一種用于氮化硅沉積的磁控濺射鍍膜設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽能設(shè)備及鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及用于氮化硅沉積的磁控濺射鍍膜設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]濺射技術(shù)屬于PVD(物理氣相沉積)技術(shù)的一種，是制備薄膜材料的重要方法之一。它是利用帶電荷的粒子在電場(chǎng)中加速后具有一定動(dòng)能的特點(diǎn)，將離子引向欲被濺射的物質(zhì)制成的靶電極(陰極)，并將靶材原子濺射出來使其沿著一定的方向運(yùn)動(dòng)到襯底并最終在襯底上沉積成膜的方法。磁控濺射是把磁控原理與普通濺射技術(shù)相結(jié)合利用磁場(chǎng)的特殊分布控制電場(chǎng)中的電子運(yùn)動(dòng)軌跡，以此改進(jìn)濺射的工藝，使得鍍膜厚度及均勻性可控，且制備的薄膜致密性好、粘結(jié)力強(qiáng)及純凈度高。磁控濺射技術(shù)已經(jīng)成為制備各種功能薄膜的重要手段。應(yīng)用磁控濺射技術(shù)的PVD產(chǎn)品在集成電路、半導(dǎo)體照明、微機(jī)電系統(tǒng)、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。傳統(tǒng)的用于氮化硅沉積的鍍膜設(shè)備均采用立式鍍膜，因此膜面的平整度不均勻，并且傳統(tǒng)的用于氮化硅沉積的磁控濺射鍍膜設(shè)備控制比較困難，且難以達(dá)到需要的鍍膜效果。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]為解決上述現(xiàn)有技術(shù)缺陷，本實(shí)用新型的目的在于提供用于氮化硅沉積的磁控濺射鍍膜設(shè)備及鍍膜方法，本設(shè)備采用前三級(jí)緩沖室、后三級(jí)緩沖室以及一個(gè)三階段鍍膜室，
[0004]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供一種用于氮化硅沉積的磁控濺射鍍膜設(shè)備，包含工字鋼腿子，所述工字鋼腿子設(shè)置有橫穿設(shè)備的傳動(dòng)導(dǎo)軌，傳動(dòng)導(dǎo)軌一側(cè)連接外傳動(dòng)臺(tái)，外傳動(dòng)臺(tái)臺(tái)連接設(shè)置于傳動(dòng)導(dǎo)軌上前三級(jí)緩沖室和后三級(jí)緩沖室，在前三級(jí)緩沖室和后三級(jí)緩沖室之間設(shè)置有用于磁控濺射鍍膜的鍍膜室；
[0005]優(yōu)選的，所述工字鋼腿子為平行的兩條。
[0006]優(yōu)選的，前三級(jí)緩沖室和后三級(jí)緩沖室之間均設(shè)置有水管。
【附圖說明】
[0007]圖1為本實(shí)用新型用于氮化硅沉積的磁控濺射鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0008]圖2為本實(shí)用新型工字腿的結(jié)構(gòu)示意圖；
【具體實(shí)施方式】
[0009]為了本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例，基于本實(shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲取的其他實(shí)施例，都屬于實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0010]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供一種用于氮化硅沉積的磁控濺射鍍膜設(shè)備，包含工字鋼腿子8，所述工字鋼腿子8設(shè)置有橫穿設(shè)備的傳動(dòng)導(dǎo)軌11，傳動(dòng)導(dǎo)軌11 一側(cè)連接外傳動(dòng)臺(tái)10，外傳動(dòng)臺(tái)臺(tái)10連接設(shè)置于傳動(dòng)導(dǎo)軌11上第一級(jí)前緩沖室4，第一級(jí)前緩沖室4連接與第二級(jí)前緩沖室3，第二級(jí)前緩沖室3連接于第三級(jí)前緩沖室2，第三級(jí)前緩沖室2連接于用于磁控濺射鍍膜的鍍膜室1，鍍膜室后鏈接有第一級(jí)后緩沖室5，第一級(jí)后緩沖室5連接于第二級(jí)后緩沖室6，第二級(jí)后緩沖室連接于第三級(jí)后緩沖室7，并在各級(jí)前后緩沖室下均設(shè)置有水管9
[0011]在鍍膜時(shí)，晶硅芯片進(jìn)入到第一級(jí)前緩沖室4 ;等第一級(jí)前緩沖室4內(nèi)的壓力與第二級(jí)前緩沖室3平衡到1.0*10-2pa的時(shí)候晶硅芯片進(jìn)入到第二級(jí)前緩沖室3 ;第三級(jí)前緩沖室2的目的是為了在二級(jí)完成氮化硅的鍍膜后，平衡壓力，準(zhǔn)備將芯片排除，第三級(jí)前緩沖室2內(nèi)壓是為了實(shí)現(xiàn)室內(nèi)壓力逐漸與大氣壓平衡的過程。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.用于氮化硅沉積的磁控濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，包含工字鋼腿子(8)，所述工字鋼腿子⑶設(shè)置有橫穿設(shè)備的傳動(dòng)導(dǎo)軌(11)，傳動(dòng)導(dǎo)軌(11) 一側(cè)連接外傳動(dòng)臺(tái)(10)，外傳動(dòng)臺(tái)臺(tái)(10)連接設(shè)置于傳動(dòng)導(dǎo)軌(11)上前三級(jí)緩沖室(4，3，2)和后三級(jí)緩沖室(5，6，7)，在前三級(jí)緩沖室(4，3，2)和后三級(jí)緩沖室(5，6，7)之間設(shè)置有用于磁控濺射鍍膜的鍍膜室(I)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于氮化硅沉積的磁控濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述工字鋼腿子(8)為兩條。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于氮化硅沉積的磁控濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，前三級(jí)緩沖室(4，3，2)和后三級(jí)緩沖室(5，6，7)之間均設(shè)置有水管(9)。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及太陽能領(lǐng)域，尤其涉及用于氮化硅沉積的磁控濺射鍍膜設(shè)備。本實(shí)用新型采取如下技術(shù)方案：用于氮化硅沉積的磁控濺射鍍膜設(shè)備，包含工字鋼腿子，所述工字鋼腿子設(shè)置有橫穿設(shè)備的傳動(dòng)導(dǎo)軌，傳動(dòng)導(dǎo)軌一側(cè)連接外傳動(dòng)臺(tái)，外傳動(dòng)臺(tái)連接設(shè)置于傳動(dòng)導(dǎo)軌上前三級(jí)緩沖室和后三級(jí)緩沖室，在前三級(jí)緩沖室和后三級(jí)緩沖室之間設(shè)置有用于磁控濺射鍍膜的鍍膜室；采用如上技術(shù)方案的本實(shí)用新型，具有如下有益效果：氮化硅鍍膜效果好，節(jié)省加熱能源，可以精確實(shí)現(xiàn)限位，使得整個(gè)裝置運(yùn)行穩(wěn)定。
【IPC分類】C23C14-06, C23C14-35
【公開號(hào)】CN204325486
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420827281
【發(fā)明人】陳五奎, 雷曉全, 柯濤
【申請(qǐng)人】深圳市拓日新能源科技股份有限公司, 陜西拓日新能源科技有限公司
【公開日】2015年5月13日
【申請(qǐng)日】2014年12月22日