一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及化工領(lǐng)域，具體涉及一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(簡(jiǎn)稱MOCVD)是制備混合半導(dǎo)體器件、金屬、及金屬氧化物薄膜材料的一種技術(shù)。加熱系統(tǒng)是MOCVD設(shè)備的重要組成部分，它能否快速、均勻加熱襯底，直接影響薄膜沉積的質(zhì)量、厚度一致性，以及芯片的性能，傳統(tǒng)的MOCVD存在因加熱器問(wèn)題導(dǎo)致薄膜材料形成質(zhì)量差的問(wèn)題，而且傳統(tǒng)的加熱器的使用壽命短，需要定期更換，使用不便。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]為解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備，能夠?qū)崿F(xiàn)大面積的均勻加熱，升降溫過(guò)程中溫度均勻，能夠生產(chǎn)質(zhì)量好的金屬薄膜，實(shí)用性強(qiáng)。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案為:
[0005]一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備，包括中心其他入口、噴淋氣體入口、側(cè)壁吹掃氣體入口、石墨盤、電阻片加熱器、石英整流罩、氣體出口和加熱器反射板，所述石墨盤上方設(shè)置有由中心至邊緣分別設(shè)置有中心其他入口、噴淋氣體入口、側(cè)壁吹掃氣體入口，石墨盤下方設(shè)置有電阻片加熱器，所述電阻片加熱器下方設(shè)置有多個(gè)加熱器反射板，所述石墨盤和加熱器反射板外側(cè)設(shè)置有石英整流罩，石英整流罩下方設(shè)置有氣體出口。
[0006]優(yōu)選的，所述的噴淋氣體入口為間距15mm的環(huán)形氣體入口。
[0007]優(yōu)選的，所述的電阻片加熱器為環(huán)形片。
[0008]本實(shí)用新型具有以下有益效果:
[0009]1、能夠?qū)崿F(xiàn)大尺寸石墨托盤的均勻加熱，有效面積能夠覆蓋整個(gè)盤面；
[0010]2、現(xiàn)升降溫速率快、穩(wěn)定時(shí)間短；
[0011]3、升降溫動(dòng)態(tài)過(guò)程中溫度均勻；
[0012]4、對(duì)于不同的氣流環(huán)境，都能實(shí)現(xiàn)均勻加熱；
[0013]5、結(jié)構(gòu)溫度可靠，形成的金屬薄膜質(zhì)量好。
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的半剖圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]為了使本實(shí)用新型的目的及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0016]如圖1所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備，包括中心其他入口 1、噴淋氣體入口 2、側(cè)壁吹掃氣體入口 3、石墨盤4、電阻片加熱器5、石英整流罩6、氣體出口 7和加熱器反射板8，所述石墨盤4上方設(shè)置有由中心至邊緣分別設(shè)置有中心其他入口 1、噴淋氣體入口 2、側(cè)壁吹掃氣體入口 3，石墨盤4下方設(shè)置有電阻片加熱器5，所述電阻片加熱器5下方設(shè)置有多個(gè)加熱器反射板8，所述石墨盤4和加熱器反射板8外側(cè)設(shè)置有石英整流罩6，石英整流罩6下方設(shè)置有氣體出口 7。
[0017]所述的噴淋氣體入口 2為間距15mm的環(huán)形氣體入口。
[0018]所述的電阻片加熱器5為環(huán)形片。
[0019]其中，所述加熱器反射板8表面涂抹有遠(yuǎn)紅外輻射涂料；所述的中心其他入口 1、噴淋氣體入口 2、側(cè)壁吹掃氣體入口 3、氣體出口 7內(nèi)均氣體流量計(jì)；所述氣體流量計(jì)內(nèi)設(shè)有藍(lán)牙模塊，所述氣體流量計(jì)通過(guò)藍(lán)牙與移動(dòng)終端無(wú)線通訊。
[0020]本【具體實(shí)施方式】的石墨盤直徑為400mm，石墨盤頂部距離噴淋頂面12mm，石墨盤下表面距離加熱片15mm，側(cè)壁吹掃氣流道寬3mm;由于石墨盤與石英整流罩所包圍的內(nèi)部密閉腔體內(nèi)氣體流速很小，而且石墨盤下部距離加熱電阻片非常近，此處氣流更是緩慢，因此可以忽略吹掃氣流帶來(lái)的影響，因?yàn)楸緦?shí)用新型的加熱器為環(huán)形片狀，且能夠能夠?qū)崿F(xiàn)大尺寸石墨托盤的均勻加熱，有效面積能夠覆蓋整個(gè)盤面，能夠形成質(zhì)量較好的金屬薄膜。
[0021]以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，包括中心其他入口(I)、噴淋氣體入口(2)、側(cè)壁吹掃氣體入口(3)、石墨盤(4)、電阻片加熱器(5)、石英整流罩(6)、氣體出口(7)和加熱器反射板(8)，所述石墨盤(4)上方設(shè)置有由中心至邊緣分別設(shè)置有中心其他入口(I)、噴淋氣體入口(2)、側(cè)壁吹掃氣體入口(3)，石墨盤(4)下方設(shè)置有電阻片加熱器(5)，所述電阻片加熱器(5)下方設(shè)置有多個(gè)加熱器反射板(8)，所述石墨盤(4)和加熱器反射板(8)外側(cè)設(shè)置有石英整流罩￠)，石英整流罩(6)下方設(shè)置有氣體出口(7)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述的噴淋氣體入口⑵為間距15mm的環(huán)形氣體入口。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述的電阻片加熱器(5)為環(huán)形片。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備，包括中心其他入口、噴淋氣體入口、側(cè)壁吹掃氣體入口、石墨盤、電阻片加熱器、石英整流罩、氣體出口和加熱器反射板，所述石墨盤上方設(shè)置有由中心至邊緣分別設(shè)置有中心其他入口、噴淋氣體入口、側(cè)壁吹掃氣體入口，石墨盤下方設(shè)置有電阻片加熱器，所述電阻片加熱器下方設(shè)置有多個(gè)加熱器反射板，所述石墨盤和加熱器反射板外側(cè)設(shè)置有石英整流罩，石英整流罩下方設(shè)置有氣體出口。本實(shí)用新型能夠?qū)崿F(xiàn)大尺寸石墨托盤的均勻加熱，有效面積能夠覆蓋整個(gè)盤面；現(xiàn)升降溫速率快、穩(wěn)定時(shí)間短；升降溫動(dòng)態(tài)過(guò)程中溫度均勻；對(duì)于不同的氣流環(huán)境，都能實(shí)現(xiàn)均勻加熱；結(jié)構(gòu)溫度可靠，形成的金屬薄膜質(zhì)量好。
【IPC分類】C23C16/18, C23C16/46
【公開(kāi)號(hào)】CN204690100
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520223081
【發(fā)明人】姜姍姍, 王恩通, 薛金輝, 王中慧, 康艷珍
【申請(qǐng)人】呂梁學(xué)院
【公開(kāi)日】2015年10月7日
【申請(qǐng)日】2015年4月10日