包含旋轉(zhuǎn)部件的沉積膜形成裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及包含旋轉(zhuǎn)部件的沉積膜形成裝置。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，提供一種沉積膜形成裝置，其特征在于，包括多個(gè)基板支撐部，在每個(gè)所述基板支撐部上配置有用于分別旋轉(zhuǎn)多個(gè)基板的多個(gè)旋轉(zhuǎn)部件，每個(gè)所述旋轉(zhuǎn)部件通過氣墊方式在所述基板支撐部上進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，在所述基板支撐部上除了所述多個(gè)旋轉(zhuǎn)部件所處部分之外的部分設(shè)置有蓋體，所述基板支撐部與所述蓋體之前形成有間隙，在所述氣墊方式中所使用的規(guī)定氣體通過所述間隙被排出。
【專利說明】
包含旋轉(zhuǎn)部件的沉積膜形成裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種包含旋轉(zhuǎn)部件的沉積膜形成裝置。特別是，本發(fā)明涉及可以通過包含在多個(gè)基板支撐部中的每個(gè)旋轉(zhuǎn)部件以控制基板自轉(zhuǎn)的沉積膜形成裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(LED:Light Emitting D1de)作為將電流轉(zhuǎn)換成光的半導(dǎo)體發(fā)光元件，廣泛使用于包括信息通信設(shè)備在內(nèi)的電子裝置的顯示圖像用光源。特別是，與白熾燈、熒光燈等傳統(tǒng)照明不同，其將電能轉(zhuǎn)換成光能的效率高，最高可以節(jié)省90%能量，隨著周知該事實(shí)，作為能夠代替熒光燈或白熾燈泡的元件而受人矚目。
[0003]這種LED元件的制造工藝大致可以分為外延工藝、芯片工藝、封裝工藝。外延工藝是指使化合物半導(dǎo)體在基板上外延生長(epitaxial growth)的工藝，芯片工藝是指在經(jīng)過外延生長的基板的各部分形成電極以制造外延芯片的工藝，封裝工藝是指通過將引線(Lead)連接到這樣制造的外延芯片上并進(jìn)行封裝以使光盡可能多地發(fā)射到外部的工藝。
[0004]可以說，在這些工藝中外延工藝是決定LED元件的發(fā)光效率的最核心工藝。這是因?yàn)?，?dāng)化合物半導(dǎo)體未在基板上外延生長時(shí)，結(jié)晶內(nèi)部出現(xiàn)缺陷，而這種缺陷作為非發(fā)光中心(nonradiative center)，從而降低LED元件的發(fā)光效率。
[0005]在進(jìn)行這種外延工藝、即在基板上形成外延層的工藝時(shí)主要采用液相外延(LPE:Liquid Phase Epitaxy)、氣相外延(VPE:Vapor Phase Epitaxy)、分子束外延(MBE:Molecular Beam Epitaxy)、化學(xué)氣相沉積(CVD:Chemical Vapor Deposit1n)法等，其中，主要采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法(M0CVD:Metal-0rganic Chemical Vapor Deposit1n)或氫化物氣相外延法(HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy)。
[0006]當(dāng)利用現(xiàn)有的MOCVD方法以及HVPE方法在多個(gè)基板上形成外延層時(shí)，一般從腔室內(nèi)部供給用于處理基板的工藝氣體。但是，為了提高工藝的均勻度，優(yōu)選為安裝有多個(gè)基板的基板支撐部進(jìn)行旋轉(zhuǎn)(空轉(zhuǎn))，而且優(yōu)選為多個(gè)基板也分別在基板支撐部上進(jìn)行旋轉(zhuǎn)(自轉(zhuǎn))。但是，在現(xiàn)有的沉積膜形成裝置上難以實(shí)現(xiàn)基板支撐部空轉(zhuǎn)的同時(shí)多個(gè)基板分別自轉(zhuǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明為了解決如上所述的現(xiàn)有技術(shù)的所有問題而提出，目的在于提供一種沉積膜形成裝置，所述沉積膜形成裝置可以通過分別包含在多個(gè)基板支撐部中的旋轉(zhuǎn)部件以控制基板的自轉(zhuǎn)。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，提供一種沉積膜形成裝置，其特征在于，包括多個(gè)基板支撐部，在每個(gè)所述基板支撐部上配置有用于分別旋轉(zhuǎn)多個(gè)基板的多個(gè)旋轉(zhuǎn)部件，每個(gè)所述旋轉(zhuǎn)部件通過氣墊(gas-foil)方式在所述基板支撐部上進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，在所述基板支撐部上除了所述多個(gè)旋轉(zhuǎn)部件所處部分之外的部分設(shè)置有蓋體，所述基板支撐部與所述蓋體之前形成有間隙，在所述氣墊方式中所使用的規(guī)定氣體通過所述間隙被排出。
[0009]根據(jù)本發(fā)明，提供一種可以通過包含在多個(gè)基板支撐部中的每個(gè)旋轉(zhuǎn)部件以控制基板自轉(zhuǎn)的沉積膜形成裝置。
[0010]此外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種能夠提高多個(gè)基板之間的沉積膜的均勻度的沉積膜形成裝置。
【附圖說明】
[0011]圖1是本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的沉積膜形成裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0012]圖2是本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的基板支撐部30的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0013]圖3是本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的基板支撐部30的結(jié)構(gòu)的縱剖視圖。
[0014]圖4是本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的基板支撐部30中去除旋轉(zhuǎn)部件31與蓋體32的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0015]圖5是從其他角度示出圖4的立體圖。
[0016]圖6是本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的沉積膜形成裝置10的局部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖7是對圖6的“B”部分進(jìn)行放大的示意圖。
[0018]圖8是本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的第一支撐部的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖9是本發(fā)明的另一實(shí)施例涉及的基板支撐部的局部示意圖。
[0020]圖10是本發(fā)明的另一實(shí)施例涉及的連接管與基板支撐部之間的結(jié)合結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0021]附圖標(biāo)記
[0022]10:沉積膜形成裝置
[0023]30:基板支撐部
[0024]31:旋轉(zhuǎn)部件
[0025]32:蓋體
[0026]33:間隙形成部件
[0027]34:間隙
[0028]36:旋轉(zhuǎn)部件收容部
[0029]38:突出部
【具體實(shí)施方式】
[0030]有關(guān)后述的本發(fā)明的詳細(xì)說明，參照例示出能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的特定實(shí)施例的附圖。通過對這些實(shí)施例的詳細(xì)說明，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠充分實(shí)施本發(fā)明。本發(fā)明的各種實(shí)施例雖然有所不同，但不應(yīng)理解為相互排斥。例如，記載于此的一實(shí)施例的特定形狀、結(jié)構(gòu)以及特性，在不超出本發(fā)明的精神以及范圍的基礎(chǔ)上，可以以其他實(shí)施例的形式體現(xiàn)。而且，應(yīng)理解為，每個(gè)公開的實(shí)施例中的個(gè)別構(gòu)成要素的位置或設(shè)置，可以在不超出本發(fā)明的精神以及范圍的情況下進(jìn)行變更。因此，后述的詳細(xì)說明并非旨在限定本發(fā)明，準(zhǔn)確地說，本發(fā)明的范圍僅以權(quán)利要求書所記載的內(nèi)容為準(zhǔn)，包括與其權(quán)利要求所主張的內(nèi)容等同的所有范圍。附圖中類似的附圖標(biāo)記在多個(gè)方面表示相同或類似的功能。
[0031 ] 下面參照附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。
[0032]圖1是示出本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的沉積膜形成裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0033]首先，裝載于沉積膜形成裝置10上的基板(未圖示)的材質(zhì)沒有特別的限制，可以裝載玻璃、塑料、聚合物、硅晶片、不銹鋼、藍(lán)寶石等各種材質(zhì)的基板。下面以在發(fā)光二極管領(lǐng)域所使用的圓形藍(lán)寶石基板作為示例進(jìn)行說明。
[0034]本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的沉積膜形成裝置10可以包括腔室20。腔室20構(gòu)成為在工藝進(jìn)行過程中內(nèi)部空間被實(shí)質(zhì)性密閉，從而提供用于在多個(gè)基板上形成沉積膜的空間。這種腔室20保持最佳的工藝條件，可以被制造成方形或圓形。優(yōu)選為腔室20的材質(zhì)由石英(quartz)玻璃、涂覆有碳化娃(SiC)的石墨等構(gòu)成，但并非限定于此。
[0035]通常，在基板上形成沉積膜的工藝，向腔室20內(nèi)部供給沉積物質(zhì)之后，將腔室20的內(nèi)部溫度加熱至規(guī)定的溫度(例如，約800°C至1200°C)而實(shí)現(xiàn)。這樣，被供給的沉積物質(zhì)供給至基板以參與沉積膜的形成。
[0036]本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的沉積膜形成裝置10可以包括加熱器(未圖示)。加熱器設(shè)置在腔室20外部，可以向多個(gè)基板施加沉積工藝所需的熱量。為了使沉積膜在基板上順利生長，加熱器可以將基板溫度加熱至1200°C以上。
[0037]本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的沉積膜形成裝置10可以包括基板支撐部30。優(yōu)選為基板支撐部30形成為多個(gè)，且基板支撐部30以層狀排列設(shè)置。這樣，當(dāng)基板支撐部30形成為多個(gè)時(shí)，多個(gè)基板支撐部30可以通過間隔保持部件(未圖示)以彼此保持一定間隔的方式排列固定?；逯尾?0的數(shù)量可以根據(jù)本發(fā)明的目的而進(jìn)行各種變更。優(yōu)選為基板支撐部30以及間隔保持部件由石英玻璃等構(gòu)成，但并非限定于此。
[0038]此外，在基板支撐部30可以設(shè)置有多個(gè)旋轉(zhuǎn)部件(圖2的31)。優(yōu)選為設(shè)置在各個(gè)基板支撐部30上的旋轉(zhuǎn)部件31的數(shù)量與配置在各個(gè)基板支撐部30上的基板的數(shù)量相同，但并非限定于此。為了向基板均勻地供給基板處理氣體，旋轉(zhuǎn)部件31可以具備使基板旋轉(zhuǎn)的功能。對此在后文中詳述。
[0039]本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的沉積膜形成裝置10可以包括工藝氣體供給部40。工藝氣體供給部40可以向腔室20內(nèi)部供給形成沉積膜所需的基板處理氣體。
[0040]本說明書雖然說明了工藝氣體供給部40配置在腔室20中心的結(jié)構(gòu)，但并非限定于此。
[0041]本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的沉積膜形成裝置10可以包括第一支撐部60。第一支撐部60設(shè)置在腔室20的下部，在沉積工藝進(jìn)行過程中支撐多個(gè)基板支撐部30。此外，第一支撐部60能夠通過單獨(dú)的旋轉(zhuǎn)裝置(未圖示)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，從而誘導(dǎo)多個(gè)基板支撐部30的旋轉(zhuǎn)。
[0042]本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的沉積膜形成裝置10可以包括第二支撐部70。第二支持部70可以構(gòu)成為，與第一支撐部60 —起設(shè)置在腔室20的下部，并包圍第一支撐部60的外周。此外，第二支撐部70可以設(shè)置成，與第一支撐部60的旋轉(zhuǎn)無關(guān)地，相對于腔室20被固定。
[0043]下面，進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的基板支撐部30的結(jié)構(gòu)。
[0044]圖2是示出本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的基板支撐部30的結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖3是示出本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的基板支撐部30的結(jié)構(gòu)的縱剖視圖。
[0045]參照圖2以及圖3，本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的基板支撐部30包括可安裝多個(gè)基板5的多個(gè)旋轉(zhuǎn)部件31。旋轉(zhuǎn)部件31可以具有對應(yīng)于基板5的形狀，例如，可以是圓形。多個(gè)旋轉(zhuǎn)部件31可以在基板支撐部30上分別以氣墊(gas-foil)方式進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。本實(shí)施例雖然示出安裝在基板支撐部30上的基板5的數(shù)量為6個(gè)，但是并非限定于此，而且安裝在基板支撐部30上的基板的位置也可以變更。
[0046]另外，在基板支撐部30中除了配置有旋轉(zhuǎn)部件31之外的部分可以覆蓋單獨(dú)的蓋體32。旋轉(zhuǎn)部件31與蓋體32可以被設(shè)置成，旋轉(zhuǎn)部件31的上表面高度與蓋體32的上表面高度實(shí)質(zhì)相同。
[0047]下面，參照圖4以及圖5來說明在基板支撐部30內(nèi)供給規(guī)定氣體的流道51、52、53以及溝槽37。圖4是示出本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的基板支撐部30中去除旋轉(zhuǎn)部件31與蓋體32的結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖5是從其他角度示出圖4的立體圖。
[0048]參照圖4以及圖5，在基板支撐部30中配置有旋轉(zhuǎn)部件31的位置可以設(shè)置對應(yīng)于旋轉(zhuǎn)部件31的旋轉(zhuǎn)部件收容部36，在旋轉(zhuǎn)部件收容部36上形成有溝槽37。溝槽37可以流通規(guī)定氣體(例如，氮?dú)?，規(guī)定氣體可以從第一流道51供給，并通過第二流道52以及第三流道53供給至溝槽37。在溝槽37流通的規(guī)定氣體能夠提供可使旋轉(zhuǎn)部件31旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)力。溝槽37的形狀可以形成為，使旋轉(zhuǎn)部件31向規(guī)定的方向旋轉(zhuǎn)，例如，可以形成為朝向規(guī)定方向的螺旋狀。此外，為了調(diào)整旋轉(zhuǎn)部件31的旋轉(zhuǎn)數(shù)，可以調(diào)整溝槽37的寬度或深度。此外，圖4雖然示出，沿著規(guī)定氣體流通的方向，溝槽的37的寬度以及深度相同，但是也可以形成為，溝槽37的寬度以及深度沿著規(guī)定氣體流通的方向連續(xù)變化。例如，沿著規(guī)定氣體流通的方向，溝槽37的寬度可以逐漸變窄，溝槽37的深度可以逐漸變淺。
[0049]第二流道52的一端可以與第一流道51連接，在第一流道51可以流通從供氣部(圖6的80)供給的規(guī)定氣體。圖4雖然示出在基板支撐部30內(nèi)形成有三個(gè)第一流道51，且從每個(gè)第一流道51分歧出兩個(gè)第二流道52，但是第一流道51的數(shù)量以及從第一流道51分歧出的第二流道52的數(shù)量并非限定于此，可以增加流道的數(shù)量。而且，雖然示出在第二流道52的中間分歧出第三流道53，但是并非限定于此，根據(jù)需要也可以變更流道配置的形態(tài)。此外，圖中雖然示出形成有第一流道51的位置設(shè)置在基板支撐部30的外側(cè)，但是并非限定于此，只要能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的目的，可以形成在任意位置上。
[0050]另外，為了防止各個(gè)旋轉(zhuǎn)部件31之間的旋轉(zhuǎn)速度發(fā)生偏差，優(yōu)選為向各個(gè)第二流道52供給相同量的規(guī)定氣體。為此，優(yōu)選為多個(gè)第一流道51的截面積的總和大于多個(gè)第二流道52的截面積的總和。
[0051]在旋轉(zhuǎn)部件收容部36的中心可以形成有突出部38，以與形成在旋轉(zhuǎn)部件31下表面中心的槽(未圖示)結(jié)合。由于突出部38與旋轉(zhuǎn)部件31的槽結(jié)合，且溝槽37中流通規(guī)定氣體，從而旋轉(zhuǎn)部件31能夠以突出部38為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
[0052]下面參照圖3以及圖5說明間隙形成部件33。如果蓋體32與基板支撐部30貼緊，則被供給至溝槽37使旋轉(zhuǎn)部件31旋轉(zhuǎn)的規(guī)定氣體無法順暢排出，在旋轉(zhuǎn)部件31下側(cè)形成擾流，從而有可能妨礙旋轉(zhuǎn)部件31的旋轉(zhuǎn)，或者從旋轉(zhuǎn)部件31與蓋體32之間排出，從而有可能妨礙基板5上的沉積物的形成。由此，可以在基板支撐部30上設(shè)置多個(gè)間隙形成部件33。通過間隙形成部件33，可以在蓋體32與基板支撐部30之間形成能夠順暢排出規(guī)定氣體的間隙34。供給至溝槽37使旋轉(zhuǎn)部件31旋轉(zhuǎn)的規(guī)定氣體可以通過間隙34順暢地排出至外部，從而能夠解決因在旋轉(zhuǎn)部件31下側(cè)形成擾流而妨礙旋轉(zhuǎn)部件31旋轉(zhuǎn)的問題以及妨礙在基板5上形成沉積物的問題。
[0053]另外，在基板支撐部30的中心與蓋體32的中心可以形成有中心貫通孔35，供工藝氣體供給部40貫通。中心貫通孔35可以包括形成在基板支撐部30上的第一中心貫通孔35'以及形成在蓋體32上的第二中心貫通孔35〃。優(yōu)選為中心貫通孔35的直徑略大于工藝氣體供給部40的直徑。
[0054]下面參照圖6至圖8說明向基板支撐部30供給使旋轉(zhuǎn)部件31進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的規(guī)定氣體的方式。
[0055]圖6是本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的沉積膜形成裝置10的局部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0056]參照圖6，本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的沉積膜形成裝置10可以包括供氣部80。供氣部80可以通過供氣流道81向第二支撐部70內(nèi)部供給規(guī)定氣體(例如氮?dú)?。
[0057]第二支撐部70內(nèi)部可以形成有內(nèi)部供給流道70a，以提供可使規(guī)定氣體流通的通道。流通于內(nèi)部供給流道70a的規(guī)定氣體經(jīng)過與內(nèi)部供給流道70a連接的第一支撐部60內(nèi)部的內(nèi)部流道60a之后，經(jīng)過與連接管50連接的出口 60e，向形成在連接管50內(nèi)的連接流道54內(nèi)部流入。連接流道54連接多個(gè)基板支撐部30，以使規(guī)定氣體供給至最上側(cè)的基板支撐部30。各個(gè)基板支撐部30上形成有第一流道51，以向第二流道52以及第三流道53供給規(guī)定氣體，這一點(diǎn)與前述說明相同。
[0058]圖7是對圖6的“B”部分進(jìn)行放大的示意圖。“B”部分是涉及規(guī)定氣體從第二支撐部70向第一支撐部60流入的路徑的部分。此外，圖8是示出本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的第一支撐部的結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0059]參照圖7以及圖8，在內(nèi)部供給流道70a與內(nèi)部流道60a之間的第一支撐部60上可以形成有連接部60c。連接部60c可以沿著第一支撐部60的旋轉(zhuǎn)方向在第一支撐部60的外部形成為凹環(huán)狀。由此，即使第一支撐部60旋轉(zhuǎn)，從內(nèi)部供給流道70a供給的規(guī)定氣體也能夠流入至第一支撐部60內(nèi)部的內(nèi)部流道60a。
[0060]在連接部60c中的規(guī)定的位置可以形成有內(nèi)部流道60a開始的出口 60d。由于第一支撐部60可以旋轉(zhuǎn)，因此入口 60d的位置也可以旋轉(zhuǎn)。由此，即使內(nèi)部供給流道70a與入口 60d的位置相互不匹配，從內(nèi)部流道60a排出的規(guī)定氣體也可以沿著凹環(huán)狀的連接部60c流通后流入至入口 60d。沿著連接部60c的上部與下部配置有密封部件65，從而能夠防止規(guī)定氣體從第一支撐部60以及第二支撐部70之間向外部泄漏。
[0061]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，為了防止規(guī)定氣體從連接管50與基板支撐部30之間泄漏，提供連接管50與基板支撐部30之間的結(jié)合結(jié)構(gòu)。圖9是本發(fā)明的另一實(shí)施例涉及的基板支撐部的局部的示意圖，圖10是本發(fā)明的另一實(shí)施例涉及的連接管與基板支撐部之間的結(jié)合結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0062]參照圖9以及圖10，基板支撐部30中與連接管50連接的部位，即形成有第一流道51的位置周圍可以形成有凹凸形狀的結(jié)合部件39。結(jié)合部件39可以由形成在外側(cè)的第一結(jié)合部件39a以及形成在內(nèi)側(cè)的第二結(jié)合部件39b構(gòu)成，第一結(jié)合部件39a與第二結(jié)合部件39b分別可以呈環(huán)狀。與此對應(yīng)地，在連接管50的端部可以形成有具有與結(jié)合部件39的凹凸形狀對應(yīng)的凹凸形狀的結(jié)構(gòu)，即第一對應(yīng)結(jié)合部件50a與第二對應(yīng)結(jié)合部件50b。如圖10所示，在連接管50與基板支撐部30結(jié)合時(shí)，第一對應(yīng)結(jié)合部件50a插入第一結(jié)合部件39a與第二結(jié)合部件39b之間，第二對應(yīng)結(jié)合部件50b插入第二結(jié)合部件39b的內(nèi)側(cè)。即、形成在連接管50端部的凹凸形狀與結(jié)合部件39的凹凸形狀可以相互嵌合。通過這種連接管50與基板支撐部30之間的結(jié)合方式，能夠防止規(guī)定氣體從連接管50與基板支撐部30之間泄漏。
[0063]以上對連接管50與基板支撐部30的結(jié)合結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說明，但是連接管50與第一支撐部60結(jié)合時(shí)也可以適用相同的結(jié)合結(jié)構(gòu)。
[0064]如上所述，本發(fā)明通過優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明并非限定于上述實(shí)施例，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以在不超出本發(fā)明精神的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變形以及變更。應(yīng)理解為，這種變形例以及變更例包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種沉積膜形成裝置，其特征在于， 包括多個(gè)基板支撐部， 在每個(gè)所述基板支撐部上配置有用于分別旋轉(zhuǎn)多個(gè)基板的多個(gè)旋轉(zhuǎn)部件， 每個(gè)所述旋轉(zhuǎn)部件通過氣墊方式在所述基板支撐部上進(jìn)行旋轉(zhuǎn)， 在所述基板支撐部上除了所述多個(gè)旋轉(zhuǎn)部件所處部分之外的部分設(shè)置有蓋體， 所述基板支撐部與所述蓋體之前形成有間隙，在所述氣墊方式中所使用的規(guī)定氣體通過所述間隙被排出。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積膜形成裝置，其特征在于， 所述多個(gè)基板支撐部能夠各自進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積膜形成裝置，其特征在于， 所述多個(gè)旋轉(zhuǎn)部件的上表面高度與所述蓋體的上表面高度相同。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積膜形成裝置，其特征在于， 在所述基板支撐部上配置多個(gè)間隙形成部件，以在所述基板支撐部與所述蓋體之間形成間隙。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積膜形成裝置，其特征在于， 在所述基板支撐部中所述多個(gè)旋轉(zhuǎn)部件所在的多個(gè)部位分別形成有突出部， 所述多個(gè)旋轉(zhuǎn)部件能夠分別以所述突出部為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的沉積膜形成裝置，其特征在于， 還包括用于支撐所述多個(gè)基板支撐部的第一支撐部與第二支撐部， 所述第一支撐部能夠與所述多個(gè)基板支撐部一起進(jìn)行旋轉(zhuǎn)， 所述第二支撐部被固定。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的沉積膜形成裝置，其特征在于， 在所述第二支撐部內(nèi)形成有用于輸送所述規(guī)定氣體的內(nèi)部供給流道， 在所述第一支撐部內(nèi)形成有向所述多個(gè)基板支撐部輸送所述規(guī)定氣體的內(nèi)部流道，在所述第一支撐部的側(cè)面形成有凹環(huán)狀的連接部，以連接所述內(nèi)部供給流道與所述內(nèi)部流道。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的沉積膜形成裝置，其特征在于， 在所述連接部的上部以及下部中的至少一側(cè)形成有用于防止所述規(guī)定氣體的泄漏的密封部件。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的沉積膜形成裝置，其特征在于， 在所述第一支撐部與所述多個(gè)基板支撐部中位于最下側(cè)的基板支撐部之間、以及/或相鄰的基板支撐部之間，設(shè)置有能夠使所述規(guī)定氣體流動(dòng)的至少一個(gè)連接管。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的沉積膜形成裝置，其特征在于， 在所述第一支撐部或各所述多個(gè)基板支撐部與所述連接管結(jié)合的部位形成有用于防止所述規(guī)定氣體的泄漏的結(jié)合部件。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的沉積膜形成裝置，其特征在于， 所述結(jié)合部件呈凹凸形狀。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的沉積膜形成裝置，其特征在于， 在所述連接管的端部形成有與所述結(jié)合部件的凹凸形狀對應(yīng)的凹凸形狀，形成在所述連接管端部的凹凸形狀與所述結(jié)合部件的凹凸形狀相互嵌合。
【文檔編號(hào)】C23C16/52GK105839080SQ201510024399
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2015年1月16日
【發(fā)明人】吳忠錫, 李裕進(jìn), 李在鶴
【申請人】Tgo科技株式會(huì)社