一種改善靶材結(jié)瘤的ito薄膜生產(chǎn)裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種ΙΤ0薄膜生產(chǎn)裝置，尤其是一種改善靶材結(jié)瘤的ΙΤ0薄膜生產(chǎn)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]多數(shù)情況下，ΙΤ0薄膜通過濺射這種生產(chǎn)方式獲得。在濺射過程中，通常會在靶材濺射表面累積一些從幾微米到幾毫米大小的異物，這些異物被認(rèn)為是In或Si的不完全氧化物，一般稱之為結(jié)瘤。隨著濺射時間的增加，結(jié)瘤數(shù)量增加，結(jié)瘤的體積也會增大，并逐步覆蓋靶材表面。由于結(jié)瘤具有絕緣性，結(jié)瘤量的增加會導(dǎo)致濺射過程中發(fā)生異常放電，使ΙΤ0薄膜上產(chǎn)生粒狀物，影響ΙΤ0薄膜的質(zhì)量。
[0003]結(jié)瘤是在生產(chǎn)透明導(dǎo)電膜過程中，濺射靶材特有的問題。對于靶材表面結(jié)瘤的異常增加，可以通過中止濺射操作，對濺射靶材表面的結(jié)瘤進(jìn)行清潔再生處理。但這種方法會中斷連續(xù)作業(yè)，是導(dǎo)致生產(chǎn)效率下降的主要原因。并且這種方法不但花費作業(yè)者的時間和精力，也會影響到作業(yè)者工作心情，降低工作效率。并且即使去除靶材上的結(jié)瘤，但反復(fù)進(jìn)行的再生處理也很難使靶材恢復(fù)到新靶材的狀態(tài)。這樣造成的一種結(jié)果就是，靶材在用盡以前(通常指靶材消耗殆盡的壽命)，會因為結(jié)瘤的增加導(dǎo)致靶材不能繼續(xù)使用。所以，從生產(chǎn)效率和材料成本兩個方面來看，減少結(jié)瘤，提高靶材的潔凈度，是ΙΤ0薄膜生產(chǎn)中主要的改進(jìn)方向之一。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型針對現(xiàn)有技術(shù)存在之缺失，其主要目的是提供一種能夠改善靶材結(jié)瘤的ΙΤ0薄膜生產(chǎn)裝置。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下之技術(shù)方案:
[0006]一種改善靶材結(jié)瘤的ΙΤ0薄膜生產(chǎn)裝置，包括密封腔體，以及設(shè)置于密封腔體內(nèi)的放卷輥、收卷輥、鍍膜主輥與靶材，放卷輥與收卷輥分別位于密封腔體內(nèi)兩側(cè)，鍍膜主輥處于收卷輥與放卷輥之間的下方，所述靶材包括有第一靶材與第二靶材，分別設(shè)于鍍膜主輥左右兩邊的密封腔體壁面上。
[0007]本實用新型進(jìn)一步方案，所述ΙΤ0薄膜生產(chǎn)裝置還設(shè)有放導(dǎo)輥和收導(dǎo)輥，放導(dǎo)輥位于放卷輥與鍍膜主輥之間，收導(dǎo)輥位于收卷輥與鍍膜主輥之間，所述放卷棍上的基材按順序經(jīng)過放導(dǎo)輥內(nèi)側(cè)，鍍膜主輥，收導(dǎo)輥內(nèi)側(cè)，到收卷輥收卷。
[0008]本實用新型進(jìn)一步方案，放導(dǎo)輥與收導(dǎo)輥軸心之間的距離小于收卷輥與放卷輥軸心之間的距離。
[0009]本實用新型進(jìn)一步方案，所述密封腔體底面到鍍膜主輥最下端的距離小于靶材的厚度。
[0010]本實用新型進(jìn)一步方案，第一靶材中心到鍍膜主輥軸心之間的距離等于第二靶材中心到鍍膜主輥軸心之間的距離。
[0011]本實用新型進(jìn)一步方案，所述第一靶材為Si靶材，所述第二靶材為ΙΤ0靶材。
[0012]本實用新型進(jìn)一步方案，所述密封腔體設(shè)有進(jìn)氣口和出氣口，進(jìn)氣口與送氣管道相連，出氣口與真空栗相連。
[0013]本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型通過將靶材都設(shè)于密封腔體的壁面上，利用氧化物自身的重量和密封腔體內(nèi)氣流的流動，使得氧化物濺落在無效濺射區(qū)，減少了靶材表面的氧化物，使得本實用新型具有以下優(yōu)點和進(jìn)步:(1)減少了結(jié)瘤，降低了濺射過程中的異常放電和薄膜表面粒狀物的產(chǎn)生，提高ΙΤ0薄膜透過率，降低霧度和表面電阻，使產(chǎn)品性能更穩(wěn)定，質(zhì)量更佳；(2)提高了靶材的利用率，降低了生產(chǎn)成本；(3)降低了作業(yè)者對靶材的清潔次數(shù)，節(jié)約了生產(chǎn)時間，提高了生產(chǎn)效率。
[0014]為更清楚地闡述本實用新型的結(jié)構(gòu)特征、技術(shù)手段及其所達(dá)到的具體目的和功能，下面結(jié)合附圖與具體實施例來對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明:
【附圖說明】
[0015]圖1是本實用新型之實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]附圖標(biāo)識說明:
[0017]1、放卷輥，2、放導(dǎo)輥，3、鍍膜主輥，4、收導(dǎo)輥，5、收卷輥，6、第一靶材，7、第二靶材，8、基材，9、密封腔體，10、進(jìn)氣口，11、出氣口。
【具體實施方式】
[0018]如圖1所示，一種改善靶材結(jié)瘤的ΙΤ0薄膜生產(chǎn)裝置，包括密封腔體9，以及設(shè)置于密封腔體9內(nèi)的放卷輥1、收卷輥5、鍍膜主輥3與靶材，放卷輥1與收卷輥5分別位于密封腔體9內(nèi)兩側(cè)，鍍膜主輥3處于收卷輥5與放卷輥1之間的下方，靶材包括有第一靶材6與第二靶材7，分別設(shè)于鍍膜主輥3左右兩邊的密封腔體9壁面上。
[0019]所述ΙΤ0薄膜生產(chǎn)裝置還設(shè)有放導(dǎo)輥2和收導(dǎo)輥4，放導(dǎo)輥2位于放卷輥1與鍍膜主輥3之間，收導(dǎo)輥4位于收卷輥5與鍍膜主輥3之間。放導(dǎo)輥2與收導(dǎo)輥4軸心之間的距離小于收卷輥5與放卷輥1軸心之間的距離。這樣能使基材8更加貼緊鍍膜主輥3的表面。
[0020]所述密封腔體9底面到鍍膜主輥3最下端的距離小于靶材的厚度，使密封腔體9的體積更小，結(jié)構(gòu)更加緊湊。第一靶材6中心到鍍膜主輥3軸心之間的距離等于第二靶材7中心到鍍膜主輥3軸心之間的距離，使濺射效果更加均勻。
[0021]所述密封腔體9設(shè)有進(jìn)氣口 10和出氣口 11，進(jìn)氣口 10與送氣管道相連，出氣口11與真空栗相連。真空栗從出氣口 11抽出空氣，使密封腔體9達(dá)到真空狀態(tài)。送氣管道將高純度Ar氣體通入進(jìn)氣口 10。
[0022]在濺射過程中，通過輥的轉(zhuǎn)動，放卷棍上的基材8按順序經(jīng)過放導(dǎo)輥2內(nèi)側(cè)，鍍膜主輥3，收導(dǎo)輥4內(nèi)側(cè)，到收卷輥5收卷。期間，基材8先后經(jīng)過第一靶材6和第二靶材7濺射。所述第一靶材6為Si靶材，所述第二靶材7為ΙΤ0靶材。
[0023]本實用新型之實施例通過改變靶材的位置，將靶材設(shè)于密封腔體9的壁面上，在濺射過程中，利用氧化物自身的重量和密封腔體9內(nèi)氣流的流動，使得氧化物濺落在無效濺射區(qū)，減少了靶材表面的氧化物，從而達(dá)到改善靶材結(jié)瘤的效果。
[0024]以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非對本實用新型的技術(shù)范圍作任何限制，故凡是依據(jù)本實用新型的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何細(xì)微修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種改善靶材結(jié)瘤的ITO薄膜生產(chǎn)裝置，其特征在于:包括密封腔體，以及設(shè)置于密封腔體內(nèi)的放卷棍、收卷棍、鍍膜主棍與革巴材，放卷棍與收卷棍分別位于密封腔體內(nèi)兩側(cè)，鍍膜主輥處于收卷輥與放卷輥之間的下方，所述靶材包括有第一靶材與第二靶材，分別設(shè)于鍍膜主輥左右兩邊的密封腔體壁面上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種改善靶材結(jié)瘤的ITO薄膜生產(chǎn)裝置，其特征在于:所述ITO薄膜生產(chǎn)裝置還設(shè)有放導(dǎo)輥和收導(dǎo)輥，放導(dǎo)輥位于放卷輥與鍍膜主輥之間，收導(dǎo)輥位于收卷輥與鍍膜主輥之間，所述放卷棍上的基材按順序經(jīng)過放導(dǎo)輥內(nèi)側(cè)，鍍膜主輥，收導(dǎo)輥內(nèi)偵1|，到收卷棍收卷。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種改善靶材結(jié)瘤的ITO薄膜生產(chǎn)裝置，其特征在于:放導(dǎo)輥與收導(dǎo)輥軸心之間的距離小于收卷輥與放卷輥軸心之間的距離。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種改善靶材結(jié)瘤的ITO薄膜生產(chǎn)裝置，其特征在于:所述密封腔體底面到鍍膜主輥最下端的距離小于靶材的厚度。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種改善靶材結(jié)瘤的ITO薄膜生產(chǎn)裝置，其特征在于:第一靶材中心到鍍膜主輥軸心之間的距離等于第二靶材中心到鍍膜主輥軸心之間的距離。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種改善靶材結(jié)瘤的ITO薄膜生產(chǎn)裝置，其特征在于:所述第一靶材為Si靶材，所述第二靶材為ITO靶材。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種改善靶材結(jié)瘤的ITO薄膜生產(chǎn)裝置，其特征在于:所述密封腔體設(shè)有進(jìn)氣口和出氣口，進(jìn)氣口與送氣管道相連，出氣口與真空栗相連。
【專利摘要】一種改善靶材結(jié)瘤的ITO薄膜生產(chǎn)裝置，包括密封腔體，以及設(shè)置于密封腔體內(nèi)的放卷輥、收卷輥、鍍膜主輥與靶材，放卷輥與收卷輥分別位于密封腔體內(nèi)兩側(cè)，鍍膜主輥處于收卷輥與放卷輥之間的下方，所述靶材包括有第一靶材與第二靶材，分別設(shè)于鍍膜主輥左右兩邊的密封腔體壁面上。本實用新型通過將靶材都設(shè)于密封腔體壁面上，利用氧化物自身的重量和密封腔體內(nèi)氣流的流動，使得氧化物濺落在無效濺射區(qū)，減少了濺射結(jié)瘤，提高ITO薄膜透過率，降低霧度和表面電阻，使產(chǎn)品性能更穩(wěn)定，并且提高了靶材的利用率，降低了工人對靶材的清潔次數(shù)，節(jié)約了生產(chǎn)成本和生產(chǎn)時間。
【IPC分類】C23C14/08, C23C14/56
【公開號】CN205062175
【申請?zhí)枴緾N201520480160
【發(fā)明人】耿國凌, 由龍, 陳帥, 王洪浜, 鄒威
【申請人】山東金鼎電子材料有限公司
【公開日】2016年3月2日
【申請日】2015年7月6日