鋁靶材的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶面板的制造領(lǐng)域，尤其涉及一種鋁靶材的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器(TFT-1XD)面板廠在6代線以上所用的配線通常為鋁配線。鋁配線通常利用物理氣相沉積技術(shù)形成，即通常通過鋁靶材濺射的方式形成膜層，然后采用刻蝕工藝刻蝕膜層形成鋁配線。
[0003]鋁靶材通常由純鋁制作?，F(xiàn)有鋁靶材的制作過程通常包括提供鋁錠，并對鋁錠進行第一熱處理，然后對第一熱處理后的鋁錠進行鍛打，以形成第一鋁靶材坯料，再對第一鋁靶材坯料進行第二熱處理，在第二熱處理后，對第一鋁靶材坯料進行軋制，形成第二鋁靶材坯料，最后對第二鋁靶材坯料進行第三次熱處理，以使第二鋁靶材坯料中的晶粒再結(jié)晶，從而形成鋁靶材。
[0004]然而，現(xiàn)有鋁靶材的制造方法通常無法達到高世代TFT-1XD面板的使用需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明解決的問題是提供一種鋁靶材的制造方法，以使得制造形成的鋁靶材滿足達到高世代TFT-1XD面板的使用需求。
[0006]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種鋁靶材的制造方法，包括:
[0007]提供鋁錠；
[0008]對所述鋁錠進行第一熱處理；
[0009]在所述第一熱處理后，對所述鋁錠進行鍛打以形成第一鋁靶材坯料；
[0010]對所述第一鋁靶材坯料進行第二熱處理；
[0011 ] 在所述第二熱處理后，對所述第一鋁靶材坯料進行軋制以形成第二鋁靶材坯料；
[0012]將至少兩個所述第二鋁靶材坯料接觸在一起；
[0013]對接觸在一起的所述第二鋁靶材坯料同時進行第三熱處理，以形成鋁靶材。
[0014]可選的，所述第二鋁靶材坯料的形狀呈長方體，所述長方體中面積最大的兩個表面為主表面，其它表面為側(cè)面；將至少兩個所述第二鋁靶材坯料接觸在一起的步驟包括:將相鄰兩個所述第二鋁靶材坯料中，第一個所述第二鋁靶材坯料的其中一個所述主表面與第二個所述第二鋁靶材坯料的其中一個所述主表面至少部分疊合在一起。
[0015]可選的，將全部所述第二鋁靶材坯料按階梯錯開式疊合，以使相互疊合的所述主表面至少有部分暴露在外，并在每個所述第二鋁靶材坯料的所述主表面連接一個熱電偶。
[0016]可選的，將全部所述第二鋁靶材坯料按完全重疊式疊合，以使相互疊合的所述主表面完全重疊在一起，并在每個所述第二鋁靶材坯料的所述側(cè)面連接一個熱電偶。
[0017]可選的，接觸在一起的所述第二鋁靶材坯料具有兩個完全暴露在外的所述主表面，采用鋁板與至少其中一個完全暴露在外的所述主表面疊合。
[0018]可選的，還包括:對接觸在一起的所述第二鋁靶材坯料進行捆綁，在捆綁后對所述第二鋁靶材坯料進行所述第三熱處理。
[0019]可選的，將三個、四個或者五個所述第二鋁靶材坯料接觸在一起。
[0020]可選的，所述第三熱處理的熱處理溫度為245 °C?255 °C，熱處理時間為14.5min ?15.5min。
[0021]可選的，所述第二熱處理的熱處理溫度為395 °C?405 °C，熱處理時間為29.5min ?30.5min。
[0022]可選的，所述第一熱處理的熱處理溫度為295 °C?305 °C，熱處理時間為29.5min ?30.5min。。
[0023]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點:
[0024]本發(fā)明的技術(shù)方案中，首先提供鋁錠，并對所述鋁錠進行第一熱處理，在所述第一熱處理后，對所述鋁錠進行鍛打以形成第一鋁靶材坯料，然后對所述第一鋁靶材坯料進行第二熱處理，在所述第二熱處理后，對所述第一鋁靶材坯料進行軋制以形成第二鋁靶材坯料，之后將至少兩個所述第二鋁靶材坯料接觸在一起，對接觸在一起的所述第二鋁靶材坯料同時進行第三熱處理，以形成鋁靶材。由于先將至少兩個所述第二鋁靶材坯料接觸在一起，再對接觸在一起的所述第二鋁靶材坯料同時進行第三熱處理，因此，在第三熱處理時，接觸在一起的第二鋁靶材坯料之間會發(fā)生熱傳遞，而鋁靶材坯料本身是金屬材料，金屬的導(dǎo)熱性能良好，因此在第三熱處理過程中，接觸在一起的第二鋁靶材坯料各部分溫度能夠達到均勻，從而使熱處理后得到的鋁靶材中，不僅將晶粒大小控制在100 μ m以下，而且不同鋁靶材之間的晶粒大小均一。此外，由于一次對至少兩個第二鋁靶材坯料進行第三熱處理，還同時提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。
[0025]進一步，所述第二鋁靶材坯料的形狀呈長方體，所述長方體中面積最大的兩個表面為主表面；將至少兩個所述第二鋁靶材坯料接觸在一起的步驟包括:將相鄰兩個所述第二鋁靶材坯料中，第一個所述第二鋁靶材坯料的其中一個所述主表面與第二個所述第二鋁靶材坯料的其中一個所述主表面至少部分疊合在一起。此時，接觸在一起的所述第二鋁靶材坯料具有兩個完全暴露在外的所述主表面，采用鋁板與至少其中一個完全暴露在外的所述主表面疊合。由于采用鋁板與至少其中一個完全暴露在外的所述主表面疊合，因此能夠使各個第二鋁靶材坯料的受熱條件更加一致，從而進一步提高了最終形成的鋁靶材中晶粒大小的均一性。
【附圖說明】
[0026]圖1至圖4是本發(fā)明實施例所提供的鋁靶材的制造方法各步驟對應(yīng)結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0027]現(xiàn)有鋁靶材的制造方法通常需要經(jīng)過三次熱處理。然而，現(xiàn)有的熱處理方式針對6代線以上的鋁靶材時，常常無法達到相應(yīng)的處理要求。這是因為6代線以上的TFT-1XD面板使用的鋁靶材本身尺寸較大，往往很難控制鋁靶材在熱處理爐內(nèi)溫度的均一性。例如而
8.5代線的鋁靶材面積為2650mmX210mm，現(xiàn)有與之匹配的熱處理爐中，爐溫傳遞至鋁靶材各個方位的溫度往往有差異。此外，對于6代線以上的TFT-LCD面板，當在玻璃基板上形成鋁配線時，需要同時使用多個鋁靶材一起濺射。例如6代線的TFT-LCD面板需要同時使用10個鋁靶材，而8.5代線的TFT-LCD面板更是要求12個為一組的大型鋁靶材同時使用，以在玻璃基板的整面上形成相應(yīng)的鋁配線。由于需要同時使用一組多個大型鋁靶材，因此，要求嚴格控制最終熱處理后晶粒的均一性。具體的，為滿足6代線以上的TFT-LCD面板的使用要求，要求同一組中各達到以下兩個標準:
[0028]1、鋁靶材晶粒大小控制在100 μ m以下；
[0029]2、保持不同鋁靶材之間的晶粒大小均一。
[0030]可見，6代線以上TFT-1XD面板所用的鋁靶材中，通常是多個(例如10個或12個)為一套配合使用，要使每一片的鋁靶材熱處理溫度分布均勻更加困難?，F(xiàn)有制造方法中，逐個地對鋁靶材坯料進行熱處理，因此不同鋁靶材之間的晶粒大小均一性很難控制，易出現(xiàn)不同鋁靶材之間的晶粒大小不夠均一的情況，無法滿足6代線以上TFT-LCD面板的使用要求。
[0031]為此，本發(fā)明提供一種新的鋁靶材的制造方法，所述制造方法首先提供鋁錠，并對所述鋁錠進行第一熱處理，在所述第一熱處理后，對所述鋁錠進行鍛打以形成第一鋁靶材坯料，然后對所述第一鋁靶材坯料進行第二熱處理，在所述第二熱處理后，對所述第一鋁靶材坯料進行軋制以形成第二鋁靶材坯料，之后將至少兩個所述第二鋁靶材坯料接觸在一起，對接觸在一起的所述第二鋁靶材坯料同時進行第三熱處理，以形成鋁靶材。
[0032]由于先將至少兩個所述第二鋁靶材坯料接觸在一起，再對接觸在一起的所述第二鋁靶材坯料同時進行第三熱處理，因此，在第三熱處理時，各第二鋁靶材坯料之間會發(fā)生熱傳遞，而鋁靶材坯料本身是金屬材料，金屬的導(dǎo)熱性能良好，因此在第三熱處理的保溫過程中，能夠使接觸在一起的各第二鋁靶材坯料各部分溫度達到均勻，從而使熱處理后的鋁靶材晶粒大小控制在100 μ m以下，且不同鋁靶材之間的晶粒大小均一。此外，由于一次對至少兩個第二鋁靶材坯料進行第三熱處理，還同時提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。
[0033]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細的說明。
[0034]本發(fā)明實施例提供一