一種多功能手機(jī)蓋板及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種手機(jī)蓋板技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種多功能手機(jī)蓋板及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著社會(huì)的進(jìn)步和科技的發(fā)展，手機(jī)的屏幕所發(fā)出的藍(lán)光、紫外線(xiàn)、炫目光對(duì)眼睛視力的傷害越來(lái)越嚴(yán)重。
[0003]藍(lán)光是波長(zhǎng)為400-500nm的高能量可見(jiàn)光，藍(lán)光是可以直接穿透眼角膜、眼睛晶體、直達(dá)視網(wǎng)膜，藍(lán)光會(huì)刺激視網(wǎng)膜產(chǎn)生大量自由基離子，使得視網(wǎng)膜色素上皮細(xì)胞的萎縮，并引起光敏感細(xì)胞的死亡，視網(wǎng)膜色素上皮細(xì)胞對(duì)藍(lán)光區(qū)域的光輻射吸收作用很強(qiáng)，吸收了藍(lán)光輻射會(huì)使視網(wǎng)膜色素上皮細(xì)胞萎縮，這也是產(chǎn)生黃斑病變的主要原因之一；藍(lán)光輻射成分越高對(duì)視覺(jué)細(xì)胞傷害越大，視網(wǎng)膜色素上皮細(xì)胞的萎縮，會(huì)使視網(wǎng)膜的圖像變得模糊，對(duì)模糊的影像睫狀肌會(huì)在做不斷的調(diào)節(jié)，加重睫狀肌的工作強(qiáng)度，引起視覺(jué)疲勞。在紫外線(xiàn)和藍(lán)光的作用下會(huì)引起人們的視覺(jué)疲勞，視力會(huì)逐漸下降，易引起眼睛視覺(jué)上的干澀、畏光、疲勞等早發(fā)性白內(nèi)障、自發(fā)性黃斑部病變。因此，現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)了一些能夠過(guò)濾部分有害光線(xiàn)的手機(jī)屏幕蓋板，然而現(xiàn)有的手機(jī)屏幕蓋板在使用過(guò)程中很容易被刮花或蹭花，影響美觀，更嚴(yán)重的是，手機(jī)屏幕蓋板的表面刮花或蹭花后，內(nèi)層暴露在空氣中，容易受腐蝕，影響使用壽命。另外，現(xiàn)有的手機(jī)屏幕蓋板較少有殺菌功能，人們?cè)谑褂眠^(guò)程中容易從手機(jī)屏幕蓋板上感染細(xì)菌，給人體造成傷害。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種可有效防止藍(lán)光對(duì)人體的傷害，具有高耐磨性和防炫目功能，適于夜間使用的多功能手機(jī)蓋板及其制備方法。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種多功能手機(jī)蓋板，包括基板，所述基板的外表面從里到外依序設(shè)有第一膜層、第二膜層、第三膜層、第四膜層、第五膜層、第六膜層、第七膜層、第八膜層、第九模層、第十膜層和第十一膜層；所述第一膜層、第三膜層和第五膜層均為五氧化三鈦層，厚度均為10-1OOnm;所述第二膜層、第四膜層和第六膜層均為二氧化硅層，厚度均為50-100nm;所述第七膜層為金屬層，厚度為5-20nm;所述第八膜層為納米銀層，第八膜層的厚度為5_20nm;所述第九膜層為ITO層，第九膜層的厚度為1-1OOnm;所述第十膜層為高硬度層，厚度為10-50nm;所述第^ 膜層為氟化物層，第^ 膜層的厚度為3-10nmo
[0006]所述金屬層的膜材為金、銀、鉑、釹、銅、鋅、鎳、金合金、銀合金、鉑合金、釹合金、銅合金、鋅合金或鎳合金，并由電子槍蒸鍍成型。
[0007]所述納米銀層的膜材為銀的氧化物，并使用電子槍蒸鍍成型，所述銀的氧化物為Ag0、Ag20 或 Ag2〇3。
[0008]所述氟化物層的膜材為氟化鎂，并由電阻加熱蒸鍍成型。
[0009]所述高硬度層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，并由電子槍蒸鍍成型。
[0010]所述基板由樹(shù)脂或玻璃成型。
[0011]本發(fā)明還公開(kāi)一種多功能手機(jī)蓋板的制備方法，所述手機(jī)蓋板的基板由樹(shù)脂成型時(shí)，所述制備方法具體包括以下步驟:
1)對(duì)基板的外表面進(jìn)行清洗；
2)對(duì)基板的外表面進(jìn)行鍍膜；
A、鍍第一膜層:
將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至小于或等于5.0 X 10—3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50_70°C，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，第一膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于基板的外表面，同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為2.5A/S，第一膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中，所述第一膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；
B、鍍第二膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度小于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第二膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面，同時(shí)控制第二膜層蒸鍍的速率為7A/S，第二膜層最終形成后的厚度為50-100nm;其中，所述第二膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
C、鍍第三膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度小于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時(shí)控制第三膜層蒸鍍的速率為2.5A/S，第三膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中，所述第三膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；
D、鍍第四膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度小于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第四膜層的膜材，第四膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟C中第三膜層的表面，同時(shí)控制第四膜層蒸鍍的速率為7A/S，第四膜層最終形成后的厚度為50-100nm;其中，所述第四膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
E、鍍第五膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度小于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第五膜層的膜材，第五膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟D中第四膜層的表面，同時(shí)控制第五膜層蒸鍍的速率為2.5A/S，第五膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中，所述第五膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；
F、鍍第六膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度小于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第六膜層的膜材，第六膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟E中第五膜層的表面，同時(shí)控制第六膜層蒸鍍的速率為7A/S，第六膜層最終形成后的厚度為50-100nm;其中，所述第六膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
G、鍍第七膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第七膜層的膜材，第七膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟F中第六膜層的表面，同時(shí)控制第七膜層蒸鍍的速率為1A/S，第七膜層最終形成后的厚度為5_20nm，其中第七膜層的膜材為金、銀、鉑、釹、銅、鋅、鎳、金合金、銀合金、鉑合金、釹合金、銅合金、鋅合金或鎳合金，形成金屬層；
H、鍍第八膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第八膜層的膜材，其中第八膜層的膜材為銀的氧化物，在電子槍蒸鍍的作用下，銀的氧化物分解后以納米銀的形式附著于上述步驟G中第七膜層的表面，同時(shí)控制第八膜層蒸鍍的速率為1A/S，第八膜層最終形成厚度為5-20nm的納米銀層;其中所述銀的氧化物為Ag2O、AgO或Ag2O3 ；
1、鍍第九膜層:
將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至大于或等于5.0 X 10—3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第九膜層的膜材，第九膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟H中第八膜層的表面，同時(shí)控制第九膜層蒸鍍的速率為1A/S，第九膜層最終形成后的厚度為lO-lOOnm，其中第九膜層的膜材為ITO材料，形成ITO層；
J、鍍第十膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度小于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第十膜層的膜材，第十膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟I中第九膜層的表面，同時(shí)控制第十膜層蒸鍍的速率為7A/S，第十膜層最終形成后的厚度為10_50nm;其中，所述第十膜層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅高硬度晶體或者一氧化硅高硬度晶體，形成高硬度層；
K、鍍第^^一層膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電阻加熱第十一膜層的膜材，第十一膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟J中第十膜層的表面，同時(shí)控制第十一膜層蒸鍍的速率為1.5A/S，第十一膜層最終形成后的厚度為3-10nm，其中第十一膜層的膜材為氟化物，形成氟化物層。
[0012]所述的步驟I)中對(duì)基板的外表面進(jìn)行清洗的具體步驟如下:將基板放在真空艙內(nèi)，用離子槍轟擊基板的外表面2-3分鐘進(jìn)行清洗。
[0013]當(dāng)所述手機(jī)蓋板的基板由玻璃成型時(shí)，所述制備方法具體包括以下步驟:
1)對(duì)基板的外表面進(jìn)行清洗；
2)對(duì)基板的外表面進(jìn)行鍍膜；
A、鍍第一膜層:
將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至小于或等于5.0 X 10—3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，第一膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于基板的外表面，同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為2.5A/S，第一膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中，所述第一膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；
B、鍍第二膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度小于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第