板上設(shè)置的第一過孔陣列分布，且第二蓋板上設(shè)置的第二過孔陣 列分布。
[0008] 優(yōu)選地，每一對相互對應的第一過孔和第二過孔中，第一過孔和第二過孔的大小 相同。
[0009] 優(yōu)選地，第一蓋板中，每相鄰的兩個第一過孔之間的間距為lO-lOOmm。
[0010] 優(yōu)選地，相蝸為線源相蝸或面源相蝸。
[0011] 優(yōu)選地，第一蓋板設(shè)置的第一過孔為圓孔、楠圓孔或者多邊形孔，且第二蓋板設(shè)置 的第二過孔為圓孔、楠圓孔或者多邊形孔。
[0012] 優(yōu)選地，第一過孔和第二過孔的形狀相同。
[0013] 優(yōu)選地，當?shù)谝贿^孔和第二過孔為圓孔時，第一過孔和第二過孔的直徑為 100Um-5mm〇
[0014] 本發(fā)明還提供了一種真空蒸鍛設(shè)備，包括上述的真空蒸發(fā)源裝置。
[0015] 因該真空蒸鍛設(shè)備中的真空蒸發(fā)源裝置在蒸鍛過程中，由于第一過孔與第二過孔 為均勻分布，且每一對相互對應的第一過孔和第二過孔之間的重合面積大小與另一對相互 對應的第一過孔和第二過孔之間的重合面積大小相同，所W蒸發(fā)源裝置在不同位置處的蒸 鍛氣體在透過第一過孔和第二過孔之間的重合處逸出時的氣體分布均勻性較好；并可通過 調(diào)節(jié)第一蓋板和第二蓋板的相對位置，改變相互對應的第一過孔和第二過孔之間的重合面 積，從而調(diào)整蒸鍛相蝸內(nèi)逸出的蒸鍛氣體的逸出速度，進而控制真空蒸發(fā)源裝置的蒸鍛速 率，與現(xiàn)有技術(shù)中通過調(diào)整蒸發(fā)溫度控制蒸鍛速率的方法相比，其控制精度更高。因此該真 空蒸發(fā)源裝置可W有效減小蒸發(fā)源不同位置處蒸鍛速率的差異，提高基板各處蒸鍛材料膜 厚的均勻性，從而提高顯示屏內(nèi)電學及光學均勻性，進而提升了顯示屏的整體顯示性能。
【附圖說明】
[0016] 圖1為本發(fā)明【具體實施方式】提供的一種真空蒸發(fā)源裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017] 圖2為本發(fā)明【具體實施方式】提供的一種真空蒸發(fā)源裝置的蒸鍛速率調(diào)節(jié)原理示 意圖。
[0018] 附圖標記：
[0019] 10,蒸鍛相蝸；20,第一蓋板；21，第一過孔；
[0020] 30，第二蓋板；31，第二過孔。
【具體實施方式】
[0021] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒?發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實 施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0022] 如圖1和圖2所示，本發(fā)明【具體實施方式】提供了 一種真空蒸發(fā)源裝置，包括蒸鍛相 蝸10和設(shè)置于蒸鍛相蝸10出口處的第一蓋板20和第二蓋板30,第一蓋板20上設(shè)置有多 個貫穿其厚度方向且均勻分布的第一過孔21，第二蓋板30上設(shè)置有與第一過孔21 -一對 應的第二過孔31 ;第二蓋板30可相對第一蓋板20沿第一蓋板20延伸方向位置可調(diào)地疊 置于第一蓋板20上，每一對相互對應的第一過孔21和第二過孔31之間的重合面積大小與 另一對相互對應的第一過孔21和第二過孔31之間的重合面積大小相同，當?shù)诙w板30相 對于第一蓋板20移動時實現(xiàn)對每一對相互對應的第一過孔21和第二過孔31之間的重合 面積的調(diào)節(jié)。
[0023] 上述真空蒸發(fā)源裝置在蒸鍛過程中，由于第一過孔21與第二過孔31為均勻分布， 且每一對相互對應的第一過孔21和第二過孔31之間的重合面積大小與另一對相互對應的 第一過孔21和第二過孔31之間的重合面積大小相同，所W蒸發(fā)源裝置在不同位置處的蒸 鍛氣