用碳化硼制備研磨盤的方法
【專利摘要】用碳化硼制備研磨盤的方法，屬于磨具的制備領域。方法：1)以優(yōu)質的碳化硼為磨料，分別與樹脂結合劑熱壓成型、陶瓷結合劑高溫燒結、金屬結合劑電鍍或燒結制備碳化硼研磨層；2)通過粘結劑或電鍍，將磨料層和基體相結合制成碳化硼研磨盤。本發(fā)明方法，可減少因金剛石硬度過高造成的工件粗糙、崩邊和破裂等現(xiàn)象，增加了研磨面的平整度，提高了工件合格率，降低了后續(xù)拋光工序的難度和強度；本發(fā)明方法，大幅度降低研磨盤的成本，顯著地提高其經(jīng)濟效益。
【專利說明】
用碳化硼制備研磨盤的方法
技術領域
[0001]本發(fā)明屬于磨具的制備領域，特別涉及一種用碳化硼制備研磨盤的方法。
【背景技術】
[0002]隨著科技的進步，研磨和拋光作為超精密加工的重要手段，在工程陶瓷、光學玻璃、光電晶體、精密光學等器件得到越來越廣泛的應用，研磨和拋光成為影響了、甚至決定了產(chǎn)品質量的關鍵工序。研磨是作為拋光的前道工序，直接會影響著后續(xù)的拋光效率和工件的表面質量。研磨主要有兩種方式:(I)固結磨料研磨；(2)游離磨料研磨。其中固結磨料磨具主要有研磨盤、砂帶、砂輪等。
[0003]研磨盤作為固結磨料磨具的一種，以其高效、低廉等優(yōu)點而得到廣泛應用。研磨盤主要有金剛石研磨盤、氧化鋁研磨盤和鑄鐵研磨盤等。金剛石研磨盤研磨速率高但存在以下不足:(I)金剛石粉價格昂貴且產(chǎn)量低，致使研磨成本大大增加；(2)金剛石硬度過高，在研磨過程中容易造成工件表面粗糙度高、劃痕多、質量差等。針對金剛石研磨盤這些不足之處，現(xiàn)提出一種用碳化硼粉制備研磨盤的方法，即用碳化硼替代金剛石作為磨料制備碳化硼研磨盤。碳化硼磨料可分別與樹脂結合劑熱壓成型、陶瓷結合劑高溫燒結、金屬結合劑電鍍或燒結制備成碳化硼研磨盤。
[0004]碳化硼具有硬度高、耐磨性好、密度低(2.52g/cm3)及熔點高(2450°C)等優(yōu)異特性，被廣泛應用于機械研磨、耐火材料、工程陶瓷、核工業(yè)和軍事等領域。碳化硼莫氏硬度為9.36，硬度僅次于金剛石和立方氮化硼，所以可作為固結磨料研磨盤的磨料。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的目的是針對金剛石研磨盤存在的不足，提供一種以碳化硼為磨料制備研磨盤的方法。該方法以優(yōu)質的碳化硼代替金剛石作為磨料，分別與樹脂結合劑、陶瓷結合劑和金屬結合劑相結合制備碳化硼研磨盤。
[0006]方法一:本發(fā)明的用碳化硼制備研磨盤的方法，包括如下步驟:
[0007]步驟I，配料:
[0008]按質量比，碳化硼:樹脂結合劑:填料=(5?20):(2?20):(60?95)配料，混合均勾制得粉料，其中:
[0009]碳化硼的純度為95?99.9%;碳化硼的粒度為2?500μπι;碳化硼中硼碳比為3.8?4.5；碳化硼為單晶顆粒，莫氏硬度大于9.35;
[0010]樹脂結合劑和填料的平均粒度均為20?ΙΟΟμπι;
[0011]步驟2，制備磨料層:
[0012](I)將粉料，熱壓成生坯:熱壓的溫度為200?500°C，熱壓的時間為0.5?2h，熱制的壓力為2O?6OMPa;
[0013](2)將生坯在50?300°C固化I?2h，機械加工制得所需尺寸的樹脂碳化硼磨料層；
[0014]步驟3，與基體結合:
[0015]將基體清洗干凈，將樹脂碳化硼磨料層置于基體上，接觸的部位涂抹粘結劑，使樹脂碳化硼磨料層與基體結合牢固，制得樹脂碳化硼研磨盤。
[0016]上述的方法一:
[0017]所述的步驟I中，樹脂結合劑可為酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、雙馬來酰亞胺、聚酰亞胺樹脂中的一種；
[0018]所述的步驟2(1)中，采用熱壓機進行熱壓成型；
[0019]方法二:本發(fā)明的用碳化硼制備研磨盤的方法，包括如下步驟:
[0020]步驟I，配料:
[0021]按質量比，碳化硼:陶瓷結合劑:填料=(5?20): (2?20):(60?95)配料，混合均勾制得粉料，其中:
[0022]碳化硼的純度為95?99.9%;碳化硼的粒度為2?500μπι;碳化硼中硼碳比為3.8?4.5；碳化硼為單晶顆粒，莫氏硬度大于9.35;
[0023]陶瓷結合劑和填料的平均粒度均為20?ΙΟΟμπι;
[0024]步驟2，制備磨料層:
[0025](I)將粉料，常溫壓制成生坯后，進行干燥，其中，壓制的壓力為5?50MPa，壓制的時間為0.1?2h;干燥的溫度為50?300 0C，干燥時間為0.5?5h;
[0026](2)將干燥后的生坯，高溫燒結后，機械加工制得所需尺寸的陶瓷碳化硼磨料層，其中，燒結的溫度為600?2000°C，燒結時間為0.5?4h;
[0027]步驟3，與基體結合:
[0028]將基體清洗干凈，將陶瓷碳化硼磨料層置于基體上，接觸的部位涂抹粘結劑，使陶瓷碳化硼磨料層與基體結合牢固，制得陶瓷碳化硼研磨盤。
[0029]上述的方法二:
[0030]所述的步驟I中，陶瓷結合劑為陶瓷或玻璃；
[0031]方法三:本發(fā)明的用碳化硼制備研磨盤的方法，包括如下步驟:
[0032]步驟I，配料:
[0033]按質量比，碳化硼:金屬結合劑:填料=(5?20): (2?20):(60?95)配料，混合均勾制得粉料，其中:
[0034]碳化硼的純度為95?99.9%;碳化硼的粒度為2?500μπι;碳化硼中硼碳比為3.8?4.5；碳化硼為單晶顆粒，莫氏硬度大于9.35;
[0035 ]金屬結合劑和填料的平均粒度均為20?I ΟΟμπι;
[0036]步驟2，制備磨料層:
[0037]將粉料，在真空或惰性氣體保護下，熱壓燒結后，機械加工制得所需尺寸的金屬碳化硼磨料層;其中，熱壓的溫度為1000?2300°C，熱壓的時間為0.5?2h，熱壓的壓力為20?60MPa;
[0038]步驟3，與基體結合:
[0039]當金屬結合劑為銅基合金粉或鐵基合金粉時:
[0040]將基體清洗干凈，將金屬碳化硼磨料層置于基體上，接觸的部位涂抹粘結劑，使金屬碳化硼磨料層與基體結合牢固，制得金屬碳化硼研磨盤；
[0041 ]當金屬結合劑為鎳或鎳合金時:
[0042](I)將金屬碳化硼磨料層進行除油和超聲清洗預處理;將基體進行除銹、除油和陽極腐蝕預處理；
[0043](2)將預處理后的基體，進行電鍍;其中，電鍍金屬為鎳或鎳合金，電鍍電流密度為1.0?1.5A/dm2 ；
[0044](3)將預處理后的金屬碳化硼磨料層，通過電鍍植砂的方法與基體結合;其中，電鍍金屬為鎳或鎳合金;電鍍植砂的電流密度為0.1?0.6A/dm2;
[0045](4)將金屬碳化硼磨料層與基體結合的部位，進行電鍍，使碳化硼磨料牢固地固定在基體上，制得電鍍碳化硼研磨盤；其中，鍍金屬為鎳或鎳合金，電鍍電流密度為0.8?1.8A/dm2ο
[0046]上述的方法三:
[0047]所述的步驟I中，金屬結合劑為銅基合金粉或鐵基合金粉；
[0048]所述的步驟2中，惰性氣體為氬氣。
[0049]上述的方法一至方法三:
[0050]所述的步驟I中，碳化硼的粒度為6?12μηι、8?16μηι、20?30μηι、36?54μηι、60?70μm、70 ?80ym、100 ?120ym 或 325 ?400ym;
[0051]所述的步驟I中，填料為為三氧化二鉻粉、氧化鋅粉或白剛玉中的一種或幾種，平均粒度均為2?ΙΟΟμπι;
[0052]所述的步驟I中，在混料機將配料混合均勻；
[0053]所述的步驟3中，基體為鋁合金或者鐵合金；
[0054]所述的方法一至方法三，制備的碳化硼研磨盤的直徑為50?1500mm。
[0055]本發(fā)明的用碳化硼制備研磨盤的方法，選用的碳化硼的硬度(莫氏硬度為9.36)僅次于金剛石(莫氏硬度10)，但其價格僅為金剛石的約十分之一。所以本發(fā)明用碳化硼替代金剛石制備研磨盤，具有以下優(yōu)點:
[0056](I)可減少因金剛石硬度過高造成的工件粗糙、崩邊和破裂等現(xiàn)象，增加了研磨面的平整度，提高了工件合格率，降低了后續(xù)拋光工序的難度和強度；
[0057](2)可大幅度降低研磨盤的成本，顯著地提高其經(jīng)濟效益。
【具體實施方式】
:
[0058]以下實施例中，所選用的基體為鋁合金。
[0059]實施例1
[0060]用碳化硼制備研磨盤的方法，采用方法一，包括如下步驟:
[0061 ] 步驟I，配料:
[0062]按質量比，碳化硼:酚醛樹脂:三氧化二鉻粉=5: 2: 93配料，混合均勻制得粉料，其中:
[0063]碳化硼的純度為97%;碳化硼的粒度為60?70μπι;碳化硼中硼碳比為3.9;碳化硼為單晶顆粒，莫氏硬度大于9.36;
[0064]酚醛樹脂和三氧化二鉻粉的平均粒度均為50μπι;
[0065]步驟2，制備磨料層:
[0066](I)將粉料，采用熱壓機將粉料熱壓成生坯:熱壓的溫度為250°C，熱壓的時間為0.311，熱壓的壓力為2010^;
[0067](2)將生坯，在100 °C固化2h，機械加工制得直徑為150mm的樹脂碳化硼磨料層；
[0068]步驟3，與基體結合:
[0069]將直徑為150mm基體清洗干凈，將樹脂碳化硼磨料層置于基體上，接觸的部位涂抹粘結劑，使樹脂碳化硼磨料層與基體結合牢固，制得直徑為150mm樹脂碳化硼研磨盤。
[0070]實施例2
[0071]用碳化硼制備研磨盤的方法，采用方法一，包括如下步驟:
[0072]步驟I，配料:
[0073]按質量比，碳化硼:聚酰亞胺樹脂:氧化鋅粉=20:15:65配料，混合均勻制得粉料，其中:
[0074]碳化硼的純度為99%;碳化硼的粒度為6?12μπι;碳化硼中硼碳比為4.0;碳化硼為單晶顆粒，莫氏硬度大于9.36;
[0075]聚酰亞胺樹脂和氧化鋅粉的平均粒度均為20μπι;
[0076]步驟2，制備磨料層:
[0077](I)將粉料，采用熱壓機將粉料熱壓成生坯:熱壓的溫度為500°C，熱壓的時間為2h，熱壓的壓力為60MPa;
[0078](2)將生坯，在300°C固化lh，機械加工制得直徑為500mm的樹脂碳化硼磨料層；
[0079]步驟3，與基體結合:
[0080]將直徑為500mm基體清洗干凈，將樹脂碳化硼磨料層置于基體上，接觸的部位涂抹粘結劑，使樹脂碳化硼磨料層與基體結合牢固，制得直徑為500mm樹脂碳化硼研磨盤。
[0081 ] 實施例3
[0082]用碳化硼制備研磨盤的方法，采用方法二，包括如下步驟:
[0083]步驟I，配料:
[0084]按質量比，碳化硼:玻璃:白剛玉=20:20:60配料，混合均勻制得粉料，其中:
[0085]碳化硼的純度為98%;碳化硼的粒度為325?400μπι;碳化硼中硼碳比為4.2;碳化硼為單晶顆粒，莫氏硬度大于9.36;
[0086]玻璃和白剛玉的平均粒度均為ΙΟΟμ??;
[0087]步驟2，制備磨料層:
[0088](I)將粉料，常溫壓制成生坯后，進行干燥，其中，壓制的壓力為50MPa，壓制的時間為0.1h;干燥的溫度為500C，干燥時間為5h ；
[0089](2)將干燥后的生坯，高溫燒結后，機械加工制得直徑為600mm的陶瓷碳化硼磨料層，其中，燒結的溫度為1200 0C，燒結時間為2.5h;
[0090]步驟3，與基體結合:
[0091]將直徑為600mm的基體清洗干凈，將陶瓷碳化硼磨料層置于基體上，接觸的部位涂抹粘結劑，使陶瓷碳化硼磨料層與基體結合牢固，制備直徑為600_的陶瓷碳化硼研磨盤。
[0092]實施例4
[0093]用碳化硼制備研磨盤的方法，采用方法二，包括如下步驟:
[0094]步驟I，配料:
[0095]按質量比，碳化硼:陶瓷:白剛玉:氧化鋅粉=3:2:40:55配料，混合均勻制得粉料，其中:
[0096]碳化硼的純度為98.5%;碳化硼的粒度為450?500μπι;碳化硼中硼碳比為4.3;碳化硼為單晶顆粒，莫氏硬度大于9.36;
[0097]陶瓷、白剛玉和氧化鋅粉的平均粒度均為80μηι;
[0098]步驟2，制備磨料層:
[0099](I)將粉料，常溫壓制成生坯后，進行干燥，其中，壓制的壓力為lOMPa，壓制的時間為2h;干燥的溫度為100°C，干燥時間為3h;
[0100](2)將干燥后的生坯，高溫燒結后，機械加工制得直徑為50mm的陶瓷碳化硼磨料層，其中，燒結的溫度為2000°C，燒結時間為lh;
[Ο?Ο?]步驟3，與基體結合:
[0102]將直徑為50mm的基體清洗干凈，將陶瓷碳化硼磨料層置于基體上，接觸的部位涂抹粘結劑，使陶瓷碳化硼磨料層與基體結合牢固，制備直徑為50_的陶瓷碳化硼研磨盤。
[0103]實施例5
[0104]用碳化硼制備研磨盤的方法，采用方法三，包括如下步驟:
[0105]步驟I，配料:
[0106]按質量比，碳化硼:銅鋁合金:氧化鋅粉=8:2: 90配料，混合均勻制得粉料，其中:
[0107]碳化硼的純度為98.5%;碳化硼的粒度為36?54μπι;碳化硼中硼碳比為4.1;碳化硼為單晶顆粒，莫氏硬度大于9.36;
[0108]銅鋁合金和氧化鋅粉的平均粒度為20μηι;
[0109]步驟2，制備磨料層:
[0110]將粉料，在氬氣氣體保護下，熱壓燒結后，機械加工制得直徑為380mm的金屬碳化硼磨料層;其中，熱壓的溫度為1500 0C，熱壓的時間為0.5h，熱壓的壓力為50MPa ；
[0111]步驟3，與基體結合:
[0112]將直徑為380mm的基體清洗干凈，將金屬碳化硼磨料層置于基體上，接觸的部位涂抹粘結劑，使金屬碳化硼磨料層與基體結合牢固，制得直徑為380mm金屬碳化硼研磨盤。
[0113]實施例6
[0114]用碳化硼制備研磨盤的方法，采用方法三，包括如下步驟:
[0115]步驟I，配料:
[0116]按質量比，碳化硼:鐵基合金粉:三氧化二鉻粉:氧化鋅粉=20:20:30: 30配料，混合均勻制得粉料，其中:
[0117]碳化硼的純度為98.0%;碳化硼的粒度為100?120μπι;碳化硼中硼碳比為4.5;碳化硼為單晶顆粒，莫氏硬度大于9.35;
[0118]鐵基合金粉、三氧化二鉻粉和氧化鋅粉平均粒度均為60μπι;
[0119]步驟2，制備磨料層:
[0120]將粉料，在氬氣氣體保護下，熱壓燒結后，機械加工制得直徑為100mm的金屬碳化硼磨料層;其中，熱壓的溫度為2300°C，熱壓的時間為1.5h，熱壓的壓力為60MPa；
[0121]步驟3，與基體結合:
[0122]將直徑為1000mm的基體清洗干凈，將金屬碳化硼磨料層置于基體上，接觸的部位涂抹粘結劑，使金屬碳化硼磨料層與基體結合牢固，制得直徑為100mm金屬碳化硼研磨盤。
[0123]實施例7
[0124]本發(fā)明的用碳化硼制備研磨盤的方法，采用方法三，包括如下步驟:
[0125]步驟I，配料:
[0126]按質量比，碳化硼:鎳:氧化鋅粉=10:10:80配料，混合均勻制得粉料，其中:
[0127]碳化硼的純度為98.5%;碳化硼的粒度為20?30μπι;碳化硼中硼碳比為4.1;碳化硼為單晶顆粒，莫氏硬度大于9.36;
[0128]鎳的純度為99.9%;
[0129]鎳和氧化鋅粉的平均粒度均為25μηι;
[0130]步驟2，制備磨料層:
[0131]將粉料，在真空氣體保護下，熱壓燒結后，機械加工制得直徑為1500mm的金屬碳化硼磨料層;其中，熱壓的溫度為1500°C，熱壓的時間為lh，熱壓的壓力為20MPa;
[0132]步驟3，與基體結合:
[0133](I)將金屬碳化硼磨料層進行除油和超聲清洗預處理;將直徑為1500mm的基體進行除銹、除油和陽極腐蝕預處理；
[0134](2)將預處理后的基體，進行電鍍；其中，電鍍金屬為鎳，電鍍電流密度為1.0A/dm2 ；
[0135](3)將預處理后的金屬碳化硼磨料層，通過電鍍植砂的方法與基體結合;其中電鍍金屬為鎳;電鍍植砂的電流密度為0.1 A/dm2;
[0136](4)將電鍍碳化硼磨料層與基體結合的部位，進行電鍍，使碳化硼磨料牢固地固定在基體上，制得直徑為1500mm的電鍍碳化硼研磨盤;其中，電鍍金屬為鎳，電鍍電流密度為1.lA/dm2。
[0137]實施例8
[0138]本發(fā)明的用碳化硼制備研磨盤的方法，采用方法三，包括如下步驟:
[0139]步驟I，配料:
[0140]按質量比，碳化硼:鎳合金:白剛玉=15:15:70配料，混合均勻制得粉料，其中:
[0141]碳化硼的純度為96.5%;碳化硼的粒度為60?70μπι;碳化硼中硼碳比為4.2;碳化硼為單晶顆粒，莫氏硬度大于9.36;
[0142]鎳合金和白剛玉的平均粒度均為50μπι;
[0143]步驟2，制備磨料層:
[0144]將粉料，在氬氣氣體保護下，熱壓燒結后，機械加工制得直徑為10mm的金屬碳化硼磨料層;其中，熱壓的溫度為1000°C，熱壓的時間為2h，熱壓的壓力為20MPa;
[ΟΙ45]步驟3，與基體結合:
[0146](I)將金屬碳化硼磨料層進行除油和超聲清洗預處理;將直徑為10mm的基體進行除銹、除油和陽極腐蝕預處理；
[0147](2)將預處理后的基體，進行電鍍；其中，電鍍金屬為鎳，電鍍電流密度為1.5A/dm2 ；
[0148](3)將預處理后的金屬碳化硼磨料層，通過電鍍植砂的方法與基體結合;其中電鍍金屬為鎳;電鍍植砂的電流密度為0.6A/dm2;
[0149](4)將電鍍碳化硼磨料層與基體結合的部位，進行電鍍，使碳化硼磨料牢固地固定在基體上，制得直徑為10mm的電鍍碳化硼研磨盤;其中，電鍍金屬為鎳，電鍍電流密度為0.8A/dm2 ο
【主權項】
1.一種用碳化硼制備研磨盤的方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟I，配料: 按質量比，碳化硼:樹脂結合劑:填料=(5?20): (2?20): (60?95)配料，混合均勻制得粉料，其中: 碳化硼的純度為95?99.9%;碳化硼的粒度為2?500μπι;碳化硼中硼碳比為3.8?4.5;碳化硼為單晶顆粒，莫氏硬度大于9.35; 樹脂結合劑和填料的平均粒度均為20?ΙΟΟμπι; 步驟2，制備磨料層: (1)將粉料，熱壓成生坯:熱壓的溫度為200?5000C，熱壓的時間為0.3?2h，熱壓的壓力為2O?6OMPa; (2)將生坯在50?300°C固化I?2h，機械加工制得所需尺寸的樹脂碳化硼磨料層； 步驟3，與基體結合: 將基體清洗干凈，將樹脂碳化硼磨料層置于基體上，接觸的部位涂抹粘結劑，使樹脂碳化硼磨料層與基體結合牢固，制得樹脂碳化硼研磨盤。2.根據(jù)權利要求1所述的用碳化硼制備研磨盤的方法，其特征在于，所述的步驟I中，樹脂結合劑可為酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、雙馬來酰亞胺、聚酰亞胺樹脂中的一種。3.—種用碳化硼制備研磨盤的方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟I，配料: 按質量比，碳化硼:陶瓷結合劑:填料=(5?20): (2?20): (60?95)配料，混合均勻制得粉料，其中: 碳化硼的純度為95?99.9%;碳化硼的粒度為2?500μπι;碳化硼中硼碳比為3.8?4.5;碳化硼為單晶顆粒，莫氏硬度大于9.35; 陶瓷結合劑和填料的平均粒度均為20?ΙΟΟμπι; 步驟2，制備磨料層: (1)將粉料，常溫壓制成生坯后，進行干燥，其中，壓制的壓力為5?50MPa，壓制的時間為0.1?2h;干燥的溫度為50?300°C，干燥時間為0.5?5h; (2)將干燥后的生坯，高溫燒結后，機械加工制得所需尺寸的陶瓷碳化硼磨料層，其中，燒結的溫度為600?2000 °C，燒結時間為0.5?4h; 步驟3，與基體結合: 將基體清洗干凈，將陶瓷碳化硼磨料層置于基體上，接觸的部位涂抹粘結劑，使陶瓷碳化硼磨料層與基體結合牢固，制得陶瓷碳化硼研磨盤。4.根據(jù)權利要求3所述的用碳化硼制備研磨盤的方法，其特征在于，所述的步驟I中，陶瓷結合劑為陶瓷或玻璃。5.—種用碳化硼制備研磨盤的方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟I，配料: 按質量比，碳化硼:金屬結合劑:填料=(5?20): (2?20):(60?95)配料，混合均勻制得粉料，其中: 碳化硼的純度為95?99.9%;碳化硼的粒度為2?500μπι;碳化硼中硼碳比為3.8?4.5;碳化硼為單晶顆粒，莫氏硬度大于9.35; 金屬結合劑和填料的平均粒度均為20?ΙΟΟμπι; 步驟2，制備磨料層: 將粉料，在真空或惰性氣體保護下，熱壓燒結后，機械加工制得所需尺寸的金屬碳化硼磨料層；其中，熱壓的溫度為1000?2300°C，熱壓的時間為0.3?2h，熱壓的壓力為20?6OMPa； 步驟3，與基體結合: 當金屬結合劑為銅基合金粉或鐵基合金粉時: 將基體清洗干凈，將金屬碳化硼磨料層置于基體上，接觸的部位涂抹粘結劑，使金屬碳化硼磨料層與基體結合牢固，制得金屬碳化硼研磨盤； 當金屬結合劑為鎳或鎳合金時: (1)將金屬碳化硼磨料層進行除油和超聲清洗預處理;將基體進行除銹、除油和陽極腐蝕預處理； (2)將預處理后的基體，進行電鍍;其中，電鍍金屬為鎳或鎳合金，電鍍電流密度為1.0?1.5A/dm2 ； (3)將預處理后的金屬碳化硼磨料層，通過電鍍植砂的方法與基體結合;其中，電鍍金屬為鎳或鎳合金;電鍍植砂的電流密度為0.1?0.6A/dm2; (4)將金屬碳化硼磨料層與基體結合的部位，進行電鍍，使碳化硼磨料牢固地固定在基體上，制得電鍍碳化硼研磨盤；其中，鍍金屬為鎳或鎳合金，電鍍電流密度為0.8?1.8A/dm2 ο6.根據(jù)權利要求1或3或5所述的用碳化硼制備研磨盤的方法，其特征在于，所述的步驟I中，所述的步驟I中，碳化硼的粒度為6?12μπι、8?16μπι、20?30μπι、36?54μπι、60?70μπι、70?80ym、100?120ym或325?400ym。7.根據(jù)權利要求1或3或5所述的用碳化硼制備研磨盤的方法，其特征在于，所述的步驟I中，填料為三氧化二鉻粉、氧化鋅粉或白剛玉中的一種或幾種。8.根據(jù)權利要求1或3或5所述的用碳化硼制備研磨盤的方法，其特征在于，所述的步驟3中，基體為鋁合金或者鐵合金。9.根據(jù)權利要求1或3或5所述的用碳化硼制備研磨盤的方法，其特征在于，所述的方法制得的碳化硼研磨盤的直徑為50?1500mm。
【文檔編號】B24D18/00GK105856085SQ201610197052
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年3月30日
【發(fā)明人】邢鵬飛, 李欣, 王帥, 高帥波, 都興紅, 付念新, 李大綱, 曹寶勝
【申請人】東北大學