中頻磁控反應(yīng)濺射沉積CrN設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種中頻磁控反應(yīng)濺射沉積CrN的設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]CrN薄膜具有很高的硬度和耐磨性，其高溫抗氧化性能和耐腐蝕性能優(yōu)良，不但可作為耐磨涂層用于工模具和切削工具的表面強化，而且在表面防腐和裝飾等許多工業(yè)領(lǐng)域也有重要用途。同已廣泛工業(yè)應(yīng)用的TiN薄膜相比，CrN薄膜硬度更高，耐腐蝕性能更好。CrN薄膜的沉積速率比較高，有利于大批量的工業(yè)生產(chǎn)，更具有實用價值。已有多種方法如陰極電弧等離子沉積，真空電弧蒸發(fā)和磁控濺射等用于CrN薄膜的制備。磁控濺射具有成膜致密均勻，不會造成液滴噴射等優(yōu)點，作為一種高速率沉積手段備受工業(yè)界的重視。
[0003]國內(nèi)專利介紹:CN104451561A實用新型專利介紹了采用多弧離子鍍沉積CrN薄膜方法，該專利介紹了一種在游標卡尺(4Crl3不銹鋼)表面沉積CrN薄膜的工藝，顯著提高了游標卡尺的產(chǎn)品質(zhì)量；CN101736288A實用新型專利介紹了采用真空多弧離子鍍在化紡機械主要部件牽伸輥表面沉積CrN薄膜，應(yīng)用于實際的生產(chǎn)，顯著提高了工件的各項性能和使用壽命，在高強度工業(yè)絲產(chǎn)業(yè)方面提高了產(chǎn)品收絲率。類似的報道很多
[0004]以上類似的報道很多，但在不銹鋼高光面裝飾鍍CrN薄膜(高亮銀)領(lǐng)域，國內(nèi)還未有報道，應(yīng)客戶需求，本公司開發(fā)了中頻磁控反應(yīng)濺射工藝，在不銹鋼高光面沉積CrN薄膜(高亮銀)，用于取代市場上亮度不高的IPS產(chǎn)品和電鍍貴金屬鈀的高亮銀?，F(xiàn)階段市場上的銀色膜層大多數(shù)在亮度上(電鍍貴金屬鈀除外)有些遜色，L值只有70— 75左右，且膜層厚度會做得很薄，只有0.2-0.4um, 一旦做厚了膜層，產(chǎn)品表面就會出現(xiàn)發(fā)朦失去光澤，其膜硬度及耐腐蝕性方面也都不盡人意。電鍍鈀又成本較高，應(yīng)用范圍較窄。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]為了克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點，本實用新型提供一種中頻磁控反應(yīng)濺射沉積CrN設(shè)備，它能夠在鏡面不銹鋼上快速沉積CrN薄膜，使鍍層做出貴金屬的效果，L值達到85以上，且膜厚達到Ium以上、維氏硬度HV達到600-2000、耐腐蝕性72H鹽霧、高溫高濕均能通過測試。
[0006]本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種中頻磁控反應(yīng)濺射沉積CrN設(shè)備，包括一個密封的真空腔體，該真空腔體采用左右對稱的結(jié)構(gòu)，在真空腔體30°位置處設(shè)置有小凸腔用于放置離子源，在真空腔體0°位置處設(shè)置有小凸腔用于放置合金靶5和鉻靶7，在該真空腔體內(nèi)設(shè)置有一個圓環(huán)形的工件轉(zhuǎn)架，在該工件轉(zhuǎn)架上則均勻設(shè)置有若干個工件，在工件圍成的內(nèi)圓內(nèi)設(shè)置有上下兩排呈弧形對稱排列的加熱管，在真空腔體的90°側(cè)面連有一個抽真空口，在真空腔體的270°位置開有爐門。
[0007]在所述真空腔體0°位置上的小凸腔旁布置有氣源管。
[0008]在所述上下兩排加熱管之間布置有氣源管。
[0009]本實用新型的有益效果是:全球高亮銀(可替代貴金屬鈀、鉑)顏色標準色辦片具有亮度高、膜層均勻的特點；工藝穩(wěn)定性及一致性較好；膜層厚度、硬度、耐腐蝕性與同行業(yè)相比有質(zhì)的飛躍。
【附圖說明】
[0010]圖1是本實用新型設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖中:1-抽真空口，2-真空腔體，3-工件，4-離子源，5-合金靶，6-氣源管，7-鉻靶，8-工件轉(zhuǎn)架，9-加熱管。
【具體實施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。
[0013]參見圖1，一種頻磁控反應(yīng)濺射沉積CrN設(shè)備，包括一個密封的真空腔體2，該真空腔體采用左右對稱的結(jié)構(gòu)，在真空腔體30°位置處設(shè)置有小凸腔用于放置離子源4，用于清洗工件，在真空腔體0°位置處設(shè)置有小凸腔用于放置合金靶5和鉻靶7，在該真空腔體內(nèi)設(shè)置有一個圓環(huán)形的工件轉(zhuǎn)架8，在該工件轉(zhuǎn)架上則均勻設(shè)置有若干個工件3，在工件圍成的內(nèi)圓內(nèi)設(shè)置有上下兩排呈弧形對稱排列的加熱管9，在真空腔體的90°側(cè)面連有一個抽真空口 1，用于連接真空系統(tǒng)，在真空腔體的270°位置開有爐門，用于進出工件。
[0014]在所述真空腔體0°位置上的小凸腔旁布置有氣源管6。
[0015]在所述上下兩排加熱管之間布置有氣源管6。
[0016]本實用新型設(shè)備所鍍CrN膜層綜合性能優(yōu)異，各項性能滿足五金裝飾行業(yè)的要求，已成功用于手表、3C產(chǎn)品的外觀鍍膜裝飾保護。
【主權(quán)項】
1.一種中頻磁控反應(yīng)濺射沉積CrN設(shè)備，包括一個密封的真空腔體，其特征是:該真空腔體采用左右對稱的結(jié)構(gòu)，在真空腔體30°位置處設(shè)置有小凸腔用于放置離子源，在真空腔體0°位置處設(shè)置有小凸腔用于放置合金靶5和鉻靶7，在該真空腔體內(nèi)設(shè)置有一個圓環(huán)形的工件轉(zhuǎn)架，在該工件轉(zhuǎn)架上則均勻設(shè)置有若干個工件，在工件圍成的內(nèi)圓內(nèi)設(shè)置有上下兩排呈弧形對稱排列的加熱管，在真空腔體的90°側(cè)面連有一個抽真空口，在真空腔體的270°位置開有爐門。2.如權(quán)利要求1所述中頻磁控反應(yīng)濺射沉積CrN設(shè)備，其特征是:在所述真空腔體0°位置上的小凸腔旁布置有氣源管。3.如權(quán)利要求1所述中頻磁控反應(yīng)濺射沉積CrN設(shè)備，其特征是:在所述上下兩排加熱管之間布置有氣源管。
【專利摘要】本實用新型涉及一種中頻磁控反應(yīng)濺射沉積CrN設(shè)備，包括一個密封的真空腔體，該真空腔體采用左右對稱的結(jié)構(gòu)，在真空腔體30°位置處設(shè)置有小凸腔用于放置離子源，在真空腔體0°位置處設(shè)置有小凸腔用于放置合金靶5和鉻靶7，在該真空腔體內(nèi)設(shè)置有一個圓環(huán)形的工件轉(zhuǎn)架，在該工件轉(zhuǎn)架上則均勻設(shè)置有若干個工件，在工件圍成的內(nèi)圓內(nèi)設(shè)置有上下兩排呈弧形對稱排列的加熱管，在真空腔體的90°側(cè)面連有一個抽真空口，在真空腔體的270°位置開有爐門。全球高亮銀（可替代貴金屬鈀、鉑）顏色標準色辦片具有亮度高、膜層均勻的特點；工藝穩(wěn)定性及一致性較好；膜層厚度、硬度、耐腐蝕性與同行業(yè)相比有質(zhì)的飛躍。
【IPC分類】C23C14/06, C23C14/35, C23C14/00
【公開號】CN204714890
【申請?zhí)枴緾N201520406302
【發(fā)明人】杜旭穎, 阮志明, 王大洪, 曾德強, 龐文峰
【申請人】深圳市正和忠信股份有限公司
【公開日】2015年10月21日
【申請日】2015年6月13日