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掩膜板組件及制作方法、蒸鍍裝置、顯示基板的制作方法

文檔序號:10506368閱讀:533來源:國知局
掩膜板組件及制作方法、蒸鍍裝置、顯示基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種掩膜板組件及制作方法、蒸鍍裝置、顯示基板的制作方法,屬于顯示技術領域。其中,掩膜板組件的制作方法包括:提供一掩膜板和一框架,所述掩膜板上設置有對位標記;對所述掩膜板四周施加一定的張力,使其表面平整,將所述掩膜板與所述框架對位;沿著包圍所述對位標記的第一焊接線將所述掩膜板焊接在所述框架上,其中,所述第一焊接線限定出對位區(qū)域,焊接后的所述掩膜板具有超出所述對位區(qū)域的多余部位;至少去除掉所述多余部位的一部分。本發(fā)明的技術方案能夠提高蒸鍍用對位標記的精確性。
【專利說明】
掩膜板組件及制作方法、蒸鍍裝置、顯示基板的制作方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域,特別是指一種掩膜板組件及制作方法、蒸鍍裝置、顯示基板的制作方法。
【背景技術】
[0002]有機發(fā)光二極管(0LED)顯示器以其輕薄、主動發(fā)光、快響應速度、廣視角、色彩豐富及高亮度、低功耗、耐高低溫等眾多優(yōu)點而被業(yè)界公認為是繼液晶顯示器(LCD)之后的第三代顯示技術,可以廣泛用于智能手機、平板電腦、電視等終端產(chǎn)品。
[0003]目前OLED的制作過程中是采用精細金屬掩模板(FMM)進行蒸鍍以在基板上形成膜層的。通常精細金屬掩膜板的厚度只有l(wèi)O-lOOum,既薄又脆,將精細金屬掩膜板貼在蒸鍍有機發(fā)光體像素的基板(玻璃片或柔性的基材)表面,并保持很高的位置精度是非常困難的,因此需要將精細金屬掩膜板采用激光焊接在金屬框架(Frame)上才能使用。在將精細金屬掩膜板焊接在金屬框架上之前,需要先將對位掩膜板焊接在金屬框架上,之后以對位掩膜板上的對位標記建立坐標系將精細金屬掩膜板焊接在金屬框架上,因此,對對位標記的精度要求很高。
[0004]目前OLED顯示面板生產(chǎn)所使用的對位掩膜板均為條狀,在將對位掩膜板焊接在金屬框架上時,對對位掩膜板兩端施加拉力并且用激光將對位掩膜板兩端均焊接在金屬框架上,在撤銷對對位掩膜板的拉力后,對位掩膜板收緊將會帶動金屬框架發(fā)生形變,進而會影響到對位標記的精確性,并且在蒸鍍時的磁場也會造成對位掩膜板的變形。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種掩膜板組件及制作方法、蒸鍍裝置、顯示基板的制作方法,能夠提高蒸鍍用對位標記的精確性。
[0006]為解決上述技術問題,本發(fā)明的實施例提供技術方案如下:
[0007]—方面,提供一種掩膜板組件的制作方法,包括:
[0008]提供一掩膜板和一框架,所述掩膜板上設置有對位標記;
[0009]對所述掩膜板四周施加一定的張力,使其表面平整,將所述掩膜板與所述框架對位;
[0010]沿著包圍所述對位標記的第一焊接線將所述掩膜板焊接在所述框架上,其中,所述第一焊接線限定出對位區(qū)域,焊接后的所述掩膜板具有超出所述對位區(qū)域的多余部位;
[0011]至少去除掉所述多余部位的一部分。
[0012]進一步地,所述方法還包括:
[0013]將所述掩膜板焊接在所述框架前,在所述掩膜板上形成包圍所述對位區(qū)域的第一切割線;
[0014]所述至少去除掉所述多余部位的一部分,包括:
[0015]沿所述第一切割線切除所述多余部位。
[0016]進一步地,所述對位區(qū)域呈矩形。
[0017]進一步地,所述方法還包括:
[0018]將所述掩膜板焊接在所述框架前,在所述掩膜板上形成對應所述框架的圖形的第二切割線;
[0019]所述至少去除掉所述多余部位的一部分,包括:
[0020]沿所述第二切割線切除所述多余部位。
[0021]進一步地,所述多余部位包括有設置有掩膜圖形的第一區(qū)域和除所述第一區(qū)域之外的第二區(qū)域,所述方法還包括:
[0022]將所述掩膜板焊接在所述框架前,在所述掩膜板上形成包圍所述第二區(qū)域的第三切割線;
[0023]在沿著包圍所述對位標記的第一焊接線將所述掩膜板焊接在所述框架上時,還沿著包圍所述第一區(qū)域的第二焊接線將所述掩膜板焊接在所述框架上;
[0024]所述至少去除掉所述多余部位的一部分包括:
[0025]沿所述第三切割線切除所述第二區(qū)域。
[0026]進一步地,所述至少去除掉所述多余部位的一部分之后還包括:
[0027]根據(jù)所述對位標記在所述框架上焊接蒸鍍用精細金屬掩膜板。
[0028]進一步地,所述掩膜板為采用因瓦合金或不銹鋼制成。
[0029]本發(fā)明實施例還提供了一種掩膜板組件,采用如上所述的制作方法制作得到。
[0030]本發(fā)明實施例還提供了一種蒸鍍裝置,包括如上所述的掩膜板組件。
[0031]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示基板的制作方法,所述制作方法利用如上所述的掩膜板組件進行蒸鍍以在基板上形成膜層。
[0032]本發(fā)明的實施例具有以下有益效果:
[0033]上述方案中,僅沿著包圍對位標記的第一焊接線將掩膜板焊接在框架上,掩膜板與框架的結合面積比較小,并且在將掩膜板焊接在框架上之后,去除掩膜板超出框架的多余部分,這樣在撤銷對掩膜板的拉力后,能夠降低掩膜板收緊時對框架形變的影響,并且由于掩膜板的多余部分在焊接后被去除,因此,在蒸鍍時也能降低磁場對掩膜板的影響,保證對位標記的精確性。
【附圖說明】
[0034]圖1為現(xiàn)有對位掩膜板的結構示意圖;
[0035]圖2為現(xiàn)有技術將對位掩膜板焊接到框架上的示意圖;
[0036]圖3為本發(fā)明實施例掩膜板的結構示意圖;
[0037]圖4為本發(fā)明實施例將掩膜板焊接到框架上的示意圖;
[0038]圖5為本發(fā)明實施例掩膜板上設置有第二焊接線的示意圖。
[0039]附圖標記
[0040]I現(xiàn)有技術中的對位掩膜板2焊接線3、7對位標記4框架
[0041]5本發(fā)明的對位掩膜板6第一焊接線8第一切割線
[0042]9第二焊接線10第一區(qū)域
【具體實施方式】
[0043]為使本發(fā)明的實施例要解決的技術問題、技術方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結合附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0044]本發(fā)明的實施例提供一種掩膜板組件及制作方法、蒸鍍裝置、顯示基板的制作方法,能夠提尚蒸鏈用對位標記的精確性。
[0045]圖1為現(xiàn)有對位掩膜板的結構示意圖,可以看出,現(xiàn)有的對位掩膜板I為條形,在對位掩膜板I上設置有對位標記3和焊接線2,圖2為現(xiàn)有技術將對位掩膜板焊接到框架上的示意圖,如圖2所示,沿著焊接線2將對位掩膜板I焊接到框架4上。在將對位掩膜板I焊接在框架4上時,對對位掩膜板I兩端施加拉力并且用激光沿著焊接線2將對位掩膜板I兩端均焊接在框架4上,在撤銷對對位掩膜板I的拉力后,由于對位掩膜板I與框架4結合的部位比較多,對位掩膜板I收緊將會帶動框架4發(fā)生形變,影響到對位標記3的精確性,并且由于對位掩膜板I保留在框架4內(nèi)的部分比較多,蒸鍍時的磁場將會影響到對位掩膜板I,造成對位掩膜板I的變形,從而進一步影響對位標記3的精確性。
[0046]為了解決上述問題,本發(fā)明提供了一種掩膜板組件的制作方法,包括:
[0047]提供一掩膜板5和一框架4,如圖3所示,掩膜板5上設置有對位標記7和第一焊接線6,第一焊接線6包圍對位標記7 ;
[0048]對掩膜板5四周施加一定的張力,使其表面平整,將掩膜板5與框架4對位;
[0049]沿著包圍對位標記7的第一焊接線6將掩膜板5焊接在框架4上,其中,第一焊接線6限定出對位區(qū)域,焊接后的掩膜板5具有超出對位區(qū)域的多余部位;
[0050]至少去除掉多余部位的一部分。
[0051]本實施例中,僅沿著包圍對位標記的第一焊接線將掩膜板焊接在框架上,掩膜板與框架的結合面積比較小,并且在將掩膜板焊接在框架上之后,去除掩膜板超出框架的多余部分,這樣在撤銷對掩膜板的拉力后,能夠降低掩膜板收緊時對框架形變的影響。
[0052]其中,至少去除掉多余部位的一部分可以是去除所有的多余部分,也可以是去除多余部分的一部分,只要能夠?qū)Χ嘤嗖糠诌M行去除,則勢必會減少掩膜板的保留部分,在蒸鍍時也能降低磁場對掩膜板的影響,保證對位標記的精確性。
[0053]具體實施例中,如圖3和圖4所示,可以在將掩膜板5焊接在框架4之前,在掩膜板5上形成包圍對位區(qū)域的第一切割線8,所述至少去除掉所述多余部位的一部分具體為:將掩膜板5焊接在框架4上之后,沿第一切割線切除多余部位,即將存在對位標記的對位區(qū)域之外的部位全部切除,這樣僅在框架4上保留有掩膜板5的對位區(qū)域,將掩膜板5的保留部分降至最少,最大程度地降低蒸鍍磁場對掩膜板5的影響,保證對位標記的精確性。
[0054]其中,第一焊接線6限定出的對位區(qū)域可以為矩形、圓形、梯形或不規(guī)則形狀,優(yōu)選實施例中,如圖3-圖5所示,第一焊接線6限定出的對位區(qū)域呈矩形,這樣在沿著第一焊接線6將掩膜板5焊接在框架4之后,對位區(qū)域的平整度較高。在對位區(qū)域為矩形時,對位區(qū)域的邊長在0.5-5cm之間。
[0055]進一步地,本發(fā)明另一實施例中,所述方法還包括:
[0056]將掩膜板5焊接在框架4前,在掩膜板5上形成對應框架4的圖形的第二切割線;
[0057]所述至少去除掉所述多余部位的一部分,包括:
[0058]沿第二切割線切除所述多余部位,即本實施例中是將掩膜板5超出框架4之外的部位全部切除,使得掩膜板5不存在超出框架之外的部分,能夠極大地降低蒸鍍磁場對掩膜板5的影響,保證對位標記的精確性。
[0059]本發(fā)明另一實施例中,如圖5所示,所述多余部位包括有設置有掩膜圖形的第一區(qū)域10和除第一區(qū)域10之外的第二區(qū)域,所述方法還包括:
[0060]將掩膜板5焊接在框架4前,在掩膜板5上形成包圍第二區(qū)域的第三切割線;
[0061 ]在沿著包圍對位標記的第一焊接線6將掩膜板5焊接在框架4上時,還沿著包圍第一區(qū)域的第二焊接線9將掩膜板5焊接在框架4上;
[0062]至少去除掉多余部位的一部分包括:
[0063]沿第三切割線切除第二區(qū)域,這樣最終在框架4上還保留有掩膜板5的對位區(qū)域和第一區(qū)域,第一區(qū)域上形成有掩膜圖形,可以作為蒸鍍掩膜來蒸鍍膜層,這樣能夠在框架上形成對位標記的同時還形成一部分蒸鍍用掩膜板,掩膜板5可以同時作為對位掩膜板和蒸鍍用掩膜板使用。
[0064]進一步地,所述至少去除掉所述多余部位的一部分之后還包括:
[0065]根據(jù)所述對位標記在所述框架上焊接蒸鍍用精細金屬掩膜板,在焊接精細金屬掩膜板之后,即可利用本實施例的掩膜板組件來蒸鍍膜層。
[0066]具體地,本實施例的掩膜板為采用因瓦合金或不銹鋼制成,因瓦合金具有極低的熱膨脹系數(shù),能在很寬的溫度范圍內(nèi)保持固定長度,在蒸鍍高溫下不易發(fā)生形變,利用因瓦合金制成的掩膜板,在蒸鍍時不易變形,能夠進一步保證對位標記的精確性。
[0067]本發(fā)明還提供了一種掩膜板組件,采用如上所述的制作方法制作得到。本實施例的掩膜板組件中掩膜板與框架結合的部位比較少,因此能夠降低掩膜板對框架形變的影響,并且由于掩膜板超出框架的多余部分在焊接后被去除,因此,掩膜板保留的部分比較少,在蒸鍍時也能降低磁場對掩膜板的影響,保證對位標記的精確性。
[0068]本發(fā)明還提供了一種蒸鍍裝置,包括如上所述的掩膜板組件。
[0069]本發(fā)明還提供了一種顯示基板的制作方法,所述制作方法利用如上所述的掩膜板組件進行蒸鍍以在基板上形成膜層。
[0070]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,應當指出,對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下,還可以作出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權項】
1.一種掩膜板組件的制作方法,其特征在于,包括: 提供一掩膜板和一框架,所述掩膜板上設置有對位標記; 對所述掩膜板四周施加一定的張力,使其表面平整,將所述掩膜板與所述框架對位;沿著包圍所述對位標記的第一焊接線將所述掩膜板焊接在所述框架上,其中,所述第一焊接線限定出對位區(qū)域,焊接后的所述掩膜板具有超出所述對位區(qū)域的多余部位; 至少去除掉所述多余部位的一部分。2.根據(jù)權利要求1所述的掩膜板組件的制作方法,其特征在于,所述方法還包括: 將所述掩膜板焊接在所述框架前,在所述掩膜板上形成包圍所述對位區(qū)域的第一切割線; 所述至少去除掉所述多余部位的一部分,包括: 沿所述第一切割線切除所述多余部位。3.根據(jù)權利要求1所述的掩膜板組件的制作方法,其特征在于,所述對位區(qū)域呈矩形。4.根據(jù)權利要求1所述的掩膜板組件的制作方法,其特征在于,所述方法還包括: 將所述掩膜板焊接在所述框架前,在所述掩膜板上形成對應所述框架的圖形的第二切割線; 所述至少去除掉所述多余部位的一部分,包括: 沿所述第二切割線切除所述多余部位。5.根據(jù)權利要求1所述的掩膜板組件的制作方法,其特征在于,所述多余部位包括有設置有掩膜圖形的第一區(qū)域和除所述第一區(qū)域之外的第二區(qū)域,所述方法還包括: 將所述掩膜板焊接在所述框架前,在所述掩膜板上形成包圍所述第二區(qū)域的第三切割線; 在沿著包圍所述對位標記的第一焊接線將所述掩膜板焊接在所述框架上時,還沿著包圍所述第一區(qū)域的第二焊接線將所述掩膜板焊接在所述框架上; 所述至少去除掉所述多余部位的一部分包括: 沿所述第三切割線切除所述第二區(qū)域。6.根據(jù)權利要求1-5中任一項所述的掩膜板組件的制作方法,其特征在于,所述至少去除掉所述多余部位的一部分之后還包括: 根據(jù)所述對位標記在所述框架上焊接蒸鍍用精細金屬掩膜板。7.根據(jù)權利要求6所述的掩膜板組件的制作方法,其特征在于,所述掩膜板為采用因瓦合金或不銹鋼制成。8.—種掩膜板組件,其特征在于,采用如權利要求1-7中任一項所述的制作方法制作得到。9.一種蒸鍍裝置,其特征在于,包括如權利要求8所述的掩膜板組件。10.—種顯示基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法利用如權利要求8所述的掩膜板組件進行蒸鍍以在基板上形成膜層。
【文檔編號】C23C14/24GK105861985SQ201610245209
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年4月19日
【發(fā)明人】畢文濤
【申請人】京東方科技集團股份有限公司
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