用于管式低頻pecvd雙層的爐門的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了用于管式低頻PECVD的雙層爐門，包括第一層爐門(1)、第二層爐門(2)、閥門(3、4)、氣管(5)、真空泵(6)，所述的第一層爐門(1)與第二層爐門(2)之間設(shè)有空腔，所述的空腔通過(guò)氣管(5)與真空泵(6)連接。該雙層爐門中間設(shè)有真空保溫隔絕腔體，該設(shè)計(jì)改善管式低頻直接法PECVD鍍膜反應(yīng)爐爐口溫區(qū)的保溫效果，保證了爐口溫區(qū)溫度的穩(wěn)定性和升溫效率。
【專利說(shuō)明】
用于管式低頻PECVD雙層的爐門
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本實(shí)用新型屬于光伏技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于管式低頻PECVD的雙層爐門。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前晶體硅太陽(yáng)電池憑借著強(qiáng)大的生命力和競(jìng)爭(zhēng)力依然占據(jù)市場(chǎng)主流地位。在其 傳統(tǒng)制備工藝中，使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)的方法在發(fā)射極表面沉積一層 SiN x薄膜是其中一個(gè)必須。SiNx薄膜具有鈍化硅片表面和減反射的作用。決定SiNx薄膜鈍化 及減反射效果的主要因素有:SiN x薄膜成膜致密性;薄膜中硅氮比例以及薄膜的厚薄度。
[0003] 目前實(shí)際生產(chǎn)中常用的管式低頻直接法PECVD采用電阻式加熱將整個(gè)腔體加熱到 所需的溫度，腔體中放置具有夾板的石墨舟，夾板的兩側(cè)放置硅片，利用兩片硅片之間形成 電勢(shì)差與反應(yīng)氣體完成輝光放電進(jìn)行鍍膜，這種方法具有鈍化效果好，同時(shí)成膜致密性高 等優(yōu)點(diǎn)。
[0004] 然而這種鍍膜方法輝光等離子體在空間的分布受爐管內(nèi)溫區(qū)分布影響，溫區(qū)不均 易導(dǎo)致不同溫區(qū)硅片鍍膜厚薄不同，產(chǎn)生色差，而厚薄偏離較大的硅片對(duì)于電池效率以及 電池外觀有較大影響。溫區(qū)不均通常為爐口位置的溫度偏低導(dǎo)致成膜膜厚偏薄，硅片發(fā)紅。 其中一個(gè)主要原因是爐口處的爐門保溫效果不是很好，導(dǎo)致爐口區(qū)域的實(shí)際溫度無(wú)法達(dá)到 鍍膜所需的最佳溫度。
[0005] 因此，需要通過(guò)改善爐口保溫能力以提高爐口區(qū)域的鍍膜沉積厚度及鍍膜均勻 性。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006] 實(shí)用新型目的：提供一種提高爐口區(qū)域的鍍膜沉積厚度及鍍膜均勻性的管式低頻 PECVD雙層的爐門。
[0007] 技術(shù)方案：用于管式低頻PECVD的雙層爐門，包括第一層爐門、第二層爐門、閥門、 氣管、真空栗，所述的第一層爐門與第二層爐門之間設(shè)有空腔，所述的空腔通過(guò)氣管與真空 栗連接。
[0008] 作為本實(shí)用新型的優(yōu)選，所述第一層爐門與第二層爐門之間的距離為15~25cm， 第一層爐門與第二層爐門之間的距離優(yōu)選20cm。
[0009] 作為本實(shí)用新型的優(yōu)選，所述第一層爐門與第二層爐門均為保溫材料制成。
[0010] 作為本實(shí)用新型的優(yōu)選，所述的閥門為電子閥門。
[0011] 作為本實(shí)用新型的優(yōu)選，真空栗通過(guò)氣管與爐管連接。
[0012] 有益效果：
[0013]本實(shí)用新型提供了一種用于管式低頻PECVD的雙層爐門，該雙層爐門中間設(shè)有真 空保溫隔絕腔體，該設(shè)計(jì)改善管式低頻直接法PECVD鍍膜反應(yīng)爐爐口溫區(qū)的保溫效果，保證 了爐口溫區(qū)溫度的穩(wěn)定性和升溫效率。
【附圖說(shuō)明】
[0014] 圖1本實(shí)用新型提供的用于管式低頻PECVD的雙層爐門的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015] 根據(jù)下述實(shí)施例，可以更好地理解本實(shí)用新型。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理 解，實(shí)施例所描述的內(nèi)容僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型，而不應(yīng)當(dāng)也不會(huì)限制權(quán)利要求書中所詳 細(xì)描述的本實(shí)用新型。
[0016] 圖1中，1為第一層爐門，2為第二層爐門，3為閥門，4為閥門，5為氣管，6為真 空栗，7爐管，8石墨舟。
[0017]用于管式低頻PECVD的雙層爐門，包括第一層爐門1、第二層爐門2、閥門3、4、氣管 5、真空栗6,所述的第一層爐門1與第二層爐門2之間設(shè)有空腔，所述的空腔通過(guò)氣管5與真 空栗6連接。
[0018]在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一層爐門1與第二層爐門2之間的距離為15~25cm，所述 第一層爐門1與第二層爐門2之間的距離優(yōu)選為20cm。
[0019] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一層爐門（1)與第二層爐門（2)均為保溫材料制成。
[0020] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述的閥門3、4為電子閥門。
[0021] 在一個(gè)實(shí)施例中，真空栗6)通過(guò)氣管5與爐管7連接。
[0022]采用在管式低頻PECVD原有爐門的基礎(chǔ)上增加為雙層爐門結(jié)構(gòu)，同時(shí)兩層爐門之 間留有一定的密閉空腔。在鍍膜準(zhǔn)備階段對(duì)于爐管進(jìn)行抽真空處理時(shí)，將雙層爐門之間空 腔內(nèi)一并進(jìn)行抽真空處理 [0023] 實(shí)施例1:
[0024]選用上述結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的勻氣板裝置對(duì)捷佳創(chuàng)管式PECVD進(jìn)行改造，在原有爐門基礎(chǔ) 上添加一個(gè)相同結(jié)構(gòu)的爐門，形成雙爐門結(jié)構(gòu)（參照附圖1)，兩爐門的距離為20cm。反應(yīng)開 始后對(duì)兩爐門間的空腔進(jìn)行1 Omin的抽真空處理。
[0025]本實(shí)用新型在原有設(shè)備基礎(chǔ)上改造為雙層爐門結(jié)構(gòu)，之后采用常規(guī)多晶硅沉積氮 化硅工藝對(duì)156_X156mm多晶硅片進(jìn)行氮化硅薄膜沉積工藝，石墨舟選用240片舟(一舟可 承載硅片240片）。觀察沉積剛反應(yīng)開始時(shí)的爐門處溫區(qū)溫度，并在工藝完成后對(duì)石墨舟靠 近爐口位置的多晶硅片發(fā)紅片比例進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，發(fā)紅片比例明顯下降。
[0027]本實(shí)用新型通過(guò)雙層爐門結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，并在雙層爐門之間增加了一個(gè)真空腔室。該 腔室在鍍膜工藝過(guò)程中伴隨著對(duì)爐管抽真空的過(guò)程被一同抽成真空狀態(tài)，這種雙層結(jié)構(gòu)的 爐門外加真空隔絕層能有效隔斷爐管與外界環(huán)境的熱交換，保證了爐口附近區(qū)域的升溫速 率和溫場(chǎng)均勻性。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 用于管式低頻PECVD的雙層爐門，其特征在于，包括第一層爐門（1)、第二層爐門（2)、 閥門（3、4)、氣管(5)、真空栗(6)，所述的第一層爐門（1)與第二層爐門（2)之間設(shè)有空腔，所 述的空腔通過(guò)氣管(5)與真空栗(6)連接。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于管式低頻PECVD的雙層爐門，其特征在于，所述第一層爐 門（1)與第二層爐門（2)之間的距離為15~25cm〇3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于管式低頻PECVD的雙層爐門，其特征在于，所述第一層爐 門（1)與第二層爐門（2)均為保溫材料制成。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于管式低頻PECVD的雙層爐門，其特征在于，所述的閥門（3、 4)為電子閥門。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于管式低頻PECVD的雙層爐門，其特征在于，真空栗(6)通過(guò) 氣管(5)與爐管(7)連接。
【文檔編號(hào)】C30B25/08GK205653507SQ201521028413
【公開日】2016年10月19日
【申請(qǐng)日】2015年12月11日 公開號(hào)201521028413.7, CN 201521028413, CN 205653507 U, CN 205653507U, CN-U-205653507, CN201521028413, CN201521028413.7, CN205653507 U, CN205653507U
【發(fā)明人】陳文浩, 劉仁中, 張斌
【申請(qǐng)人】奧特斯維能源（太倉(cāng)）有限公司