一種勻強磁場沉積臺的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及電磁裝置，具體涉及一種勻強磁場沉積臺，應用在磁控濺射設備中。
【背景技術】
[0002]磁控濺射或者其它離子束濺射沉積方法，在金屬表面生長中有廣泛的應用。實驗樣品基底通常放在沉積臺表面，濺射離子在基底上成長，最后成為表面膜層。針對磁性材料成膜，特別是鐵、鈷、鎳等磁性材料，在外加勻強磁場作用下，成膜效果要好。
[0003]物理學中平面增加勻強磁場的方法有三種，分別是亥姆霍茲線圈中心位置；通電直導線周圍磁場；磁體NS極之間區(qū)域。常規(guī)方法采用磁體獲得的勻強磁場，磁場強度低，特別是在暴露的真空濺射裝置作用下，磁體表面很快沉積一層金屬薄膜，從而影響磁場強度。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型為了解決的上述技術問題，提出一種工作裝置。
[0005]一種勻強磁場沉積臺，包括沉積臺、支架和底座，其特征在于:沉積臺與底座中間位置設置平行直導線。
[0006]所述沉積臺為非磁化材料。
[0007]本實用新型有益效果:在沉積臺表面獲得勻強磁場，磁場強度由電流強弱來控制。并且，該裝置的工作不受沉積材料的影響。
【附圖說明】
[0008]圖1為本實用新型結構圖。
【具體實施方式】
[0009]樣品置于沉積臺I的上表面，開啟磁控濺射裝置，磁性材料粒子濺射到樣品表面。勻強磁場沉積臺工作時如圖1所示，平行直導線4通電流，在沉積臺I的上表面產生勻強磁場，勻強磁場的方向是平行于沉積臺I的上表面。沉積臺I通過支架2與底座3相連，構成完整的中空結構，因此避免了濺射離子在平行直導線4上的沉積。為了避免沉積臺的磁化，所述沉積臺I為非磁化材料，一般選用合金材料。
【主權項】
1.一種勻強磁場沉積臺，包括沉積臺(I)、支架(2)和底座(3)，其特征在于:沉積臺(I)與底座(3)中間位置設置平行直導線(4)。2.根據權利要求1所述一種勻強磁場沉積臺，其特征在于:沉積臺(I)為非磁化材料。
【專利摘要】本實用新型涉及電磁裝置，具體涉及一種勻強磁場沉積臺，應用在磁控濺射設備中。所述沉積臺與底座中間位置設置平行直導線。本實用新型有益效果：在沉積臺表面獲得勻強磁場，磁場強度由電流強弱來控制。并且，該裝置的工作不受沉積材料的影響。
【IPC分類】C23C14/35
【公開號】CN204644458
【申請?zhí)枴緾N201520327761
【發(fā)明人】喬憲武, 吳昊
【申請人】中國計量學院
【公開日】2015年9月16日
【申請日】2015年5月19日