一種平板式pecvd設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明主要涉及真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，特指一種平板式PECVD設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]PECVDCPlasmsa Enhanced Chemical Vapor Deposit1n)即等離子體增強化學(xué)氣相淀積，是在低壓條件下，利用射頻輝光放電將反應(yīng)氣體進行電離，形成具有較強活性的離子體的氣體，經(jīng)過一系列化學(xué)反應(yīng)后在樣品表面形成固態(tài)薄膜的方法。
[0003]PECVD設(shè)備具有氣體利用率高、工藝性能優(yōu)越、生產(chǎn)效率高、產(chǎn)能大、更容易實現(xiàn)整線自動化等優(yōu)點，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于LED芯片、光伏等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。PECVD工作時，在工藝反應(yīng)過程當(dāng)中，工藝氣體對反應(yīng)室的溫度精確性要求很高，而生產(chǎn)效率又對反應(yīng)室的溫度升溫效率提出了更高的要求。
[0004]傳統(tǒng)的LED芯片薄膜制作設(shè)備——PECVD設(shè)備對溫度的控制主要通過溫控儀來進行調(diào)節(jié)，因溫控儀的調(diào)節(jié)不夠精確，導(dǎo)致反應(yīng)腔溫度不能得到精確的控制，影響薄膜的制作質(zhì)量。另外傳統(tǒng)的PECVD設(shè)備使用單個加熱器對反應(yīng)腔進行加熱，升溫速度慢、效率低，很大程度上影響了設(shè)備的運行速度和產(chǎn)能的提高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題就在于:針對現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種結(jié)構(gòu)簡單、升溫效率高以及溫度控制精準(zhǔn)的平板式PECVD設(shè)備。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出的技術(shù)方案為:
一種平板式PECVD設(shè)備，包括反應(yīng)腔以及溫度控制裝置，所述反應(yīng)腔內(nèi)部分布有多個加熱器，所述溫度控制裝置包括工控機和多路溫度控制組件，多路溫度控制組件均與所述工控機相連，所述溫度控制組件與加熱器一一對應(yīng)相連用于對加熱器進行獨立控制，所述溫度控制組件包括溫度傳感器、溫度控制儀以及功率調(diào)節(jié)器，所述溫度傳感器位于反應(yīng)腔安裝加熱器的位置處且與溫度控制儀相連，所述功率調(diào)節(jié)器分別與溫度控制儀和對應(yīng)的加熱器相連。
[0007]作為上述技術(shù)方案的進一步改進:
所述工控機還連接有用于對反應(yīng)腔內(nèi)各個加熱器處的溫度進行實時顯示的顯示組件。
[0008]所述加熱器的數(shù)量為三個，均勻分布在所述反應(yīng)腔的內(nèi)部。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于:
本發(fā)明的平板式PECVD設(shè)備，在反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)置有多個加熱器，能夠同時對反應(yīng)腔進行加熱，提高加熱效率，進一步提高了產(chǎn)能；各加熱器均有獨立控制的溫度控制組件，能夠?qū)Ω骷訜崞鬟M行精準(zhǔn)控制以及快速響應(yīng)，提高溫度控制的精度;而且使用功率調(diào)節(jié)器對加熱器進行直接控制，控制精度更高，溫度傳感器采集的溫度實時傳遞至溫度控制儀，再在溫度控制儀內(nèi)與設(shè)定溫度比較后，輸出調(diào)整量至功率調(diào)節(jié)器進行閉環(huán)控制，進一步提高了控制精度，有利于提尚廣品的質(zhì)量。
【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明的方框結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2為本發(fā)明的溫度控制方框圖。
[0012]圖中標(biāo)號表示:1、反應(yīng)腔；2、加熱器；3、溫度傳感器；4、功率調(diào)節(jié)器；5、溫度控制儀;6、工控機;7、顯示組件;8、控制組件。
【具體實施方式】
[0013]以下結(jié)合說明書附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步描述。
[0014]如圖1和圖2所示，本實施例的平板式PECVD設(shè)備，包括反應(yīng)腔1以及溫度控制裝置，其中反應(yīng)腔1內(nèi)部分布有多個加熱器2，用于同時對反應(yīng)腔1進行加熱，提高加熱效率;溫度控制裝置包括工控機6和多路溫度控制組件，多路溫度控制組件均與工控機6相連，溫度控制組件與加熱器2—一對應(yīng)相連用于對加熱器2進行獨立控制，溫度控制組件包括溫度傳感器3、溫度控制儀5以及功率調(diào)節(jié)器4(TPS)，溫度傳感器3位于反應(yīng)腔1安裝加熱器2的位置處且與溫度控制儀5相連，功率調(diào)節(jié)器4分別與溫度控制儀5和對應(yīng)的加熱器2相連。在實際工作時，在工控機6內(nèi)設(shè)定反應(yīng)腔1的目標(biāo)溫度，然后控制功率調(diào)節(jié)器4對加熱器2進行加熱，加熱器2處的溫度在溫度傳感器3的實時采集下再發(fā)送至溫度控制儀5，然后在溫度控制儀5內(nèi)與目標(biāo)溫度進行對比，輸出調(diào)整量至功率調(diào)節(jié)器4，再對加熱器2的加熱程度進行調(diào)節(jié)。本發(fā)明的平板式PECVD設(shè)備，在反應(yīng)腔1內(nèi)設(shè)置有多個加熱器2，能夠同時對反應(yīng)腔1進行加熱，提高加熱效率，進一步提高了產(chǎn)能；各加熱器2均有獨立控制的溫度控制組件，能夠?qū)Ω骷訜崞?進行精準(zhǔn)控制以及快速響應(yīng)，提高溫度控制的精度;而且使用功率調(diào)節(jié)器4對加熱器2進行直接控制，控制精度更高，溫度傳感器3采集的溫度實時傳遞至溫度控制儀5，再在溫度控制儀5內(nèi)與設(shè)定溫度PID調(diào)節(jié)后，輸出調(diào)整量至功率調(diào)節(jié)器4進行閉環(huán)控制，進一步提高了控制精度，有利于提尚廣品的質(zhì)量。
[0015]本實施例中，工控機6還連接有控制組件8(PLC)和用于對反應(yīng)腔1內(nèi)各個加熱器2處的溫度進行實時顯示的顯示組件7(觸摸屏)。另外，加熱器2的數(shù)量為三個，均勻分布在反應(yīng)腔1的內(nèi)部，用于快速均勻提升反應(yīng)腔1的溫度。
[0016]以上僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，本發(fā)明的保護范圍并不僅局限于上述實施例，凡屬于本發(fā)明思路下的技術(shù)方案均屬于本發(fā)明的保護范圍。應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理前提下的若干改進和潤飾，應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種平板式PECVD設(shè)備，包括反應(yīng)腔(1)以及溫度控制裝置，其特征在于，所述反應(yīng)腔(1)內(nèi)部分布有多個加熱器(2)，所述溫度控制裝置包括工控機(6)和多路溫度控制組件，多路溫度控制組件均與所述工控機(6)相連，所述溫度控制組件與加熱器(2)—一對應(yīng)相連用于對加熱器(2)進行獨立控制，所述溫度控制組件包括溫度傳感器(3)、溫度控制儀(5)以及功率調(diào)節(jié)器(4)，所述溫度傳感器(3)位于反應(yīng)腔(1)安裝加熱器(2)的位置處且與溫度控制儀(5)相連，所述功率調(diào)節(jié)器(4)分別與溫度控制儀(5)和對應(yīng)的加熱器(2)相連。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板式PECVD設(shè)備，其特征在于，所述工控機(6)還連接有用于對反應(yīng)腔(1)內(nèi)各個加熱器(2)處的溫度進行實時顯示的顯示組件(7)。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的平板式PECVD設(shè)備，其特征在于，所述加熱器(2)的數(shù)量為三個，均勻分布在所述反應(yīng)腔(1)的內(nèi)部。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種平板式PECVD設(shè)備，包括反應(yīng)腔以及溫度控制裝置，所述反應(yīng)腔內(nèi)部分布有多個加熱器，所述溫度控制裝置包括工控機和多路溫度控制組件，多路溫度控制組件均與所述工控機相連，所述溫度控制組件與加熱器一一對應(yīng)相連用于對加熱器進行獨立控制，所述溫度控制組件包括溫度傳感器、溫度控制儀以及功率調(diào)節(jié)器，所述溫度傳感器位于反應(yīng)腔安裝加熱器的位置處且與溫度控制儀相連，所述功率調(diào)節(jié)器分別與溫度控制儀和對應(yīng)的加熱器相連。本發(fā)明的平板式PECVD設(shè)備具有結(jié)構(gòu)簡單、升溫速度快、溫度控制精準(zhǔn)等優(yōu)點。
【IPC分類】C23C16/46, C23C16/513
【公開號】CN105441907
【申請?zhí)枴緾N201510912886
【發(fā)明人】謝振勇, 吳得軼, 劉東明, 田湘龍
【申請人】湖南紅太陽光電科技有限公司
【公開日】2016年3月30日
【申請日】2015年12月11日