一種磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光裝置及其拋光方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光裝置，包括拋光盤(pán)、第一轉(zhuǎn)軸、拋光液、第二轉(zhuǎn)軸、工件盤(pán)、磁性體和待拋光件，所述第二轉(zhuǎn)軸向第一轉(zhuǎn)軸方向水平滑動(dòng)，所述磁性體設(shè)于所述拋光盤(pán)的下方，所述拋光盤(pán)固定安裝于所述第一轉(zhuǎn)軸上，所述工件盤(pán)固定安裝于所述第二轉(zhuǎn)軸上，待拋光件與所述拋光盤(pán)相接觸；所述拋光盤(pán)的上表面沿圓周方向設(shè)有多個(gè)楔形結(jié)構(gòu)，所述拋光液覆蓋于所述拋光盤(pán)的上表面上。并且提供一種拋光方法，包括以下步驟：1)將拋光盤(pán)、待拋光件和工件盤(pán)進(jìn)行安裝；2)啟動(dòng)第一轉(zhuǎn)軸和第二轉(zhuǎn)軸進(jìn)行拋光加工，并且不斷向拋光盤(pán)的上表面加入拋光液，直至拋光完成；3)拋光完成。本發(fā)明具有拋光均勻、加工效率高和使用方便的有益效果。
【專利說(shuō)明】
一種磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光裝置及其拋光方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種拋光裝置及其拋光方法，尤其是指一種磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光裝置及其拋光方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著信息電子化的社會(huì)發(fā)展，半導(dǎo)體材料作為高性能微電子元器件應(yīng)用愈發(fā)廣泛，如單晶硅、氧化鋁、鈦酸鍶和單晶碳化硅等電子陶瓷材料的需求越來(lái)越大。一般半導(dǎo)體晶片制造要經(jīng)過(guò)切片、研磨、拋光等工序，要達(dá)到良好的使用性能，其表面精度需要達(dá)到超光滑程度，面型精度也有較高要求，以LED外延藍(lán)寶石襯底為例，一般要求總厚度偏差小于ΙΟμπι、表面總平整度小于ΙΟμπι、表面粗糙度小于0.05μηι。因此半導(dǎo)體材料的制造越來(lái)越依賴研磨拋光技術(shù)來(lái)滿足其生產(chǎn)要求。
[0003]現(xiàn)有國(guó)內(nèi)外對(duì)半導(dǎo)體晶片的加工方法主要以下四種:1、沿用傳統(tǒng)單晶S1、Ge等晶片加工中的傳統(tǒng)機(jī)械研磨拋光加工方法;2、以機(jī)械去除和化學(xué)去除結(jié)合使用的CMP加工方法;3、以激光、超聲和等粒子等特種加工方式進(jìn)行加工;4、以基于磁流變液在磁場(chǎng)下的流變特性的磁流變加工。其中，作為磁流變加工方法的現(xiàn)有游離磨料研磨拋光加工方法在拋光加光的過(guò)程中，游離磨料微粒在研磨盤(pán)與工件之間的運(yùn)動(dòng)速度、軌跡、滯留時(shí)間無(wú)法進(jìn)行有效和準(zhǔn)確的控制，在拋光盤(pán)與工件及界面之間的游離態(tài)磨料只有較大尺寸的磨料產(chǎn)生加工作用，由于相對(duì)運(yùn)動(dòng)的作用相當(dāng)部分較小尺寸的磨粒尚未與工件表面產(chǎn)生干涉作用即脫離研磨盤(pán)與工件界面，造成加工精度和加工效率低下。例如，專利200610132495.9提到的集群磁流變拋光方法能很好地對(duì)單晶碳化硅進(jìn)行拋光，并獲得納米級(jí)的光滑表面，但由于采用外加磁場(chǎng)強(qiáng)弱來(lái)控制磁流變工作液的流變特性，難以控制拋光過(guò)程形成的柔性小磨頭的分布均勻性，以致經(jīng)磁流變拋光的半導(dǎo)體基片厚度偏差、表面平整度和表面質(zhì)量難以控制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有游離磨料研磨拋光加工方法存在的加工精度控制困難而造成加工準(zhǔn)確性和效率低的問(wèn)題，提供一種拋光均勻、加工效率高和使用方便的磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光裝置及其拋光方法。
[0005]本發(fā)明的目的可采用以下技術(shù)方案來(lái)達(dá)到:
[0006]—種磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光裝置，包括拋光盤(pán)、第一轉(zhuǎn)軸、拋光液、第二轉(zhuǎn)軸、工件盤(pán)和待拋光件，所述第一轉(zhuǎn)軸和第二轉(zhuǎn)軸相互平行，且所述第二轉(zhuǎn)軸向第一轉(zhuǎn)軸方向水平滑動(dòng)，所述磁性體設(shè)于所述拋光盤(pán)的下方，所述拋光盤(pán)固定安裝于所述第一轉(zhuǎn)軸上，所述工件盤(pán)和待拋光件設(shè)于所述拋光盤(pán)的上方，所述工件盤(pán)固定安裝于所述第二轉(zhuǎn)軸上，所述待拋光件固定安裝于所述工件盤(pán)的下底面，且待拋光件的下底面與所述拋光盤(pán)的上表面相接觸;所述拋光盤(pán)的上表面沿圓周方向設(shè)有多個(gè)楔形結(jié)構(gòu)，所述楔形結(jié)構(gòu)包括銷軸和楔塊，所述銷軸固定安裝于所述拋光盤(pán)的上表面，所述楔塊可擺動(dòng)安裝于所述銷軸上，所述拋光液覆蓋于所述拋光盤(pán)和楔塊的上表面上。
[0007]進(jìn)一步地，所述拋光盤(pán)的上方設(shè)有噴管，所述拋光液通過(guò)噴管流到所述拋光盤(pán)的上表面上。
[0008]進(jìn)一步地，所述待拋光件為半導(dǎo)體晶片。
[0009]進(jìn)一步地，所述拋光液由重量百分比15?40%且平均粒徑為I?50μπι的羰基鐵粉、重量百分比為2?20%且平均粒徑為I?50μπι的磨料、重量百分比為I?10的甘油或油酸穩(wěn)定劑和重量百分比I?10%的防銹劑組成。。
[0010]進(jìn)一步地，所述磁性體的端面磁場(chǎng)強(qiáng)度不小于2000GS，所述磁性體設(shè)為多個(gè)，且磁極相互交錯(cuò)排列設(shè)置。
[0011]進(jìn)一步地，所述待拋光件粘貼到所述工件盤(pán)的下底面。
[0012]作為一種優(yōu)選的，所述楔塊與所述拋光盤(pán)之間的傾斜夾角為O?15度。
[0013]本發(fā)明還提供一種磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光方法，包括以下步驟:
[0014]I)將拋光盤(pán)固定在第一轉(zhuǎn)軸上，并通過(guò)粘貼的方式將待拋光件固定到工件盤(pán)上，然后將工件盤(pán)安裝到第二轉(zhuǎn)軸上；
[0015]2)將待拋光件向下移動(dòng)到距離楔塊的上傾斜端0.4?1.4mm的位置，啟動(dòng)第一轉(zhuǎn)軸和第二轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，同時(shí)，第二轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)待拋光件向第一轉(zhuǎn)軸的徑向方向往復(fù)移動(dòng)，并且不斷向拋光盤(pán)的上表面加入拋光液，直至拋光完成。
[0016]進(jìn)一步地，所述步驟2)中，所述第一轉(zhuǎn)軸的轉(zhuǎn)速為每分鐘60?180轉(zhuǎn)，所述第二轉(zhuǎn)軸的轉(zhuǎn)速為每分鐘1000至3000轉(zhuǎn)，且第二轉(zhuǎn)軸向第一轉(zhuǎn)軸的方向水平移動(dòng)速度為每分鐘5?20米。
[0017]作為一種優(yōu)選的方案，所述待拋光件為半導(dǎo)體晶片。
[0018]進(jìn)一步地，所述拋光液由重量百分比15?40 %且平均粒徑為I?50μπι的羰基鐵粉、重量百分比為2?20%且平均粒徑為I?50μπι的磨料、重量百分比為I?10的甘油或油酸穩(wěn)定劑和重量百分比I?10 %的防銹劑組成。
[0019]進(jìn)一步地，所述拋光盤(pán)的下方設(shè)有磁性體，所述磁性體的端面磁場(chǎng)強(qiáng)度不小于2000GS，所述磁性體設(shè)為多個(gè)，且磁極相互交錯(cuò)排列設(shè)置。
[0020]實(shí)施本發(fā)明，具有如下有益效果:
[0021]1、本發(fā)明在拋光加工的過(guò)程中，工作液覆蓋于拋光盤(pán)上表面的楔形結(jié)構(gòu)上，在拋光過(guò)程中拋光盤(pán)與待拋光件在發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，拋光液從待拋光件與楔塊間隙較大地方流向間隙較小的地方而形成流體動(dòng)壓膜，在金剛石磨料和流體動(dòng)壓膜的雙重作用下均勻快速去除待拋光工件表面材料，大大提高了拋光加工的均勻性和效率，實(shí)現(xiàn)快速拋光和提升拋光效果的目的。
[0022]2、本發(fā)明在拋光過(guò)程中拋光盤(pán)與待拋光件在發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，楔塊可繞各自銷軸微量擺動(dòng)，隨載荷和拋光盤(pán)旋轉(zhuǎn)方向而自動(dòng)調(diào)節(jié)傾斜度，以適應(yīng)拋光盤(pán)的速度和載荷的需要，使得拋光液能穩(wěn)定地從待拋光件與楔塊之間的間隙較大地方流向間隙較小的地方而形成流體動(dòng)壓膜，從而在金剛石磨料和流體動(dòng)壓膜的雙重作用下均勻快速去除拋光工件表面材料，大大提高了拋光加工的均勻性和效率，實(shí)現(xiàn)快速拋光和提升拋光效果的目的。
【附圖說(shuō)明】
[0023]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1是本發(fā)明磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光裝置及其拋光方法的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2是圖1的拋光盤(pán)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3是本發(fā)明磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光裝置及其拋光方法的工作狀態(tài)結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0028]實(shí)施例
[0029]參照?qǐng)D1至圖3，本實(shí)施例涉及一種磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光裝置，包括拋光盤(pán)1、第一轉(zhuǎn)軸2、拋光液3、第二轉(zhuǎn)軸4、工件盤(pán)5、待拋光件6和磁性體7，所述第一轉(zhuǎn)軸2和第二轉(zhuǎn)軸4相互平行，且所述第二轉(zhuǎn)軸4向第一轉(zhuǎn)軸2方向水平滑動(dòng)，所述磁性體7設(shè)于所述拋光盤(pán)I的下方，所述拋光盤(pán)I固定安裝于所述第一轉(zhuǎn)軸2上，所述工件盤(pán)5和待拋光件6設(shè)于所述拋光盤(pán)I的上方，所述工件盤(pán)5固定安裝于所述第二轉(zhuǎn)軸4上，所述待拋光件6固定安裝于所述工件盤(pán)5的下底面，且待拋光件6的下底面與所述拋光盤(pán)I的上表面相接觸;所述拋光盤(pán)I的上表面沿圓周方向設(shè)有多個(gè)楔形結(jié)構(gòu)，所述楔形結(jié)構(gòu)包括銷軸81和楔塊82，所述銷軸81固定安裝于所述拋光盤(pán)I的上表面，所述楔塊82可擺動(dòng)安裝于所述銷軸81上，所述拋光液3覆蓋于所述拋光盤(pán)I和楔塊82的上表面上。所述待拋光件6為半導(dǎo)體晶片，例如藍(lán)寶石基片，所述拋光液3的制作方法:在油基或水基載液中加入重量百分比為2?20%且平均粒徑為I?50μπι的磨料、重量百分比為I?10的甘油或油酸等穩(wěn)定劑、重量百分比I?10%的防銹劑和重量百分比15?40%且平均粒徑為I?50μπι的羰基鐵粉;最優(yōu)選的，所述拋光液3由去離子水、濃度為15%且平均粒徑為3μπι的金剛石磨料、濃度為30%且平均粒徑為5μπι的羰基鐵粉、濃度為10%的甘油和濃度為2%的防銹劑組成。在拋光過(guò)程中拋光盤(pán)I與待拋光件6在發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，楔塊82可繞銷軸81微量擺動(dòng)，隨拋光盤(pán)I旋轉(zhuǎn)方向和載荷而自動(dòng)調(diào)節(jié)傾斜度，以適應(yīng)拋光盤(pán)I的速度和載荷的需要，使得拋光液3能穩(wěn)定地從待拋光件6與楔塊82之間的間隙較大地方流向間隙較小的地方而形成流體動(dòng)壓膜，從而在金剛石磨料和流體動(dòng)壓膜的雙重作用下均勻快速去除待拋光工件6表面材料，大大提高了拋光加工的均勻性和效率，實(shí)現(xiàn)快速拋光和提升拋光效果的目的。
[0030]所述拋光液3中的羰基鐵粉在磁性體的磁場(chǎng)力作用下被吸附到拋光盤(pán)I的上表面而形成磨頭結(jié)構(gòu)，在拋光過(guò)程中拋光盤(pán)I與待拋光件6在發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，拋光液3從待拋光件6與楔塊82之間間隙較大地方流向間隙較小的地方而形成流體動(dòng)壓膜，在磨頭結(jié)構(gòu)和流體動(dòng)壓膜的雙重作用下均勻快速去除待拋光工件6表面材料，大大提高了拋光加工的均勻性和效率，實(shí)現(xiàn)快速拋光和提升拋光效果的目的。
[0031]所述的楔塊82的傾斜高度不超過(guò)1.5mm，其傾角為0°至15°，所述平臺(tái)11的寬度為1.5?3mm。該楔塊82使得拋光液3能儲(chǔ)存在楔塊82的上表面和拋光盤(pán)I的上表面上，在拋光過(guò)程中拋光盤(pán)I與待拋光件6在發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，拋光液3從待拋光件6與楔塊82之間間隙較大地方流向間隙較小的地方而形成流體動(dòng)壓膜，提高拋光的均勻性和效率。
[0032]所述拋光盤(pán)I的上方設(shè)有噴管9，所述拋光液3通過(guò)噴管9流到所述拋光盤(pán)I的上表面上;所述拋光液3噴灑到拋光盤(pán)I上的速度為每分鐘70?90毫升，保證了拋光液3的供應(yīng)量，以保證拋光加工的質(zhì)量。
[0033]所述待拋光件6粘貼到所述工件盤(pán)5的下底面，可快速實(shí)現(xiàn)待拋光件6的安裝和拆卸，進(jìn)一步提高加工的效率。
[0034]本發(fā)明還提供一種磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光方法，包括以下步驟:
[0035]I)將拋光盤(pán)I固定在第一轉(zhuǎn)軸2上，并通過(guò)粘貼的方式將待拋光件6固定到工件盤(pán)5上，然后將工件盤(pán)5安裝到第二轉(zhuǎn)軸4上；
[0036]2)將待拋光件6向下移動(dòng)到距離楔塊82的上傾斜端0.4?1.4mm的位置，啟動(dòng)第一轉(zhuǎn)軸2和第二轉(zhuǎn)軸4旋轉(zhuǎn)，所述第一轉(zhuǎn)軸2的轉(zhuǎn)速為每分鐘60?180轉(zhuǎn)，所述第二轉(zhuǎn)軸4的轉(zhuǎn)速為每分鐘1000至3000轉(zhuǎn)；同時(shí)，第二轉(zhuǎn)軸4帶動(dòng)待拋光件6向第一轉(zhuǎn)軸2的徑向方向往復(fù)移動(dòng)，第二轉(zhuǎn)軸4向第一轉(zhuǎn)軸2的方向水平移動(dòng)速度為每分鐘5?20米，并且不斷向拋光盤(pán)I的上表面加入拋光液3，優(yōu)選的，所述拋光液3由去離子水、濃度為15%且平均粒徑為3μπι的金剛石磨料、濃度為10 %的甘油和濃度為2 %的防銹劑組成;所述待拋光件6被加工的時(shí)間為30分鐘，則完成對(duì)待拋光件6的拋光加工；
[0037]3)拋光完成后，停止向拋光盤(pán)I的上表面加入拋光液3，再依次停止第二轉(zhuǎn)軸4的轉(zhuǎn)動(dòng)和水平滑動(dòng)，以及第一轉(zhuǎn)軸2的轉(zhuǎn)動(dòng)，最后向上升高待拋光件6并取出。
[0038]該拋光方法拋光過(guò)程中拋光盤(pán)I與待拋光件6在發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，楔塊82可繞各自銷軸81微量擺動(dòng)，隨拋光盤(pán)I旋轉(zhuǎn)方向和載荷而自動(dòng)調(diào)節(jié)傾斜度，以適應(yīng)拋光盤(pán)I的速度和載荷的需要，使得拋光液3能穩(wěn)定地從待拋光件6與楔塊82之間的間隙較大地方流向間隙較小的地方而形成流體動(dòng)壓膜，從而在金剛石磨料和流體動(dòng)壓膜的雙重作用下均勻快速去除拋光工件表面材料，大大提高了拋光加工的均勻性和效率，實(shí)現(xiàn)快速拋光和提升拋光效果的目的。
[0039]以上所揭露的僅為本發(fā)明一種較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光裝置，其特征在于:包括拋光盤(pán)、第一轉(zhuǎn)軸、拋光液、第二轉(zhuǎn)軸、工件盤(pán)、磁性體和待拋光件，所述第一轉(zhuǎn)軸和第二轉(zhuǎn)軸相互平行，且所述第二轉(zhuǎn)軸向第一轉(zhuǎn)軸方向水平滑動(dòng)，所述磁性體設(shè)于所述拋光盤(pán)的下方，所述拋光盤(pán)固定安裝于所述第一轉(zhuǎn)軸上，所述工件盤(pán)和待拋光件設(shè)于所述拋光盤(pán)的上方，所述工件盤(pán)固定安裝于所述第二轉(zhuǎn)軸上，所述待拋光件固定安裝于所述工件盤(pán)的下底面，且待拋光件的下底面與所述拋光盤(pán)的上表面相接觸;所述拋光盤(pán)的上表面沿圓周方向設(shè)有多個(gè)楔形結(jié)構(gòu)，所述楔形結(jié)構(gòu)包括銷軸和楔塊，所述銷軸固定安裝于所述拋光盤(pán)的上表面，所述楔塊可擺動(dòng)安裝于所述銷軸上，所述拋光液覆蓋于所述拋光盤(pán)和楔塊的上表面上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光裝置，其特征在于:所述拋光盤(pán)的上方設(shè)有噴管，所述拋光液通過(guò)噴管流到所述拋光盤(pán)的上表面上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光裝置，其特征在于:所述待拋光件為半導(dǎo)體晶片。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光裝置，其特征在于:所述拋光液由重量百分比15?40%且平均粒徑為I?50μπι的羰基鐵粉、重量百分比為2?20%且平均粒徑為I?50μπι的磨料、重量百分比為I?10的甘油或油酸穩(wěn)定劑和重量百分比I?10%的防銹劑組成。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光裝置，其特征在于:所述磁性體的端面磁場(chǎng)強(qiáng)度不小于2000GS，所述磁性體設(shè)為多個(gè)，且磁極相互交錯(cuò)排列設(shè)置。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光裝置，其特征在于:所述楔塊與所述拋光盤(pán)之間的傾斜夾角為O?15度。7.一種磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光方法，其特征在于:包括以下步驟: 1)將拋光盤(pán)固定在第一轉(zhuǎn)軸上，并通過(guò)粘貼的方式將待拋光件固定到工件盤(pán)上，然后將工件盤(pán)安裝到第二轉(zhuǎn)軸上； 2)將待拋光件向下移動(dòng)到距離楔塊的上傾斜端0.4?1.4mm的位置，啟動(dòng)第一轉(zhuǎn)軸和第二轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，同時(shí)，第二轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)待拋光件向第一轉(zhuǎn)軸的徑向方向往復(fù)移動(dòng)，并且不斷向拋光盤(pán)的上表面加入拋光液，直至拋光完成。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光方法，其特征在于:所述步驟2)中，所述第一轉(zhuǎn)軸的轉(zhuǎn)速為每分鐘60?180轉(zhuǎn)，所述第二轉(zhuǎn)軸的轉(zhuǎn)速為每分鐘1000至3000轉(zhuǎn)，且第二轉(zhuǎn)軸向第一轉(zhuǎn)軸的方向水平移動(dòng)速度為每分鐘5?20米。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光方法，其特征在于:所述待拋光件為半導(dǎo)體晶片，所述拋光液由重量百分比15?40%且平均粒徑為I?50μπι的羰基鐵粉、重量百分比為2?20%且平均粒徑為I?50μπι的磨料、重量百分比為I?10的甘油或油酸穩(wěn)定劑和重量百分比I?10 %的防銹劑組成。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種磁流變流體動(dòng)壓復(fù)合拋光方法，其特征在于:所述拋光盤(pán)的下方設(shè)有磁性體，所述磁性體的端面磁場(chǎng)強(qiáng)度不小于2000GS，所述磁性體設(shè)為多個(gè)，且磁極相互交錯(cuò)排列設(shè)置。
【文檔編號(hào)】B24B31/10GK105922125SQ201610352311
【公開(kāi)日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2016年5月24日
【發(fā)明人】路家斌, 梁華卓, 閻秋生, 陳潤(rùn)
【申請(qǐng)人】廣東工業(yè)大學(xué)