一種單原子層沉積技術(shù)生長含Ni薄膜的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種單原子層沉積技術(shù)生長含Ni薄膜的方法，包括以下步驟：A)將襯底置于反應(yīng)腔中，在真空條件下，以脈沖形式向反應(yīng)腔中通入氣相Ni源進(jìn)行沉積，得到沉積有Ni源的襯底，所述Ni源包括具有式I所示結(jié)構(gòu)的化合物；B)將氣相還原劑以脈沖形式通入反應(yīng)腔，對沉積在襯底上的Ni源進(jìn)行還原，得到沉積有Ni薄膜的襯底。本發(fā)明采用了具有式I結(jié)構(gòu)的Ni源，將其應(yīng)用在單原子層沉積技術(shù)(ALD)中，使得能夠在納米級的半導(dǎo)體器件上沉積形成保型性較好的含Ni沉積層。并且，采用本發(fā)明中的方法制得的Ni膜電阻率更低，實驗結(jié)果表明，本發(fā)明制得的Ni薄膜電阻率在13～24μΩ·cm。
【專利說明】
-種單原子層沉積技術(shù)生長含N i薄膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種單原子層沉積技術(shù)生長含Μ薄膜 的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] Μ金屬娃化物作為接觸材料在CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)器件源漏技術(shù)中獲 得廣泛應(yīng)用。作為接觸金屬，Μ娃化物(Ni-silicide)具有電阻率低，連續(xù)、均勻等突出優(yōu) 點。傳統(tǒng)的Ni娃化物都是采用PVD(化ysical Vapor 0日9〇3；[1:;[0]1，物理氣相沉積)技術(shù)淀積 一層Ni金屬，再通過熱退火使Ni與娃反應(yīng)生成娃化物。
[0003] 由于微電子和深亞微米忍片技術(shù)的發(fā)展要求器件和材料的尺寸不斷降低，而器件 中的高寬比不斷增加，運樣所使用材料的厚度降低至幾個納米數(shù)量級。當(dāng)CMOS器件尺寸持 續(xù)微縮到16/14納米及其W下技術(shù)節(jié)點，娃化物技術(shù)有了很大改進(jìn)，將采用后娃化物接觸技 術(shù)。具體地說，就是先形成接觸孔或接觸溝槽，再在孔或溝槽中淀積金屬的辦法，該技術(shù)只 在接觸底部形成娃化物。在運種情況下，傳統(tǒng)的PVD方法沉積Ni形成金屬娃化物已不能滿足 需求。特別是當(dāng)源漏區(qū)的娃材料為Fin或納米線的時候，PVD方法沉積形成的Μ娃化物沉積 層很難成型。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種單原子層沉積技術(shù)生長金屬Ni的方法，本發(fā)明中的方 法能夠在納米級的半導(dǎo)體器件上沉積形成含Ni沉積層。
[0005] 本發(fā)明提供一種單原子層沉積技術(shù)生長含Ni薄膜的方法，包括W下步驟：
[0006] A)將半導(dǎo)體襯底置于反應(yīng)腔中，在真空條件下，W脈沖形式向反應(yīng)腔中通入氣相 Ni源進(jìn)行沉積，得到沉積有Ni源的襯底，所述Ni源包括具有式I所示結(jié)構(gòu)的化合物：
[0007]
[000引 B)將氣相還原劑W脈沖形式通入反應(yīng)腔，對沉積在襯底上的Μ源進(jìn)行還原，得到 沉積有含Ni薄膜的襯底。
[0009]優(yōu)選的，所述步驟A)中W脈沖形式向反應(yīng)腔中通入氣相Ni源的單個脈沖的持續(xù)時 間為0.05~20s。
[0010] 優(yōu)選的，所述步驟A)中兩個脈沖之間的間隔時間為0.5~30s。
[0011] 優(yōu)選的，所述步驟A)中的沉積的溫度為125~400°C。
[0012] 優(yōu)選的，所述氣相Ni源在載氣存在條件下W脈沖形式通入；
[0013] 所述載氣的流量為10~200sccm。
[0014] 優(yōu)選的，所述步驟B)中氣相還原劑包括此、畑3、B2化、單烷基棚燒、氨基棚燒、醇類、 阱類、烷基侶、氨基侶燒類和烷基鋒中的一種或幾種。
[0015] 優(yōu)選的，所述步驟B)中將氣相還原劑W脈沖形式通入反應(yīng)腔的單個脈沖的持續(xù)時 間為0.01~20s。
[0016] 優(yōu)選的，所述步驟B)中兩個脈沖之間的間隔時間為0.5~30s。
[0017] 優(yōu)選的，所述步驟B)中氣相還原劑在載氣存在的條件下W氣相脈沖形式通入；
[001引所述載氣的流量為10~200sccm。
[0019]優(yōu)選的，所述半導(dǎo)體襯底包括娃、氧化娃、氮化娃、Ta財P藍(lán)寶石中的一種或幾種。
[0020] 本發(fā)明提供了一種單原子層沉積技術(shù)生長含Μ薄膜的方法，包括W下步驟:A)將 襯底置于反應(yīng)腔中，在真空條件下，W脈沖形式向反應(yīng)腔中通入氣相Ni源進(jìn)行沉積，得到沉 積有Μ源的襯底，所述Ni源包括具有式I所示結(jié)構(gòu)的化合物;B)將氣相還原劑W脈沖形式通 入反應(yīng)腔，對沉積在襯底上的Μ源進(jìn)行還原，得到沉積有Μ薄膜的襯底。本發(fā)明采用了具有 式I結(jié)構(gòu)的Μ源，將其應(yīng)用在單原子層沉積技術(shù)(ALD)中，使得能夠在納米級的半導(dǎo)體器件 上沉積形成保型性較好的含Μ沉積層。該Μ源(Ni(acac)2(TMEDA))的揮發(fā)性好、熱分解溫 度高、并且成本低，因此能夠適用于較高溫度的單原子層沉積(ALD)過程，制得保型性較好 的含Μ沉積層。并且，采用本發(fā)明中的方法制得的Μ膜電阻率更低，實驗結(jié)果表明，本發(fā)明 制得的Ni薄膜電阻率在13~2化Ω .cm。
【附圖說明】
[0021] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可W根據(jù) 提供的附圖獲得其他的附圖。
[0022] 圖 1 為Ni(acac)2(TMEDA)、NiCp2 與 Ni(acac)2 的熱分解圖；
[0023] 圖2為本發(fā)明實施例1中的Ni薄膜的SEM圖片。
【具體實施方式】
[0024] 本發(fā)明提供了一種單原子層沉積技術(shù)生長含Ni薄膜的方法，包括W下步驟：
[0025] A)將襯底置于反應(yīng)腔中，在真空條件下，W脈沖形式向反應(yīng)腔中通入氣相Μ源進(jìn) 行沉積，得到沉積有Ni源的襯底，所述Ni源包括具有式I所示結(jié)構(gòu)的化合物：
[0026]
[0027] B)將氣相還原劑W脈沖形式通入反應(yīng)腔，對沉積在襯底上的Ni源進(jìn)行還原，得到 沉積有含Ni薄膜的襯底。
[0028] 本發(fā)明將襯底置于反應(yīng)腔中，在真空條件下，W脈沖形式向反應(yīng)腔中通入氣相Μ 源進(jìn)行沉積，得到沉積有Ni源的襯底，本發(fā)明優(yōu)選先將所述需要沉積含Ni薄膜的襯底進(jìn)行 清洗，得到預(yù)處理的襯底。在本發(fā)明中，優(yōu)選使用工業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)清洗，如，使用SPM化2S化/出化） 溶液去除襯底表面的有機(jī)沾污，使用APM(NH40H/此〇2)溶液去除襯底表面的顆粒沾污，采用 稀釋的HF溶液漂洗去除襯底表面的自然氧化層。在實際應(yīng)用中，不限于此種清洗方法，也可 視實際應(yīng)用使用其它清洗方法，如丙酬-異丙醇清洗等。
[0029] 得到預(yù)處理的襯底后，本發(fā)明優(yōu)選將預(yù)處理的襯底放入原子層沉積設(shè)備的傳片腔 并抽真空，實現(xiàn)沉積所需的真空環(huán)境，達(dá)到要求的真空度后，再傳入反應(yīng)腔，W避免空氣中 的水氧擴(kuò)散至反應(yīng)腔影響金屬膜的生長。為了進(jìn)一步的保證原子層沉積設(shè)備中各管路及腔 體內(nèi)無水氧殘留，在放置襯底前，本發(fā)明優(yōu)選對原子層沉積設(shè)備的管路及反應(yīng)腔體進(jìn)行抽 空或預(yù)長膜處理。
[0030] 在本發(fā)明中，襯底優(yōu)選包括娃、氧化娃、氮化娃、TaN和藍(lán)寶石中的一種或幾種;所 述氣相化源包括具有式1所示結(jié)構(gòu)的化合物，該化合物化學(xué)式為:化（日。日(3)2巧1日04)，本發(fā) 明對具有式I所示結(jié)構(gòu)的Μ源化合物的來源沒有特殊的限制，可W按照參考文獻(xiàn)化urnal of O;rganometailic Qiemistry,355( 1988)525-532.進(jìn)行合成。
[0031] 本發(fā)明優(yōu)選對所述Ni源進(jìn)行加熱，使之氣化，得到氣相Ni源，所述對Ni源加熱的溫 度優(yōu)選為25~200°C，更優(yōu)選為50~180°C，具體的，可W是90°C、120°C、150°C或180°C。
[0032]
[0033] 化（acac)2(TMEDA)較常用Ni源如二茂儀NiCp2與乙酷丙酬儀Ni(acac)2,具有如下 優(yōu)勢：
[0034] (1)揮發(fā)性與NiCp2相仿但明顯優(yōu)于Ni (acac )2，且成本要遠(yuǎn)低于NiCp2;
[0035] (2)熱分解溫度遠(yuǎn)高于Ni(acac)2,參見圖1，圖1為Ni(acac)2(TMEDA)、NiCp2與Ni (acac)2的熱分解圖。由圖1可W看出，Ni(acac)2在120°C發(fā)生分解，NiCp2在172°C開始分解， 而本申請中的Ni (acac) 2 (TMEDA)熱分解溫度大于300 °C (經(jīng)測試，300 °C下Ni (acac) 2 (TMEDA) 未發(fā)生分解）；因此Ni(acacMTMEDA)能夠適用于較高溫度的ALD過程。
[0036] (3)對空氣濕度敏感程度低，易于存儲及運輸。
[0037] 在本發(fā)明中，所述氣相Μ源的單個脈沖的持續(xù)時間優(yōu)選為0.05~20s，更優(yōu)選為1 ~18s，最優(yōu)選為3~15s，具體的，在本發(fā)明的實施例中，可W是13、53、83、123或163;所述氣 相Ni源兩個脈沖之間的間隔時間優(yōu)選為0.5~30s，更優(yōu)選為1~25s，最優(yōu)選為5~20s，具體 的，在本發(fā)明的實施例中，可W是5s、10s、15s、20s或25s;所述沉積的溫度優(yōu)選為125~400 °C，更優(yōu)選為150~350°C，最優(yōu)選為200~300°C，具體的，在本發(fā)明的實施例中，可W是150 °C、200°C、25(rC、30(rC或350°C;所述氣相Ni源的的載氣優(yōu)選為高純氮氣或高純氣氣，所述 載氣的流量優(yōu)選為10~200sccm，更優(yōu)選為20~leOsccm，最優(yōu)選為60~120sccm，具體的，可 W是20sccm、90sccm、120sccm、160sccm或60sccm。
[0038] 完成一次Ni源的沉積后，本發(fā)明優(yōu)選采用高純氮氣或高純氣氣對反應(yīng)腔體進(jìn)行吹 掃清洗，清洗的時間優(yōu)選為5~50s，更優(yōu)選為10~45s，最優(yōu)選為15~40s。
[0039] 然后，本發(fā)明將氣相還原劑W相脈沖形式通入反應(yīng)腔內(nèi)，對沉積在襯底上的Ni源 進(jìn)行還原，得到沉積有含Ni薄膜的襯底，在本發(fā)明中，所述還原劑優(yōu)選包括此、N曲、B抽6、單 烷基棚燒、氨基棚燒、醇類、阱類、烷基侶、氨基侶燒類和烷基鋒中的一種或幾種，更優(yōu)選包 括此、畑3、B2此、單烷基棚燒（RiB此或R1R2BH)、氨基棚燒（R1R2HN · B曲或R1R2R3N · B曲）、醇類 (RiOH)、阱類（RiNHN出或化出）、烷基侶（AIR1R2R3)、氨基侶燒類（R1R2R3N · A1出）和烷基鋒 (化RiR2)中的一種或幾種其中化，R2，R3為C1~CIO控基，且S者可W相同也可W不同，不同物 質(zhì)中的Ri可W相同也可W不同，如RiOH和RiNHN出中的Ri可W相同也可W不同。具體的，在本 發(fā)明的實施例中，還原劑可采用化Η4、Μθ2ΝΗ · B出、C出0Η、Α1Μθ3或Z址t2。本發(fā)明優(yōu)選將所述 還原劑加熱，使之氣化，形成氣態(tài)的還原劑。所述加熱還原劑的溫度優(yōu)選為25~150°C，更優(yōu) 選為40~140°C，具體的，在本發(fā)明的實施例中，可W是60°C、90°C、25°C或85°C。
[0040] 在本發(fā)明中，所述通入還原劑的單個脈沖的持續(xù)時間優(yōu)選為0.01~20s，更優(yōu)選為 1~15s，更優(yōu)選為5~10s，具體的，在本發(fā)明的實施例中，可W是10s、ls、20s、15s或5s;所述 通入還原劑兩個脈沖之間的間隔時間優(yōu)選為0.5~30s，更優(yōu)選為1~25s，最優(yōu)選為5~20s， 具體的，在本發(fā)明的實施例中，可W是153、53、1〇3、253或2〇3。所述氣相還原劑的載氣優(yōu)選 為高純氮氣或高純氣氣，所述載氣的流量優(yōu)選為10~200sccm，更優(yōu)選為20~leOsccm，最優(yōu) 選為 60 ~120sccm。
[0041] 完成一次還原后，本發(fā)明優(yōu)選采用高純氮氣或高純氣氣對反應(yīng)腔體進(jìn)行吹掃清 洗，所述清洗的時間優(yōu)選為5~50s，更優(yōu)選為10~45s，最優(yōu)選為15~40s。
[0042] 本發(fā)明優(yōu)選重復(fù)上述氣相Ni源沉積-吹掃清洗-氣相還原劑還原-吹掃清洗運一過 程，重復(fù)循環(huán)的次數(shù)視實際需求而定，在本發(fā)明中，所述循環(huán)的次數(shù)優(yōu)選為300~4500次，更 優(yōu)選為1000~3000次，具體的，在本發(fā)明的實施例中，可W是300次、1000次、1500次、3000次 或4500次。
[0043] 本發(fā)明中的方法，不僅適用于單獨使用具有式I結(jié)構(gòu)的化合物Ni(acac)2(TMEDA) 為Ni源前驅(qū)體原料制備金屬Ni薄膜材料，還能夠?qū)⑵渑c其他物質(zhì)搭配用于Ni的氧化物、Ni 的氮化物或者Ni合金薄膜的生長。
[0044] 本發(fā)明提供的單原子層沉積技術(shù)(ALD)生長含有Ni薄膜的方法具有W下優(yōu)點：
[0045] (l)Ni源前驅(qū)體Ni(acac)2(TMEDA)的揮發(fā)性與NiCp2相仿但明顯優(yōu)于Ni(acac)2,且 成本要遠(yuǎn)低于NiCp2;熱分解溫度遠(yuǎn)高于Ni(acac)2,因此Ni(acac)2(TMEDA)能夠適用于較高 溫度的ALD過程;對空氣濕度敏感程度低，易于存儲及運輸。
[0046] (2)Ni(acac)2(TMEDA)能夠與多種液態(tài)還原劑進(jìn)行成膜，相對于現(xiàn)有報道的出或者 N出更方便、更安全；
[0047] (3)所制備得到的Ni膜電阻率更低；
[004引（4)對多種襯底如娃、氧化娃、氮化娃、TaN、藍(lán)寶石等均表現(xiàn)出兼容性。
[0049]為了進(jìn)一步說明本發(fā)明，W下結(jié)合實施例對本發(fā)明提供的一種單原子層沉積技術(shù) 生長含Ni薄膜的方法進(jìn)行詳細(xì)描述，但不能將其理解為對本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。
[(K)加]實施例1
[0051 ] 一種WNi(acac)2(TMEDA)為Ni源，W化此為還原劑的Ni薄膜原子層沉積方法，包括 W下過程：
[00對 1) WSi為襯底，沉積溫度為250C，Ni源Ni (acac)2(TM抓A)的加熱溫度為90C，使 之氣化，W高純氮氣為載氣，通入氣相Ni源Ni(acacMTMEDA)，載氣流量為20sccm。脈沖時 間為12s，等待時間為10s;
[0053] 2)完成一個脈沖后使用高純氮氣進(jìn)行清洗，清洗時間為25s;
[0054] 3)還原劑化此加熱溫度為60°C，使之氣化，W高純氮氣為載氣，載氣流量為eOsccm， W脈沖形式通入N2H4。脈沖時間為5s，等待時間為15s;
[0055] 4)完成一個還原劑脈沖后采用高純氮氣進(jìn)行清洗，清洗時間為15s。
[0056] 將上述1)~4)步驟重復(fù)循環(huán)300次，所得Ni薄膜厚度為9皿，采用四探針法測試電 阻率為2化Ω · cm。
[0057] 本發(fā)明對本實施例得到的Ni薄膜進(jìn)行掃描電鏡測試，結(jié)果如圖2所示，圖2為本發(fā) 明實施例1中的Ni薄膜的SEM圖片，由圖2可W看出，本實施例得到的Ni薄膜的保型性較好。 [0化引實施例2
[0059] 一種WNi(acac)2(TMEDA)為Ni源，WMesNH · B曲為還原劑的Ni薄膜原子層沉積方 法，包括W下過程：
[0060] 1似Si〇2為襯底，沉積溫度為300°C，Ni源Ni(acacMTMEDA)的加熱溫度為150°C， 使之氣化，W高純氣氣為載氣，通入氣相Ni源Ni(acac)2(TMEDA)，載氣流量為90sccm。脈沖 時間為5s，等待時間為20s;
[0061] 2)完成一個脈沖后使用高純氣氣進(jìn)行清洗，清洗時間為45s;
[0062] 3)還原劑MesNH · B出加熱溫度為90°C，使之氣化，W高純氣氣為載氣，載氣流量為 lOsccm，W脈沖形式通入MesNH · B出。脈沖時間為15s，等待時間為5s;
[0063] 4)完成一個還原劑脈沖后采用高純氮氣進(jìn)行清洗，清洗時間為35s。
[0064] 將上述1)~4)步驟重復(fù)循環(huán)1000次，所得Ni薄膜厚度為17nm，采用四探針法測試 電阻率為1化Ω · cm。
[00化]實施例3
[0066] 一種WNi(acac)2(TMEDA)為Ni源，WC曲OH為還原劑的Ni薄膜原子層沉積方法，包 括W下過程：
[0067] 1似氮化娃為襯底，沉積溫度為350°C，化源Ni(acacMTMEDA)的加熱溫度為120 °C，使之氣化，W高純氣氣為載氣，通入氣相Μ源Ni(acac)2(TMEDA)，載氣流量為120sccm。 脈沖時間為8s，等待時間為5s;
[0068] 2)完成一個脈沖后使用高純氣氣進(jìn)行清洗，清洗時間為15s;
[0069] 3)還原劑CH3OH加熱溫度為25 °C，使之氣化，W高純氣氣為載氣，載氣流量為 160SCcm，W脈沖形式通入C出0H。脈沖時間為20S，等待時間為10S;
[0070] 4)完成一個還原劑脈沖后采用高純氮氣進(jìn)行清洗，清洗時間為5s。
[0071] 將上述1)~4)步驟重復(fù)循環(huán)3000次，所得Ni薄膜厚度為19nm，采用四探針法測試 電阻率為1化Ω · cm。
[0072] 實施例4
[007；3] -種WNi(acac)2(TMEDA)為Ni源，WAlMes為還原劑的Ni薄膜原子層沉積方法，包 括W下過程：
[0074] 1)W藍(lán)寶石為襯底，沉積溫度為150°C，Ni源Ni(acac)2(TM抓A)的加熱溫度為60 °C，使之氣化，W高純氮氣為載氣，通入氣相Μ源Ni(acac)2(TMEDA)，載氣流量為leOsccm。 脈沖時間為16s，等待時間為25s;
[0075] 2)完成一個脈沖后使用高純氮氣進(jìn)行清洗，清洗時間為10s;
[0076] 3)還原劑Α1Μθ3加熱溫度為60°C，使之氣化，W高純氮氣為載氣，載氣流量為 120sccm，W脈沖形式通入Α1ΜΘ3。脈沖時間為Is,等待時間為化S;
[0077] 4)完成一個還原劑脈沖后采用高純氮氣進(jìn)行清洗，清洗時間為45s。
[0078] 將上述1)~4)步驟重復(fù)循環(huán)4500次，所得Ni薄膜厚度為20nm，采用四探針法測試 電阻率為1化Ω · cm。
[0079] 實施例5
[0080] 一種WNi(acac)2(TMEDA)為Ni源，WZ址t2為還原劑的Ni薄膜原子層沉積方法，包 括W下過程：
[0081 ] 1似TaN為襯底，沉積溫度為200°C，Ni源Ni(acac)2(TMEDA)的加熱溫度為180°C， 使之氣化，W高純氮氣為載氣，通入氣相Ni源Ni(acac)2(TMEDA)，載氣流量為eOsccm。脈沖 時間為Is,等待時間為15s;
[0082] 2)完成一個脈沖后使用高純氮氣進(jìn)行清洗，清洗時間為35s;
[0083] 3)還原劑ZnEt2加熱溫度為85 °C，使之氣化，W高純氮氣為載氣，載氣流量為 90sccm，W脈沖形式通入化化2。脈沖時間為10S，等待時間為20S;
[0084] 4)完成一個還原劑脈沖后采用高純氮氣進(jìn)行清洗，清洗時間為25s。
[0085] 將上述1)~4)步驟重復(fù)循環(huán)1500次，所得Ni薄膜厚度為16nm，采用四探針法測試 電阻率為1化Ω · cm。
[0086] W上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可W做出若干改進(jìn)和潤飾，運些改進(jìn)和潤飾也應(yīng) 視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1. 一種單原子層沉積技術(shù)生長含Ni薄膜的方法，包括以下步驟： A) 將半導(dǎo)體襯底置于反應(yīng)腔中，在真空條件下，以脈沖形式向反應(yīng)腔中通入氣相Ni源 進(jìn)行沉積，得到沉積有Ni源的襯底，所述Ni源包括具有式I所示結(jié)構(gòu)的化合物：B) 將氣相還原劑以脈沖形式通入反應(yīng)腔，對沉積在襯底上的Ni源進(jìn)行還原，得到沉積 有含Ni薄膜的襯底。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟A)中以脈沖形式向反應(yīng)腔中通入 氣相Ni源的單個脈沖的持續(xù)時間為0.05~20s。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟A)中兩個脈沖之間的間隔時間為 0.5~30s〇4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟A)中的沉積的溫度為125~400 cC。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氣相Ni源在載氣存在條件下以脈沖形 式通入； 所述載氣的流量為10~200sccm。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟B)中氣相還原劑包括H2、NH3、B 2H6、 單烷基硼烷、氨基硼烷、醇類、肼類、烷基鋁、氨基鋁烷類和烷基鋅中的一種或幾種。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟B)中將氣相還原劑以脈沖形式通 入反應(yīng)腔的單個脈沖的持續(xù)時間為〇. 01~20s。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述步驟B)中兩個脈沖之間的間隔時間為 0.5~30s〇9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟B)中氣相還原劑在載氣存在的條 件下以氣相脈沖形式通入； 所述載氣的流量為10~200sccm。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底包括硅、氧化硅、氮化硅、 TaN和藍(lán)寶石中的一種或幾種。
【文檔編號】C23C16/455GK106011778SQ201610424181
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年6月15日
【發(fā)明人】丁玉強, 杜立永, 張羽翔, 趙超, 項金娟
【申請人】中國科學(xué)院微電子研究所, 江南大學(xué)