一種厚度減薄設(shè)備的制造方法
【專利摘要】一種厚度減薄設(shè)備，用于將一加工件減薄一定厚度，至少包括固定盤和位于所述固定盤下方的研磨盤，所述固定盤和研磨盤相對(duì)設(shè)置，所述固定盤的下表面通過粘附層粘附有加工件，所述研磨盤的上表面具有研磨物質(zhì)，其特征在于：所述厚度減薄設(shè)備還包括位于所述固定盤上的導(dǎo)電體、供電裝置、常閉控制開關(guān)，所述導(dǎo)電體和研磨盤分別通過電性導(dǎo)線與供電裝置和常閉控制開關(guān)連接，當(dāng)導(dǎo)電體和研磨盤接觸時(shí)，由所述導(dǎo)電體、供電裝置、電性導(dǎo)線和常閉控制開關(guān)串聯(lián)而成的電路導(dǎo)通，所述常閉控制開關(guān)斷開，所述厚度減薄設(shè)備停止運(yùn)作。本實(shí)用新型通過導(dǎo)電體精確控制研磨設(shè)備的研磨厚度，防止加工件出現(xiàn)磨薄或磨厚的現(xiàn)象。
【專利說明】
一種厚度減薄設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種用于精確控制芯片研磨厚度的硬拋設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]LED晶片的制作方法為:在一襯底上沉積包括N型層、發(fā)光層和P型層的外延層;然后制備P、N電極，當(dāng)P、N電極注入電流后，電流穿過外延層使N型層中的電子和P型層中的空穴在發(fā)光層處復(fù)合發(fā)光;最后通過劃裂工藝分割形成獨(dú)立的LED芯片。為避免后續(xù)外延層沉積過程中應(yīng)力較大產(chǎn)生的襯底翹曲，通常需在較厚的襯底上沉積外延層，襯底的材質(zhì)為藍(lán)寶石，而后續(xù)劃裂時(shí)，由于藍(lán)寶石襯底硬度較大，為便于劃裂，通常需將襯底減薄至一定的厚度。目前，通常采用研磨、硬拋和軟拋光工藝減薄襯底。
[0003]目前的硬拋設(shè)備根據(jù)襯底需減薄的厚度，設(shè)定硬拋速率和時(shí)間，當(dāng)硬拋?zhàn)鳂I(yè)結(jié)束后，再次量測襯底減薄的厚度，而由于拋光液的粘附較易產(chǎn)生一定的誤差，產(chǎn)生襯底厚度較設(shè)定值后或薄的現(xiàn)象。而在硬拋?zhàn)鳂I(yè)過程中，即使產(chǎn)生襯底厚度誤差，目前的機(jī)臺(tái)也無法暫停或停止運(yùn)作，從而造成部分晶片的浪費(fèi)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決以上問題，本實(shí)用新型提供一種厚度減薄設(shè)備，用于將一加工件減薄一定厚度，至少包括固定盤和位于所述固定盤下方的研磨盤，所述固定盤和研磨盤相對(duì)設(shè)置，所述固定盤的下表面通過粘附層粘附有加工件，所述研磨盤的上表面具有研磨物質(zhì)，其特征在于:所述厚度減薄設(shè)備還包括位于所述固定盤上的導(dǎo)電體、供電裝置、常閉控制開關(guān)，所述導(dǎo)電體和研磨盤分別通過電性導(dǎo)線與供電裝置和常閉控制開關(guān)連接，當(dāng)導(dǎo)電體和研磨盤接觸時(shí)，由所述導(dǎo)電體、供電裝置、電性導(dǎo)線和常閉控制開關(guān)串聯(lián)而成的電路導(dǎo)通，所述常閉控制開關(guān)斷開，所述厚度減薄設(shè)備停止運(yùn)作。
[0005]優(yōu)選的，當(dāng)研磨開始時(shí)，所述導(dǎo)電體的下端與加工件的下表面的垂直距離等于所述加工件的減薄厚度；當(dāng)研磨完成時(shí)，所述導(dǎo)電體下端與加工件的下表面齊平，并均與所述研磨盤接觸。
[0006]優(yōu)選的，所述導(dǎo)電體設(shè)置于所述固定盤的外壁或下表面。
[0007]優(yōu)選的，所述導(dǎo)電體為復(fù)數(shù)個(gè)，數(shù)量N32;所述復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電體均勻分布。
[0008]優(yōu)選的，所述導(dǎo)電體呈錐形或柱形。
[0009]優(yōu)選的，所述研磨盤的尺寸大于所述固定盤的尺寸。
[0010]優(yōu)選的，所述粘附層為蠟層。
[0011]優(yōu)選的，所述研磨盤為銅盤。
[0012]優(yōu)選的，所述加工件包括半導(dǎo)體晶片。
[0013]優(yōu)選的，所述加工件的數(shù)目大于等于I。
[0014]本實(shí)用新型中由于導(dǎo)電體的下端與加工件的下表面的垂直距離即等于加工件的減薄厚度，當(dāng)厚度減薄設(shè)備通過研磨，將加工件減薄一定厚度后，導(dǎo)電體便與研磨盤接觸，由供電裝置、導(dǎo)電體、研磨盤、電性導(dǎo)線和常閉控制開關(guān)串聯(lián)而成的電路導(dǎo)通，常閉開關(guān)在電路導(dǎo)通后斷開，從而使厚度減薄設(shè)備停止運(yùn)作，終止研磨，如此便可精確控制加工件的減薄厚度，防止現(xiàn)有技術(shù)中因無法精確控制研磨厚度而造成的加工件磨厚或磨薄的現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0015]圖1為本實(shí)用新型之厚度減薄設(shè)備部分結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2為本實(shí)用新型之研磨開始時(shí)厚度減薄設(shè)備部分結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖3為本實(shí)用新型之研磨完成時(shí)厚度減薄設(shè)備部分結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]附圖標(biāo)注:10.加工件；20.固定盤;30.研磨盤;40.粘附層;50.研磨物質(zhì);60.導(dǎo)電體;70.供電裝置;80.常閉控制開關(guān);90.電性導(dǎo)線。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用新型，而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0020]參看附圖1，本實(shí)用新型提供一種厚度減薄設(shè)備，用于將一加工件10減薄一定厚度，加工件10包括半導(dǎo)體晶片，其至少包括固定盤20和位于其下方的研磨盤30，兩者相對(duì)設(shè)置。其中，固定盤20的下表面?zhèn)韧ㄟ^粘附層40粘附有加工件10，而研磨盤30的上表面具有用于減薄加工件10所需的研磨物質(zhì)50，研磨物質(zhì)50可以為物理顆粒、物理顆粒和化學(xué)液體的混合物等。厚度減薄設(shè)備還包括位于所述固定盤20上的導(dǎo)電體60、供電裝置70、常閉控制開關(guān)80，導(dǎo)電體60和研磨盤30分別通過電性導(dǎo)線90與供電裝置70和常閉控制開關(guān)80連接，當(dāng)導(dǎo)電體60和研磨盤30接觸時(shí)，由導(dǎo)電體60、供電裝置70、電性導(dǎo)線90和常閉控制開關(guān)80串聯(lián)而成的電路導(dǎo)通，常閉控制開關(guān)80斷開，厚度減薄設(shè)備停止運(yùn)作。導(dǎo)電體60設(shè)置于固定盤20的外壁或其下表面。其中加工件10的數(shù)目大于等于I，粘附層40為蠟層，研磨盤30為導(dǎo)電性的銅盤。常閉控制開關(guān)80在電路斷開時(shí)，為閉合狀態(tài);當(dāng)電路導(dǎo)通時(shí)，為斷開狀態(tài)。
[0021]請(qǐng)繼續(xù)參看附圖1，本實(shí)施例中為防止影響研磨盤30對(duì)加工件10的研磨，將導(dǎo)電體60設(shè)置于固定盤20的外壁。為保證固定盤20外壁上的導(dǎo)電體60可實(shí)現(xiàn)與研磨盤30的接觸，研磨盤30的尺寸大于須固定盤20的尺寸。為使導(dǎo)電體60與研磨盤30的任何位置均能接觸，精確控制減薄厚度，將導(dǎo)電體60設(shè)計(jì)為復(fù)數(shù)個(gè)，且數(shù)量N32，復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電體60均勻分布，本實(shí)施例中優(yōu)選對(duì)稱分布的4個(gè)導(dǎo)電體60。導(dǎo)電體60呈錐形或柱形，由于錐形導(dǎo)電體60與研磨盤30的接觸更靈敏，因此本實(shí)施中優(yōu)選錐形導(dǎo)電體60。
[0022]參看附圖2和3，未研磨時(shí)，加工件10的厚度為Tl;經(jīng)研磨減薄后，加工件10的厚度為T2，所以其減薄厚度T= Tl- T2。參看附圖2，當(dāng)研磨開始時(shí)，導(dǎo)電體60的下端與加工件10的下表面的垂直距離即等于加工件10的減薄厚度T;參看附圖3，當(dāng)研磨完成時(shí)，導(dǎo)電體60下端與加工件10的下表面齊平，由于研磨物質(zhì)50的顆粒比較小，此時(shí)導(dǎo)電體60下端和加工件10下表面均能與所述研磨盤30接觸。當(dāng)導(dǎo)電體60和研磨盤30接觸時(shí)，由導(dǎo)電體60、供電裝置70、電性導(dǎo)線90和常閉控制開關(guān)80串聯(lián)而成的電路導(dǎo)通，常閉控制開關(guān)80斷開，厚度減薄設(shè)備停止運(yùn)作。
[0023]本實(shí)用新型中由于導(dǎo)電體的下端與加工件的下表面的垂直距離即等于加工件的減薄厚度，當(dāng)厚度減薄設(shè)備通過研磨，將加工件減薄一定厚度后，導(dǎo)電體便與研磨盤接觸，由供電裝置、導(dǎo)電體、研磨盤、電性導(dǎo)線和常閉控制開關(guān)串聯(lián)而成的電路導(dǎo)通，常閉開關(guān)在電路導(dǎo)通后斷開，從而使厚度減薄設(shè)備停止運(yùn)作，終止研磨，如此便可精確控制加工件的減薄厚度，防止現(xiàn)有技術(shù)中因無法精確控制研磨厚度而造成的加工件磨厚或磨薄的現(xiàn)象。
[0024]應(yīng)當(dāng)理解的是，上述具體實(shí)施方案為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，本實(shí)用新型的范圍不限于該實(shí)施例，凡依本實(shí)用新型所做的任何變更，皆屬本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種厚度減薄設(shè)備，用于將一加工件減薄一定厚度，至少包括固定盤和位于所述固定盤下方的研磨盤，所述固定盤和研磨盤相對(duì)設(shè)置，所述固定盤的下表面通過粘附層粘附有加工件，所述研磨盤的上表面具有研磨物質(zhì)，其特征在于:所述厚度減薄設(shè)備還包括位于所述固定盤上的導(dǎo)電體、供電裝置、常閉控制開關(guān)，所述導(dǎo)電體和研磨盤分別通過電性導(dǎo)線與供電裝置和常閉控制開關(guān)連接，當(dāng)導(dǎo)電體和研磨盤接觸時(shí)，由所述導(dǎo)電體、供電裝置、電性導(dǎo)線和常閉控制開關(guān)串聯(lián)而成的電路導(dǎo)通，所述常閉控制開關(guān)斷開，所述厚度減薄設(shè)備停止運(yùn)作。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種厚度減薄設(shè)備，其特征在于:當(dāng)研磨開始時(shí)，所述導(dǎo)電體的下端與加工件的下表面的垂直距離等于所述加工件的減薄厚度；當(dāng)研磨完成時(shí)，所述導(dǎo)電體下端與加工件的下表面齊平，并均與所述研磨盤接觸。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種厚度減薄設(shè)備，其特征在于:所述導(dǎo)電體設(shè)置于所述固定盤的外壁或與下表面。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種厚度減薄設(shè)備，其特征在于:所述導(dǎo)電體為復(fù)數(shù)個(gè)，數(shù)量N^ 2;所述復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電體均勻分布。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種厚度減薄設(shè)備，其特征在于:所述導(dǎo)電體呈錐形或柱形。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種厚度減薄設(shè)備，其特征在于:所述研磨盤的尺寸大于所述固定盤的尺寸。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種厚度減薄設(shè)備，其特征在于:所述粘附層為蠟層。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種厚度減薄設(shè)備，其特征在于:所述研磨盤為銅盤。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種厚度減薄設(shè)備，其特征在于:所述加工件包括半導(dǎo)體晶片。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種厚度減薄設(shè)備，其特征在于:所述加工件的數(shù)目大于等于I。
【文檔編號(hào)】B24B37/10GK205630284SQ201620325396
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年4月19日
【發(fā)明人】蔡家豪, 謝磊, 鄭燁, 馮克耀, 王亞杰, 邱智中, 張家宏
【申請(qǐng)人】安徽三安光電有限公司