金屬球的制造方法、接合材料以及金屬球的制作方法
【專利摘要】制造抑制了所釋放的α射線量的金屬球。包括如下工序：將純金屬在比作為去除對(duì)象的雜質(zhì)的沸點(diǎn)高、比純金屬的熔點(diǎn)高、且比純金屬的沸點(diǎn)低的溫度下進(jìn)行加熱而使純金屬熔融的工序；將熔融的純金屬造球成為球狀的工序，其中，該純金屬與在純金屬所含的雜質(zhì)中作為去除對(duì)象的雜質(zhì)的對(duì)應(yīng)于氣壓的沸點(diǎn)相比具有更高的沸點(diǎn)，U的含量為5ppb以下，Th的含量為5ppb以下，純度為99.9％以上且99.995％以下，Pb或Bi中任一者的含量、或者Pb和Bi的總量為1ppm以上。
【專利說(shuō)明】
金屬球的制造方法、接合材料從及金屬球
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及α射線量少的金屬球的制造方法、W及通過(guò)該制造方法制造的金屬球、 接合材料。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來(lái)，由于小型信息設(shè)備的發(fā)達(dá)，所搭載的電子部件正在迅速小型化。電子部件 根據(jù)小型化的要求，為了應(yīng)對(duì)連接端子的窄小化、安裝面積的縮小化，正在應(yīng)用在背面設(shè)置 有電極的球柵陣列封裝（W下稱為"BGA")。
[0003] 利用BGA的電子部件中，例如有半導(dǎo)體封裝體。半導(dǎo)體封裝體中，具有電極的半導(dǎo) 體忍片被樹(shù)脂密封。半導(dǎo)體忍片的電極上形成有焊料凸塊。該焊料凸塊通過(guò)將焊料球接合 于半導(dǎo)體忍片的電極而形成。利用BGA的半導(dǎo)體封裝體W各焊料凸塊與印刷基板的導(dǎo)電性 焊盤接觸的方式置于印刷基板上，通過(guò)利用加熱而烙融了的焊料凸塊與焊盤接合，從而搭 載于印刷基板。另外，為了應(yīng)對(duì)進(jìn)一步的高密度安裝的要求，正在研究將半導(dǎo)體封裝體沿高 度方向堆疊而成的Ξ維高密度安裝。
[0004] 但是，在進(jìn)行了 Ξ維高密度安裝的半導(dǎo)體封裝體中應(yīng)用BGA時(shí)，由于半導(dǎo)體封裝體 的自重，焊料球被壓碎，電極間會(huì)發(fā)生連接短路。運(yùn)在進(jìn)行高密度安裝上成為障礙。
[0005] 因此，研究了利用由化等比軟針料的烙點(diǎn)高的金屬形成的微小直徑的金屬球的焊 料凸塊(例如，參見(jiàn)專利文獻(xiàn)1)。關(guān)于具有金屬球的焊料凸塊，在將電子部件安裝于印刷基 板時(shí)，即使半導(dǎo)體封裝體的重量施加于焊料凸塊，也能夠利用在軟針料的烙點(diǎn)下不烙融的 金屬球支撐半導(dǎo)體封裝體。因此，不會(huì)因半導(dǎo)體封裝體的自重而使焊料凸塊被壓碎。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)
[000引專利文獻(xiàn)1:國(guó)際公開(kāi)第95/24113號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 發(fā)明要解決的問(wèn)題
[0010] 電子部件的小型化雖然使高密度安裝成為可能，但高密度安裝會(huì)引起軟錯(cuò)誤之類 的問(wèn)題。軟錯(cuò)誤是指:存在α射線進(jìn)入半導(dǎo)體集成電路下，稱為"1C")的存儲(chǔ)單元中而改 寫存儲(chǔ)內(nèi)容的可能性。
[0011] 認(rèn)為α射線是通過(guò)軟針料合金中作為雜質(zhì)含有的U、化、Ρο等放射性元素進(jìn)行α衰變 而放射的。因此，正在進(jìn)行能夠?qū)崿F(xiàn)低α射線的組成的軟針料合金的開(kāi)發(fā)。
[0012] 另一方面，金屬球也要求有能夠?qū)崿F(xiàn)低α射線的組成。在此，如果使用純度高的金 屬材料制造金屬球，則包含放射性元素的雜質(zhì)的含量減少，因此能夠?qū)崿F(xiàn)低α射線。但是，成 本會(huì)上升。另外，若用純度高的金屬材料制造金屬球，則表示球W何種程度接近圓球的球形 度降低。
[0013] 本發(fā)明的課題在于，提供α射線量少的金屬球的制造方法、W及通過(guò)該制造方法制 造的球形度高的金屬球、接合材料。
[0014] 用于解決問(wèn)題的方案
[0015] 本發(fā)明人等得到W下見(jiàn)解：即使市售的金屬材料的純度為99.9~99.995%，U、Th 也能降低至5ppbW下。另外，本發(fā)明人等著眼于，軟錯(cuò)誤的原因是W無(wú)法定量地測(cè)定含量的 程度稍微殘留的U中0等雜質(zhì)。而且，本發(fā)明人等得到如下見(jiàn)解:在制造金屬球時(shí)的加熱工序 中，通過(guò)著眼于雜質(zhì)的沸點(diǎn)而設(shè)定溫度，即使純度為99.995%?下也能夠?qū)⑺圃斓慕饘?球的α射線量抑制在0.0200cph/cm2W下。
[0016] 另外，得到如下見(jiàn)解:金屬材料的純度為99.995%?下時(shí)，能夠抑制球形度的降 低。
[0017] 此處，本發(fā)明如下所述。
[0018] (1) 一種金屬球的制造方法，其包括如下工序：
[0019] 將純金屬在相應(yīng)于隨氣壓發(fā)生變化的沸點(diǎn)和烙點(diǎn)而設(shè)定的加熱溫度下進(jìn)行加熱 而使純金屬烙融的工序，其中所述加熱溫度被設(shè)定為比作為去除對(duì)象的雜質(zhì)的沸點(diǎn)高、比 純金屬的烙點(diǎn)高、且比純金屬的沸點(diǎn)低的溫度；
[0020] 將烙融的純金屬造球成為球狀的工序，
[0021] 該純金屬的U的含量為5ppb W下，化的含量為5ppb W下，純度為99.9 % W上且 99.995%^下^6或^中任一者的含量、或者?6和81的總含量為199111^上，與在純金屬所含 的雜質(zhì)中作為去除對(duì)象的雜質(zhì)在大氣壓下的沸點(diǎn)相比，該純金屬在大氣壓下具有更高的沸 點(diǎn)。
[0022] (2)根據(jù)上述(1)所述的金屬球的制造方法，其中，純金屬在大氣壓下的烙點(diǎn)為900 °C W上，且沸點(diǎn)為962 °C W上。
[0023] (3)根據(jù)上述(2)所述的金屬球的制造方法，其中，去除對(duì)象的雜質(zhì)為化。
[0024] (4)根據(jù)上述（1)~上述(3)中任一項(xiàng)所述的金屬球的制造方法，其還包括將造球 得到的金屬球進(jìn)行退火的退火工序。
[0025] (5)-種接合材料，其特征在于，含有通過(guò)上述(1)~(4)中任一項(xiàng)所述的制造方法 制造的金屬球。
[0026] (6)-種金屬球，其是通過(guò)上述（1)~（4)中任一項(xiàng)所述的制造方法制造的，且α射 線量為0.0200cph/cm2 W下，球形度為0.90 W上。
[0027] (7)-種接合材料，其含有上述(6)所述的金屬球。
[002引發(fā)明的效果
[0029] 本發(fā)明中，可W制造抑制了所釋放的α射線量的金屬球。另外，可W提高抑制了所 釋放的α射線量的金屬球的球形度。
【附圖說(shuō)明】
[0030] 圖1為示出軸衰變系列的說(shuō)明圖。
[0031] 圖2為示出社衰變系列的說(shuō)明圖。
[0032] 圖3為示出澗衰變系列的說(shuō)明圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033] W下詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。在本說(shuō)明書中，關(guān)于金屬球的組成的單位（ppm、ppb、W 及％ )在沒(méi)有特別指定的情況下表示相對(duì)于金屬球的質(zhì)量的比例（質(zhì)量ppm、質(zhì)量ppb、W及 質(zhì)量％)。
[0034] 本發(fā)明的金屬球的制造方法包括:將作為純金屬的金屬材料進(jìn)行加熱而使其烙融 的工序和將烙融的金屬材料進(jìn)行造球的工序。對(duì)于本發(fā)明的金屬球的制造方法，在作為去 除對(duì)象的雜質(zhì)的沸點(diǎn)tlW上的加熱溫度T下將金屬材料進(jìn)行加熱，W使在金屬材料所含的 雜質(zhì)中經(jīng)過(guò)經(jīng)時(shí)變化而發(fā)生α衰變的雜質(zhì)的含量減少。
[0035] 對(duì)于將金屬材料進(jìn)行加熱而使其烙融的工序，為了在設(shè)為雜質(zhì)的沸點(diǎn)tlW上的加 熱溫度T下使金屬材料烙融且不揮發(fā)，選擇如下金屬材料:在將金屬材料的烙點(diǎn)設(shè)為t2且將 沸點(diǎn)設(shè)為t3時(shí)，烙點(diǎn)t2在雜質(zhì)的沸點(diǎn)tl附近且沸點(diǎn)t3為雜質(zhì)的沸點(diǎn)tlW上的金屬材料。加 熱溫度T設(shè)定為低于金屬材料的沸點(diǎn)t3。金屬材料的烙點(diǎn)t2高于軟針料，通過(guò)本發(fā)明的制造 方法制造的金屬球在軟針焊時(shí)的加熱溫度下不會(huì)烙融。需要說(shuō)明的是，雜質(zhì)W及金屬材料 的沸點(diǎn)和烙點(diǎn)會(huì)隨氣壓發(fā)生變化，因此，加熱溫度T是與氣壓相對(duì)應(yīng)地設(shè)定的。
[0036] 對(duì)于包含運(yùn)種加熱工序的金屬球的制造方法，能制造如下金屬球:U的含量為5ppb W下，Th的含量為5ppb W下，純度為99.9 % W上且99.995 % W下，α射線量為0.0200cph/cm2 W下，Pb或Bi中任一者的含量、或者化和Bi的總含量為IppmW上，球形度為0.90W上。
[0037] 作為用于制造運(yùn)種金屬球的金屬材料，可選擇:Cu、Ni、4旨、化、(：〇、411、刷、66等。另 夕 h 作為金屬材料，可選擇:Pt、Ti、Lu、Pd、Tm、Sc、^、Y、Ho、Dy、Tb、Gd、Be、Mn、Rii、Pr、La、Ca、 Eu、化、〔6、5'、8曰、41、]\%、513、了6、化、^、111、63等。進(jìn)而，作為金屬材料，可選擇:胖、1^、〇3、了曰、 1〇、佩、打、咖、冊(cè)、1'。、化、￥、化、2'等。
[0038] 圖1為示出軸衰變系列的說(shuō)明圖，圖2為示出社衰變系列的說(shuō)明圖，圖3為示出澗衰 變系列的說(shuō)明圖。對(duì)于U、化等即使烙點(diǎn)高，自然豐度高的同位素本身也會(huì)成為α射線源、或 經(jīng)過(guò)經(jīng)時(shí)變化引起衰變而成為α射線源的元素來(lái)說(shuō)，通過(guò)本發(fā)明的制造方法能夠降低α射線 量，但是無(wú)法將α射線量降低至能用作軟錯(cuò)誤對(duì)策的水平。因此，圖1~圖3的衰變系列所示 出的元素是從用于制造金屬球的金屬材料中被排除的。
[0039] W下，針對(duì)通過(guò)本發(fā)明的制造方法制造的金屬球的組成、α射線量、球形度進(jìn)行詳 細(xì)說(shuō)明。
[0040] · α射線量:0.0200c地/cm2W下
[0041 ]通過(guò)本發(fā)明的制造方法制造的金屬球的α射線量為0.0200cph/cm2W下。運(yùn)是在電 子部件的高密度安裝中軟錯(cuò)誤不會(huì)成為問(wèn)題的水平的α射線量。對(duì)于本發(fā)明的金屬球的制 造方法，通過(guò)包括在作為去除對(duì)象的雜質(zhì)的21咕0能夠揮發(fā)的溫度下將金屬材料進(jìn)行加熱的 工序，金屬材料中微量殘留的21咕0揮發(fā)，與金屬材料相比，金屬球表現(xiàn)出更低的α射線量。從 抑制進(jìn)一步的高密度安裝中的軟錯(cuò)誤的觀點(diǎn)出發(fā)，α射線量?jī)?yōu)選為0.0020cph/cm2W下、更 優(yōu)選為 0. 〇〇l〇cph/cm2 W下。
[0042] . U:5ppbW下，Th:5ppbW下
[0043] U和化為放射性元素，為了抑制軟錯(cuò)誤，需要抑制它們的含量。為了將金屬球的α射 線量設(shè)為0.0200cph/cm2 W下，需要使U和化的含量分別為5ppb W下。另外，從抑制現(xiàn)在或?qū)?來(lái)的高密度安裝中的軟錯(cuò)誤的觀點(diǎn)出發(fā)，U和化的含量?jī)?yōu)選分別為化pb W下。
[0044] · Pb或Bi中任一者的含量、或者Pb和Bi的總含量為IppmW上
[0045] 作為金屬球中所含的雜質(zhì)元素，可W考慮：Sn、Sb、Bi、Ni、ai、Fe、Al、As、Ag、In、Cd、 化、Pb、Au、P、S、U、化等。對(duì)于金屬球，雜質(zhì)元素當(dāng)中，特別優(yōu)選WPb或Bi中任一者的含量、或 者Pb和Bi的總含量為IppmW上的方式含有Pb和/或Bi作為雜質(zhì)元素。本發(fā)明中，從降低α射 線量的方面出發(fā)，沒(méi)有必要將化或Bi中任一者的含量、或者化和Bi的含量減少至極限。運(yùn)是 因?yàn)閃下的理由。
[0046] U中b通過(guò)β衰變而轉(zhuǎn)變?yōu)?1吃i，通過(guò)β衰變而轉(zhuǎn)變?yōu)閁中0，U咕0通過(guò)α衰變而轉(zhuǎn) 變?yōu)閣spb。因此，為了降低α射線量，也可W認(rèn)為作為雜質(zhì)元素的化或Bi中任一者的含量、或 者化和Bi的含量也盡量低是優(yōu)選的。
[0047] 但是，Pb中所含的UDpb和Bi中所含的的含有比低。因此，饑、Bi的含量降低到 某種水平時(shí)，可W認(rèn)為21咕b、2WBi被充分地去除至能夠?qū)ⅵ辽渚€量降低到前述范圍的水平。 另一方面，為了提高金屬球的球形度，如后所述，雜質(zhì)元素的含量較高為佳。Pb和Bi均作為 雜質(zhì)元素被含有在金屬材料中，從而在金屬球的制造工序中的烙融時(shí)會(huì)成為晶核，能夠提 高金屬球的球形度。因此，優(yōu)選的是，W可W將21咕b和21噸i去除至能夠?qū)ⅵ辽渚€量降低到前 述范圍的水平的量含有Pb或Bi中任一者、或者Pb和Bi。從運(yùn)種觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選的是，金屬球 中，Pb或Bi中任一者的含量、或者化和Bi的總含量為IppmW上。
[004引Pb或Bi中任一者的含量、或者Pb和Bi的總含量更優(yōu)選為lOppmW上。上限值在可降 低α射線量的范圍內(nèi)沒(méi)有限定，但從抑制金屬球的電導(dǎo)率劣化的觀點(diǎn)出發(fā)，更優(yōu)選的是，Pb 或Bi中任一者的含量、或者化和Bi的總含量低于lOOOppm?；暮扛鼉?yōu)選為lOppm~ 50ppm，Bi的含量更優(yōu)選為lOppm~50ppm。
[0049] ?金屬球的純度:99.9% W上且99.995%?下
[0050] 金屬球的純度為3NW上且4N5W下。即，金屬球的雜質(zhì)元素的含量為5ppmW上。在 此，對(duì)于化等金屬材料的純度，將99 %設(shè)為2N、將99.9 %設(shè)為3N、將99.99 %設(shè)為4N。4N5表示 金屬材料的純度為99.995%。
[0051] 構(gòu)成金屬球的金屬材料的純度為該范圍時(shí)，能夠在烙融金屬材料中確保用于使金 屬球的球形度提高的充分量的晶核。球形度提高的理由如下詳細(xì)說(shuō)明。
[0052] 制造金屬球時(shí)，形成為規(guī)定形狀的小片的金屬材料利用加熱而烙融，烙融金屬材 料因表面張力而成為球形，其發(fā)生凝固而形成金屬球。烙融金屬材料自液體狀態(tài)凝固的過(guò) 程中，晶粒在球形的烙融金屬材料中生長(zhǎng)。此時(shí)，若雜質(zhì)元素多，則該雜質(zhì)元素成為晶核，抑 制晶粒的生長(zhǎng)。因此，球形的烙融金屬材料利用生長(zhǎng)受到抑制的微細(xì)晶粒而形成為球形度 高的金屬球。
[0053] 另一方面，若雜質(zhì)元素少，則相應(yīng)地成為晶核的雜質(zhì)元素少，晶粒生長(zhǎng)不會(huì)受到抑 審IJ，而是具有某種方向性地生長(zhǎng)。其結(jié)果，球形的烙融金屬材料的表面的一部分會(huì)突出并凝 固。運(yùn)種金屬球的球形度低。作為雜質(zhì)元素，可W考慮Sn、Sb、Bi、Zn、Fe、Al、As、Ag、In、Cd、 化、口13、411、？、5、1]、化等。
[0054] 對(duì)純度的下限值沒(méi)有特別限定，從抑制α射線量，抑制由純度降低導(dǎo)致的金屬球的 電導(dǎo)率、熱導(dǎo)率劣化的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為3NW上。即，優(yōu)選的是，除金屬球的主要金屬材料之 外的雜質(zhì)元素的含量低于lOOOppm。
[0化5].金屬球的球形度:0.90?上
[0056]關(guān)于金屬球的形狀，從控制焊點(diǎn)高度的觀點(diǎn)出發(fā)，球形度優(yōu)選為0.90 W上。金屬球 的球形度低于0.90時(shí)，金屬球成為不規(guī)則形狀，因此在形成凸塊時(shí)形成高度不均勻的凸塊， 發(fā)生接合不良的可能性升高。球形度更優(yōu)選為0.94W上。本發(fā)明中，球形度表示與圓球的差 距。球形度例如通過(guò)最小二乘中屯、法化SC法）、最小區(qū)域中屯、法(MZC法）、最大內(nèi)切中屯、法 (MIC法）、最小外切中屯、法(MCC法)等各種方法求出。
[0化7] ?金屬球的直徑：1~ΙΟΟΟμL?
[005引金屬球的直徑優(yōu)選為1~1000皿。處于該范圍時(shí)，能夠穩(wěn)定地制造球狀的金屬球， 另外，能夠抑制端子間為窄間距時(shí)的連接短路。
[0059] <金屬球的制造方法〉
[0060] 本發(fā)明的金屬球的制造方法中，為了減少在金屬材料所含有的雜質(zhì)中發(fā)生α衰變 的雜質(zhì)的含量、在本例中為了減少21中〇的含量，而在高于Ρο的沸點(diǎn)tl的溫度、若在大氣壓下 則在高于化在大氣壓下的沸點(diǎn)tl即962°C的溫度下將金屬材料加熱而使其烙融，并進(jìn)行造 球。由此，使金屬材料中的化揮發(fā)且降低從金屬球釋放出的α射線量。
[0061 ] (1)化球的制造方法
[0062] 接著，作為本發(fā)明的金屬球的制造方法的一例，對(duì)化球的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。將成 為金屬球即Cu球的材料的Cu材料放置于陶瓷運(yùn)樣的耐熱性的板即耐熱板，與耐熱板一起在 爐中加熱。在耐熱板上設(shè)置有底部呈半球狀的多個(gè)圓形的槽。槽的直徑、深度根據(jù)化球的粒 徑適當(dāng)設(shè)定，例如直徑為0.8mm，深度為0.88mm。另外，將切斷Cu細(xì)線而得到的碎片形狀的化 材料(W下稱為"碎片材料"。）逐一投入到耐熱板的槽內(nèi)。
[0063] 對(duì)于槽內(nèi)投入了碎片材料的耐熱板，在填充有氨分解氣體的爐內(nèi)升溫至作為高于 化在大氣壓下的沸點(diǎn)tl即962°C的溫度的1100~1300°C，進(jìn)行30~60分鐘的加熱處理。此時(shí) 爐內(nèi)溫度達(dá)到Cu的烙點(diǎn)W上時(shí)，碎片材料烙融而成為球狀。之后，使?fàn)t內(nèi)驟冷至室溫(例如 25°C)、冷卻氣體溫度，Cu球2在耐熱板的槽內(nèi)成形。冷卻后，成形的化球在作為低于Cu烙點(diǎn) 的溫度的800~1000°C下再次進(jìn)行加熱處理。
[0064] 另外，作為其他方法，有W下方法:將烙融Cu自設(shè)置于相蝸的底部的孔口滴下，該 生成的液滴驟冷，從而將化球造球的霧化法;利用熱等離子體將Cu切割金屬(cut me化1)加 熱至1000°C W上并進(jìn)行驟冷，從而造球的方法。如此造球得到的Cu球也可W各自在800~ 1000°C的溫度下實(shí)施30~60分鐘再加熱處理。另外，在將化球造球之前，也可W將作為Cu球 2的原料的化材料在800~1000°C下進(jìn)行加熱處理。
[0065] 關(guān)于作為Cu球的原料的Cu材料，例如可W使用粒料、線、柱等。從不過(guò)度降低Cu球 的純度的觀點(diǎn)出發(fā)，化材料的純度可W是99.9~99.99%。
[0066] 進(jìn)而，使用高純度的Cu材料時(shí)，可W將烙融Cu的保持溫度與目前同樣地降低至 1000°C左右，而不進(jìn)行上述加熱處理。如此，前述加熱處理可W根據(jù)化材料的純度、α射線量 而適當(dāng)省去、變更。另外，制造出α射線量高的Cu球、異形的Cu球時(shí)，運(yùn)些Cu球也可W作為原 料而再利用，能夠進(jìn)一步降低α射線量。
[0067] 需要說(shuō)明的是，也可W進(jìn)行將造球得到的Cu球退火的被稱為退火的處理。制造金 屬球時(shí)，若使用純度為3N左右的金屬材料來(lái)制造金屬球，則能夠制造球形度高且硬度高的 金屬球。另一方面，使用高純度、例如45N5W上的金屬材料來(lái)制造金屬球時(shí)，雖然能夠降低 硬度，但會(huì)制造出球形度較低的金屬球。
[0068] 因此，為了制造球形度高且降低了硬度的金屬球，在造球后進(jìn)行退火處理。如果為 Cu球，則在造球后進(jìn)行加熱至例如700°C左右的處理。通過(guò)進(jìn)行運(yùn)樣的退火處理，雖然退火 前的維氏硬度為60HVW上，但是可W將硬度降低至低于60HV。
[0069] (2)Ni球的制造方法
[0070] 接著，作為本發(fā)明的金屬球的制造方法的一例，針對(duì)Ni球的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。Ni 球是通過(guò)霧化法制造的。本發(fā)明中的霧化法是指:Ni材料在作為高于化在大氣壓下的沸點(diǎn) 11即962 °C的溫度的1000°C W上烙融，將液態(tài)的烙融Ni從噴嘴W高速度噴霧，從而霧狀的烙 融Ni被冷卻，由此對(duì)Ni球進(jìn)行造球的方法。霧化法中，使用氣體作為將烙融Ni從噴嘴W高速 度噴霧時(shí)的介質(zhì)時(shí)，有氣體霧化法等。
[0071] 另外，作為其他霧化法，也可W為自孔口將烙融Μ滴下，該生成的液滴被驟冷，從 而對(duì)Μ球進(jìn)行造球的方法。各霧化法中造球得到的Μ球分別可W在800~1000°C的溫度下 實(shí)施30~60分鐘的再加熱處理。
[0072] 運(yùn)些Ni球的制造方法中，也可W在對(duì)Ni球進(jìn)行造球之前對(duì)Ni材料在800~1000°C 下進(jìn)行預(yù)加熱處理。
[0073] 關(guān)于作為Μ球的原料的Μ材料，例如可W使用粒料、線、板材等。從不使Μ球的純 度過(guò)度降低的觀點(diǎn)出發(fā)，Ni材料的純度為2Ν~4Ν即可。
[0074] 使用運(yùn)種高純度的Ni材料時(shí)，也可W將烙融Ni的保持溫度與W往同樣地降低至 1000°C左右，而不進(jìn)行前述加熱處理。如此，前述加熱處理也可W根據(jù)Ni材料的純度、α射線 量而適當(dāng)省去、變更。另外，制造出α射線量高的Ni球、異形的Ni球時(shí)，也可W將運(yùn)些Μ球作 為原料再利用，可W進(jìn)一步降低α射線量。
[0075] 需要說(shuō)明的是，為了制造球形度高且降低了硬度的Μ球，也可W進(jìn)行將造球得到 的Ni球退火的退火處理。
[0076] <金屬球的應(yīng)用例〉
[0077] 通過(guò)本發(fā)明的制造方法制造的Cu球、Ni球等金屬球可W應(yīng)用于軟針焊材料。為了 用于軟針焊材料，在金屬球的表面形成軟針料層(軟針料鍛覆膜)而制成金屬忍球即可。
[0078] 關(guān)于軟針料層的組成，在合金的情況下，只要是WSn作為主要成分的無(wú)鉛軟針料 合金的合金組成，就沒(méi)有特別限定。另外，作為軟針料層，可W為Sn鍛覆膜。例如可W舉出： Sn、Sn-Ag合金、Sn-Cu合金、Sn-Ag-Cu合金、Sn-In合金、W及在它們中添加了規(guī)定的合金元 素而成的合金。如的含量均為40質(zhì)量％ ^上。作為添加的合金元素，例如有Ag、Cu、In、Ni、 Co、訊、Ge、P、Fe等。運(yùn)些當(dāng)中，從落下沖擊特性的觀點(diǎn)出發(fā)，軟針料層的合金組成優(yōu)選為Sn- 3Ag-0.5Cu 合金。
[0079] 對(duì)軟針料層的厚度沒(méi)有特別限定，優(yōu)選為1(Κ)μπι(單側(cè)下，即是充分的。一般來(lái) 說(shuō)可W為20~50皿。
[0080] 對(duì)于通過(guò)本發(fā)明的制造方法制造的金屬球，α射線量為0.0200。9}1八1112^下，即使 是利用該金屬球得到的金屬忍球，也為了在電子部件的高密度安裝中軟錯(cuò)誤不會(huì)成為問(wèn)題 而使α射線量為0.0200cph/cm2 W下。
[0081] 因此，需要使軟針料層中的U和化的含量分別為5ppbW下。另外，從抑制現(xiàn)在或?qū)?來(lái)的高密度安裝中的軟錯(cuò)誤的觀點(diǎn)出發(fā)，U和化的含量?jī)?yōu)選分別為化pb W下。
[0082] 另外，軟針料層在不高于10(TC下形成，因此難W設(shè)想利用U、化、Po等放射性元素 、21化1和2i0pb等放射性同位素的氣化而使放射性元素、放射性同位素的含量減少。但是，一 邊使鍛液、金屬球流動(dòng)一邊進(jìn)行鍛覆時(shí)，U、ThJo、2iDpb和UDBi會(huì)在鍛液中形成鹽并沉淀。沉 淀的鹽為電中性，即使鍛液流動(dòng)，也不會(huì)混入到軟針料層中。
[0083] 因此，軟針料層中的放射性元素的含量明顯減少。因此，利用通過(guò)本發(fā)明的制造方 法制造的金屬球得到的金屬忍球由于被運(yùn)種軟針料層覆蓋而表現(xiàn)出低α射線量。從抑制進(jìn) 一步的高密度安裝中的軟錯(cuò)誤的觀點(diǎn)出發(fā)，α射線量?jī)?yōu)選為0.0020cph/cm2 W下、更優(yōu)選為 0.0010cph/cm2W下。
[0084] 形成軟針料層的金屬材料的純度越高，即雜質(zhì)的含量越少，放射性元素的含量越 降低，α射線量越降低，因此對(duì)雜質(zhì)量的下限值沒(méi)有特別限定。另一方面，上限值從減少曰射 線量的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為15化pm W下、更優(yōu)選為10化pm W下、進(jìn)一步優(yōu)選為50ppmW下、特別 優(yōu)選為lOppmW下。
[0085] 需要說(shuō)明的是，軟針料層為Sn軟針料時(shí)，軟針料層的純度為軟針料層的除Sn之外 的雜質(zhì)的總含量。另外，軟針料層為Sn-3Ag-0.5化的軟針料合金時(shí)，軟針料層的純度為軟針 料層中的除Sn、Ag和化之外的雜質(zhì)的含量的總和。
[0086] 作為軟針料層中所含的雜質(zhì)，在Sn軟針料層的情況下，可舉出:Ag、Ni、Pb、Au、U、Th 等。由Sn-Ag-Cu合金形成的軟針料層的情況下，可舉出：訊、Fe、As、In、Ni、Pb、Au、U、Th等。
[0087] 利用通過(guò)本發(fā)明的制造方法制造的金屬球得到的金屬忍球可W在形成軟針料層 前預(yù)先用其他金屬的層覆蓋金屬球的表面。特別是，在金屬球表面預(yù)先覆蓋有Ni層、Co層等 時(shí)，如果與金屬球的金屬元素相比，Ni、Co等覆蓋層的金屬元素更難W擴(kuò)散，則可W降低形 成金屬球的金屬材料向軟針料層中的溶出，從而能夠作為防擴(kuò)散層發(fā)揮作用。
[0088] 構(gòu)成防擴(kuò)散層的金屬不限定于單一金屬，也可W使用從Ni、Co等中組合兩種W上 元素而成的合金。防擴(kuò)散層的膜厚通常單側(cè)為0.1~20WI1。
[0089] 另外，利用通過(guò)本發(fā)明的制造方法制造的金屬球得到的金屬忍球在形成軟針料層 之前，也可W預(yù)先進(jìn)行沖擊鍛處理。通過(guò)進(jìn)行沖擊鍛處理，從而去除金屬表面的氧化膜，能 夠提高金屬球與軟針料層的密合性。
[0090] 通過(guò)本發(fā)明的制造方法制造的金屬球、利用該金屬球得到的金屬忍球能夠用于電 子部件的針焊接頭。另外，可W用于將金屬球或者金屬忍球分散在軟針料中的成形焊料。進(jìn) 而，可W用于將軟針料粉末、金屬球或者金屬忍球和助焊劑混煉而成的焊膏。在成形焊料和 焊膏中，例如使用組成為Sn-3Ag-0.5Cu(各數(shù)值為質(zhì)量％)的軟針料合金。需要說(shuō)明的是，本 發(fā)明并不限定于該軟針料合金。
[0091] 另外，對(duì)于通過(guò)本發(fā)明的制造方法制造的金屬球、利用該金屬球得到的金屬忍球， 也可W在表面形成助焊劑層。助焊劑層是由包含如下化合物的巧巾或多種成分構(gòu)成的:該化 合物作為防止金屬表面的氧化及去除金屬氧化膜的活性劑發(fā)揮作用。構(gòu)成助焊劑層的成分 W固體的狀態(tài)附著于金屬球或金屬忍球的表面。因此，助焊劑層可W由作為活性劑發(fā)揮作 用的成分構(gòu)成，所述活性劑在金屬球或金屬忍球的表面成為固體而附著，防止金屬球或金 屬忍球的表面的氧化，而且在軟針焊時(shí)去除接合對(duì)象物的金屬氧化膜。例如，助焊劑層也可 W由單一成分構(gòu)成，所述單一成分由不僅作為活性劑發(fā)揮作用、而且固定于金屬球或金屬 忍球的化合物組成。
[0092] 作為構(gòu)成助焊劑層的活性劑，添加胺、有機(jī)酸、面素化合物中任意種；多種胺的組 合;或多種有機(jī)酸的組合;多種面素化合物的組合;單一或多種胺、有機(jī)酸、面素化合物的組 厶 1=1 ο
[0093] 另外，助焊劑層也可W由包含作為活性劑發(fā)揮作用的化合物、和作為活化助劑發(fā) 揮作用的化合物等多種成分構(gòu)成。進(jìn)而，構(gòu)成助焊劑層的化合物例如作為活性劑發(fā)揮作用 的化合物即使單獨(dú)時(shí)不是固體，只要是與其他混合物混合而成為固體的物質(zhì)即可。
[0094] 作為構(gòu)成助焊劑層的活化助劑，根據(jù)活性劑的特性而添加醋、酷胺、氨基酸中任意 種;或多種醋的組合;多種酷胺的組合；多種氨基酸的組合;單一或多種醋、酷胺、氨基酸的 組合。
[0095] 另外，助焊劑層也可W為了保護(hù)作為活性劑發(fā)揮作用的化合物等免受回流焊時(shí)的 熱的影響而包含松香、樹(shù)脂。進(jìn)而，助焊劑層也可W包含用于將作為活性劑發(fā)揮作用的化合 物等固定于金屬球或金屬忍球的樹(shù)脂。
[0096] 助焊劑層也可W由包含單一或多種化合物的單一層構(gòu)成。另外，助焊劑層也可W 由包含多種化合物的多個(gè)層構(gòu)成。構(gòu)成助焊劑層3的成分W固體的狀態(tài)附著于金屬球或金 屬忍球的表面，但在使助焊劑附著于金屬球或金屬忍球的工序中，需要助焊劑為液態(tài)或氣 態(tài)。
[0097] 因此，利用溶液涂布時(shí)，構(gòu)成助焊劑層的成分需要可溶于溶劑，但存在例如若形成 鹽則在溶劑中變得不溶的成分。由于存在在液態(tài)的助焊劑中變得不溶的成分，包含會(huì)形成 沉淀物等的難溶解性成分的助焊劑變得難W均勻吸附。因此，一直W來(lái)，無(wú)法混合會(huì)形成鹽 那樣的化合物來(lái)構(gòu)成液態(tài)的助焊劑。
[0098] 與此相對(duì)，逐層地形成助焊劑層并制成固體的狀態(tài)，形成多層的助焊劑層時(shí)，即使 在使用會(huì)形成鹽那樣的化合物的情況下，即使是在液態(tài)的助焊劑中無(wú)法混合的成分，也能 夠形成助焊劑層。
[0099] 對(duì)于通過(guò)本發(fā)明的制造方法制造的金屬球、利用該金屬球得到的金屬忍球的使用 方法，除了在將焊膏涂布在電極上之后，直接將金屬球或金屬忍球載置在焊膏上并進(jìn)行接 合W外，也可W使用使金屬球或金屬忍球分散在軟針料中而成的成形焊料等。另外，也可W 將軟針料粉末、助焊劑、W及金屬球或金屬忍球混煉，預(yù)先制成含有金屬球或金屬忍球的焊 膏。此時(shí)，也可W同時(shí)添加組成、粒徑不同的巧巾W上的軟針料粉末。
[0100] 進(jìn)而，也可W將金屬球與聚合物粘結(jié)劑、溶劑混煉而制成金屬球糊劑。作為聚合物 粘結(jié)劑，可W使用：環(huán)氧丙締酸醋、丙締酸類樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、酪醒樹(shù)脂、聚醋樹(shù)脂、聚酷亞 胺、聚乙酸乙締醋等。作為溶劑，可W使用：下基溶纖劑乙酸醋、節(jié)醇、乙酸乙醋、甲乙酬、下 基卡必醇等。
[0101] 使用上述方法時(shí)，對(duì)于與金屬球或金屬忍球同時(shí)使用的焊膏、成形焊料用軟針料 合金、焊膏用軟針料粉末的組成沒(méi)有特別限定，對(duì)于α射線量，優(yōu)選為0.0200cph/cm2W下。
[0102] 另外，通過(guò)本發(fā)明的制造方法制造的Cu球、Ni球等金屬球也可W應(yīng)用于導(dǎo)電性接 合材料中。此時(shí)的導(dǎo)電性接合材料是指，為了利用熱固性樹(shù)脂在低于導(dǎo)電性金屬粉末(金屬 球)的烙點(diǎn)的溫度下進(jìn)行粘接而使用的接合材料。本發(fā)明中，將軟針焊材料和導(dǎo)電性接合材 料統(tǒng)稱為接合材料。
[0103] 實(shí)施例
[0104] W下，對(duì)本發(fā)明的金屬球的制造方法的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于此。
[0105] <化球的純度與球形度、α射線量的關(guān)系〉
[0106] 作為金屬球，制造純度不同的化球而測(cè)定球形度和α射線量，來(lái)檢驗(yàn)Cu球的純度與 球形度的關(guān)系、W及α射線量。
[0107] (l)Cu球的制作
[0108] 實(shí)施例1A的化球使用純度為99.9% (3N)的Cu粒料而制成。實(shí)施例2A的化球使用純 度為99.995% (4N5)W下的化線而制成。比較例1A的化球使用純度超過(guò)99.995% (4N5)的化 板而制成。
[0109] 通過(guò)氣體霧化法對(duì)上述原料進(jìn)行造球。由此制作平均粒徑為50]im的化球。
[0110] (2)化球的α射線量的測(cè)定方法
[0111] α射線量的測(cè)定方法如下。α射線量的測(cè)定使用氣流正比計(jì)數(shù)器的α射線測(cè)定裝置。 測(cè)定樣品是將Cu球鋪滿于300mmX300mm的平面淺底容器直至看不到容器的底部而得到的 樣品。將該測(cè)定樣品放入α射線測(cè)定裝置內(nèi)，在PR-10氣流下放置24小時(shí)，然后測(cè)定α射線量。
[0112] 需要說(shuō)明的是，測(cè)定中使用的PR-10氣體(氣氣90%-甲燒10%)是將PR-10氣體填 充于儲(chǔ)氣瓶中后經(jīng)過(guò)了 3周W上的氣體。使用經(jīng)過(guò)了 3周W上的儲(chǔ)氣瓶是為了按照化DEC (Joint Electron Device Engineering Council;電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)）所規(guī)定的 JEDEC STANDA畑-Alpha Radiation Measurement in Electronic Materials JESD221使 得進(jìn)入到儲(chǔ)氣瓶的大氣中的氮不產(chǎn)生a射線。
[0113] (3)化球的球形度的測(cè)定方法
[0114] 球形度的測(cè)定方法如下。球形度利用CNC圖像測(cè)定系統(tǒng)來(lái)測(cè)定。本實(shí)施例中，通過(guò) Mi1:utoyo Co巧oration制造的ULTRA 如ick Vision、ULTRA QV350-PR0測(cè)定裝置，測(cè)定Cu球 的長(zhǎng)徑的長(zhǎng)度和直徑的長(zhǎng)度，算出500個(gè)Cu球各自的直徑除W長(zhǎng)徑得到的值的算術(shù)平均值 而求出球形度。該值越接近上限即1.00表示越接近圓球。
[0115] 將制作的Cu球的元素分析結(jié)果、球形度和α射線量示于表1。表1中，對(duì)于單位，U和 化為質(zhì)量ppb，其他元素為質(zhì)量卵m。
[0116] [表 1]
[0117]
[0118] 如表1所示，實(shí)施例ΙΑ的Cu球的純度為3N(99.9%)，實(shí)施例2A的Cu球的純度為4N5 (99.995%)^下，8巧日饑的含量為1〇99111^上，但是日射線量低于〇.〇〇1〇。9}1八1112，其低于所 要求的0.0200cph/cm2。比較例1A的Cu球的純度高于4N5,因此理所當(dāng)然α射線量低于 O.OOlOcph/cm^o
[0119] 另外，如表1所示，實(shí)施例1A和實(shí)施例2A的Cu球的純度為4N5W下，除化之外的元素 的含量為50ppmW上，因此球形度均顯示為0.95 W上，滿足0.90 W上的條件。另一方面，比較 例1A的化球的純度高于4N5,除化之外的元素的含量低于50ppm，因此球形度低于0.90。
[0120] <Ni球的純度與球形度、α射線量的關(guān)系〉
[0121 ]作為金屬球，制造純度不同的Ni球而測(cè)定球形度和α射線量，來(lái)檢驗(yàn)Μ球的純度與 球形度的關(guān)系、W及α射線量。
[0122] (l)Ni球的制作
[0123] 實(shí)施例1B的Ni球使用純度為99.9%(3N)的Ni線而制作。對(duì)于實(shí)施例1B中使用的Μ 線，日射線量為0. 〇〇34cph/cm2，U的含量為0.7ppb，Th的含量為0.5ppb。
[0124] 實(shí)施例2B的Ni球使用純度為99.995%(4服）^下的化線而制作。對(duì)于實(shí)施例28中 使用的Ni線，純度為99.99 % (4N)，α射線量為0. 〇〇26cph/cm2，U的含量低于0.5ppb，Th的含 量低于〇.5ppb。
[0125] 比較例1B的Ni球使用純度超過(guò)99.995%(4服）的化板而制作。對(duì)于比較例18中使 用的Ni板，純度為99.997% (4N7)，α射線量低于0.0 OlOcph/cm2，U的含量低于0.5ppb，Th的 含量低于〇.5ppb。
[0126] 將上述原料投入相蝸中后，對(duì)于相蝸的溫度，如果在大氣壓下，則在作為高于化在 大氣壓下的沸點(diǎn)tl即962°C的1000°C的溫度條件下進(jìn)行45分鐘預(yù)加熱。然后，將噴出溫度設(shè) 為1600°C、優(yōu)選設(shè)為1700°C，通過(guò)氣體霧化法將液態(tài)的烙融Ni從噴嘴W高速度噴霧，從而霧 狀的烙融Ni驟冷至室溫，由此對(duì)Ni球進(jìn)行造球。由此，制作平均粒徑為50WI1的Ni球。
[0127] (2)Ni球的α射線量的測(cè)定
[0128] α射線量的測(cè)定方法與Cu球同樣，使用了氣流正比計(jì)數(shù)器的α射線測(cè)定裝置。測(cè)定 樣品是將Μ球鋪滿于300mmX300mm的平面淺底容器而得到的樣品。將該測(cè)定樣品放入至α 射線測(cè)定裝置內(nèi)，在PR-10氣流下放置24小時(shí)，然后測(cè)定α射線量。
[0129] (3)Ni球的球形度的測(cè)定
[0130] 球形度利用CNC圖像測(cè)定系統(tǒng)測(cè)定。測(cè)定方法與Cu球相同，使用了Mitutoyo Co巧oration制造的ULTRA 如ick Vision、ULTRAQV350-PR0。
[0131] 將制作的Ni球的元素分析結(jié)果、α射線量和球形度示于表2。表2中，對(duì)于單位，U和 化為質(zhì)量ppb，其他元素為質(zhì)量卵m。關(guān)于元素分析，對(duì)于Ni球，U和化通過(guò)電感禪合等離子體 質(zhì)譜(ICP-MS分析)進(jìn)行，其他元素通過(guò)電感禪合等離子體發(fā)射光譜(ICP-AES分析)進(jìn)行。
[0132] [表 2]
[0133]
[0134] 如表2所示，實(shí)施例1B的Ni球的純度為3N(99.9%)，實(shí)施例2B的Ni球的純度為4N5 (99.995%)^下，8巧日饑的含量為1〇99111^上，但是日射線量低于〇.〇〇1〇。9}1八1112，其低于所 要求的0.0200cph/cm2。比較例1B的Ni球的純度高于4N5,因此理所當(dāng)然α射線量低于 0.0 OlOcph/cm2。另外，實(shí)施例1Β和實(shí)施例2Β的Ni球至少在2年內(nèi)α射線量低于0.0 OlOcph/ cm2。因此，實(shí)施例1B和實(shí)施例2B的Ni球也克服了因經(jīng)時(shí)變化引起α射線量增加運(yùn)樣的近年 來(lái)的問(wèn)題。
[013引另外，如表2所示，實(shí)施例1Β和實(shí)施例2Β的Ni球的純度為4Ν5 W下，除Ni之外的元素 的含量為50ppmW上，因此球形度均顯示為0.94W上。另一方面，比較例IB的Ni球的純度高 于4N5，除Ni之外的元素的含量低于50ppm，因此球形度低于0.90。
[0136] 通過(guò)本發(fā)明的制造方法制造的金屬球也可W被含有在軟針焊材料中。具體而言， 也可W添加到預(yù)成形焊料、將助焊劑和軟針料粉末混煉而成的焊膏等中而使用。
[0137] 另外，在本發(fā)明的制造方法中，為了降低金屬球的維氏硬度，可W追加退火的退火 處理工序。
[0138] 造球得到的金屬球從提高生產(chǎn)量、生產(chǎn)率的觀點(diǎn)出發(fā)，通常是驟冷至室溫、冷卻氣 體溫度。但是，通過(guò)驟冷制造金屬球時(shí)，金屬元素的晶粒會(huì)瞬間形成，在晶粒大幅生長(zhǎng)之前 即由微細(xì)的晶粒成形為金屬球。由微細(xì)的晶粒形成的金屬球較硬，維氏硬度大，因此存在如 下問(wèn)題:對(duì)于來(lái)自外部的應(yīng)力的耐久性變低，耐落下沖擊性變差。因此，對(duì)于在半導(dǎo)體忍片 的安裝中使用的金屬球，要求有一定的柔軟度、即一定值W下的維氏硬度。
[0139] 因此，作為退火處理，在能夠退火的溫度下將金屬球加熱規(guī)定時(shí)間，然后，將加熱 的金屬球經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行緩冷。由此，可進(jìn)行金屬球的重結(jié)晶，可促進(jìn)緩慢的晶體生長(zhǎng)，因 此能使金屬元素的晶粒大幅生長(zhǎng)。此時(shí)，通常金屬球的球形度降低。然而，由于形成于金屬 球的最外表面的氧化銅作為雜質(zhì)元素發(fā)揮作用，因此，在金屬球的最外表面，晶粒成為微細(xì) 化的狀態(tài)，不會(huì)引起金屬球的球形度的極度降低。另外，α射線量不會(huì)因退火工序而增大。
[0140] 如上所述，在本發(fā)明的制造方法中，通過(guò)增加退火處理工序，能夠制造 α射線量低、 球形度高、耐落下沖擊性良好的金屬球。
[0141] 具體而言，在將Cu球作為金屬球制造時(shí)，維氏硬度優(yōu)選為20HVW上且60HVW下。在 維氏硬度超過(guò)60HV時(shí)，不僅對(duì)于來(lái)自外部的應(yīng)力的耐久性變低，耐落下沖擊性變差，而且變 得容易產(chǎn)生裂紋。Cu球的維氏硬度低于20HV時(shí)，在Ξ維安裝時(shí)會(huì)由于半導(dǎo)體忍片等的自重 而使化球本身變形(壓壞），無(wú)法保持基板之間的適當(dāng)?shù)目臻g(焊點(diǎn)高度）。
[0142] 作為Cu球的退火條件，可W將從室溫加熱至700°C的升溫時(shí)間設(shè)為60分鐘，將在 700°C下保持的保持時(shí)間設(shè)為60分鐘，將從700°C冷卻至室溫的冷卻時(shí)間設(shè)為120分鐘。爐內(nèi) 的冷卻是使用設(shè)置于爐內(nèi)的冷卻風(fēng)扇進(jìn)行的。另外，為了去除通過(guò)退火處理而在Cu球表面 上形成的氧化膜，可W通過(guò)將實(shí)施了退火處理的化球浸潰于稀硫酸中而進(jìn)行酸處理。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種金屬球的制造方法，其特征在于，包括如下工序： 將純金屬在相應(yīng)于隨氣壓發(fā)生變化的沸點(diǎn)和熔點(diǎn)而設(shè)定的加熱溫度下進(jìn)行加熱而使 純金屬熔融的工序，其中所述加熱溫度被設(shè)定為比作為去除對(duì)象的雜質(zhì)的沸點(diǎn)高、比純金 屬的熔點(diǎn)高、且比純金屬的沸點(diǎn)低的溫度； 將熔融的純金屬造球成為球狀的工序， 該純金屬的U的含量為5ppb以下，Th的含量為5ppb以下，純度為99.9%以上且99.995% 以下，Pb或Bi中任一者的含量、或者Pb和Bi的總含量為lppm以上，與在純金屬所含的雜質(zhì)中 作為去除對(duì)象的雜質(zhì)在大氣壓下的沸點(diǎn)相比，該純金屬在大氣壓下具有更高的沸點(diǎn)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬球的制造方法，其特征在于，純金屬在大氣壓下的熔點(diǎn)為 900 °C以上，且沸點(diǎn)為962 °C以上。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬球的制造方法，其特征在于，去除對(duì)象的雜質(zhì)為Po。4. 根據(jù)權(quán)利要求1~權(quán)利要求3中任一項(xiàng)所述的金屬球的制造方法，其特征在于，還包 括將造球得到的金屬球進(jìn)行退火的退火工序。5. -種接合材料，其特征在于，含有通過(guò)權(quán)利要求1~權(quán)利要求4中任一項(xiàng)所述的制造 方法制造的金屬球。6. -種金屬球，其特征在于，其是通過(guò)權(quán)利要求1~權(quán)利要求4中任一項(xiàng)所述的制造方 法制造的，且α射線量為0.0200cph/cm 2以下，球形度為0.90以上。7. -種接合材料，其特征在于，含有權(quán)利要求6所述的金屬球。
【文檔編號(hào)】H01L21/60GK105980087SQ201480074919
【公開(kāi)日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2014年2月4日
【發(fā)明人】川崎浩由, 六本木貴弘, 相馬大輔, 佐藤勇
【申請(qǐng)人】千住金屬工業(yè)株式會(huì)社