專利名稱：聚合物包覆金屬氧化物及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及聚合物包覆金屬氧化物及其制造方法。
背景技術(shù)：
迄今為止，在金屬氧化物的表面處理中都使用硅烷偶合劑。
(Yoshioka，Hiroshi.Silane coupling agents.NipponSetchaku Kyokaishi(1985)，21(6)，252-60.CODEN；NSKSAZ ISSN0001-8201，CAN103；105586 AN 1985505586 CAPLUS(Copyright2003ACS)，或、Tadanaga，Kiyoharu；Ueyama，Kaori；Sueki，Toshitsugu；Matsuda，Atsunori；Minami，tsutomu，Micropatterningof Inorganic-Organic Hybrid Coating Films from Various Tri-Functional SiliCon Alkoxides with a Double Bond in TheirOrganic Components.Journal of Sol-Gel Science and Technology(2003)，26(1-3)，431-434，CODEN；JSGTEC ISSN；0928-0707，AN2002；815093 CAPLUS(Copyright2003ACS))。
另一方面，一種樹枝狀的聚合物正在引起人們的重視，因為它高密度地具有許多末端，這一點與直鏈狀聚合物截然不同(日本特表平8-510761號公報)。

發(fā)明內(nèi)容
上述傳統(tǒng)的硅烷偶合劑在每一個分子中只能導(dǎo)入一個官能團，從而存在難以通過表面處理來進行功能控制的問題。因此，人們期待一類可以一次導(dǎo)入許多個官能團的化合物。
另一方面，傳統(tǒng)的樹枝狀聚合物與金屬氧化物的粘合性差，因此并沒有人嘗試用它來包覆金屬氧化物。
本發(fā)明的目的是提供一類新的聚合物包覆金屬氧化物及其制造方法。
本發(fā)明的聚合物包覆金屬氧化物具有硅氧烷骨架。這樣可以使聚合物與金屬氧化物的表面相結(jié)合。
此處，聚合物優(yōu)選具有支鏈結(jié)構(gòu)。而且，該具有支鏈結(jié)構(gòu)的聚合物優(yōu)選是樹枝狀的聚合物。進而，該聚合物優(yōu)選由雙(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)硅烷、雙(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)硅烷各自單獨、或者混合兩種以上進行聚合而成，或者由雙(二甲基甲硅烷氧基)甲基乙烯基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)乙烯基硅烷、雙(二甲基甲硅烷氧基)甲基烯丙基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)烯丙基硅烷各自單獨、或者混合兩種以上聚合而成。另外，金屬氧化物優(yōu)選由玻璃、硅膠、氧化鈦、鈦酸鋇、氧化銦錫(ITO)、氧化鋁、氧化鎳、氧化鐵各自單獨、或者兩種以上組合而成。
另外，本發(fā)明的聚合物包覆金屬氧化物的制造方法是使金屬化物與具有硅氧烷骨架的聚合物溶液接觸的方法。這樣可以使聚合物與金屬氧化物的表面相結(jié)合。
此處，聚合物優(yōu)選具有支鏈結(jié)構(gòu)。而且，該具有支鏈結(jié)構(gòu)的聚合物優(yōu)選是樹枝狀的聚合物。進而，該聚合物優(yōu)選由雙(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)硅烷、雙(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)硅烷各自單獨、或者混合兩種以上聚合而成，或者由雙(二甲基甲硅烷氧基)甲基乙烯基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)乙烯基硅烷、雙(二甲基甲硅烷氧基)甲基烯丙基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)烯丙基硅烷各自單獨、或者混合兩種以上聚合而成。另外，金屬氧化物優(yōu)選由玻璃、硅膠、氧化鈦、鈦酸鋇、氧化銦錫(ITO)、氧化鋁、氧化鎳、氧化鐵各自單獨、或者兩種以上組合而成。
本發(fā)明具有下述的效果。
通過使用具有硅氧烷骨架的聚合物來包覆金屬氧化物，或者使金屬氧化物與具有硅氧烷骨架的聚合物溶液接觸，可以提供一類新的化合物。


圖1是按照參考例1合成的中間體的NMR譜圖。
圖2是按照參考例2合成的單體的NMR譜圖。
圖3是按照參考例3合成的聚合物的NMR譜圖。
圖4是按照參考例3合成的聚合物的紅外吸收光譜圖。
圖5是按照參考例3合成的聚合物的GPC圖。
圖6是在實施例1中未處理的硅膠的XPS譜圖。
圖7是在實施例1中經(jīng)過處理的硅膠粒子的XPS譜圖。
圖8是在比較例1中經(jīng)過處理的硅膠粒子的XPS譜圖。
圖9是在實施例2中未處理的硅膠的XPS譜圖。
圖10是在實施例2中經(jīng)過處理的硅膠粒子的XPS譜圖。
圖11A是在實施例2中未處理的硅膠的SEM照片。
圖11B是在實施例2中經(jīng)過處理的硅膠粒子的SEM照片。
圖12是在實施例3中未處理的氧化鈦粒子的XPS譜圖。
圖13是在實施例3中經(jīng)過處理的氧化鈦粒子的XPS譜圖。
圖14A是在實施例3中未處理的氧化鈦的SEM照片。
圖14B是在實施例3中經(jīng)過處理的氧化鈦粒子的SEM照片。
圖15是在比較例2中經(jīng)過處理的氧化鈦粒子的XPS譜圖。
圖16是在比較例2中經(jīng)過處理的氧化鈦粒子的SEM照片。
圖17是在實施例4中未處理的鈦酸鋇粒子的XPS譜圖。
圖18是在實施例4中未處理的鈦酸鋇粒子的XPS譜圖。
圖19是在實施例4中未處理的鈦酸鋇粒子的XPS譜圖。
圖20是在實施例4中未處理的鈦酸鋇粒子的XPS譜圖。
圖21是在實施例4中經(jīng)過處理的鈦酸鋇粒子的XPS譜圖。
圖22是在實施例4中經(jīng)過處理的鈦酸鋇粒子的XPS譜圖。
圖23是在實施例4中經(jīng)過處理的鈦酸鋇粒子的XPS譜圖。
圖24是在實施例4中經(jīng)過處理的鈦酸鋇粒子的XPS譜圖。
圖25是表示在實施例6中經(jīng)過處理的鈦酸鋇粒子的(左側(cè)的試管)和未處理的鈦酸鋇粒子(右側(cè)的試管)在甲乙酮中的分散狀態(tài)的照片。
具體實施例方式
下面對用于實施有關(guān)聚合物包覆金屬氧化物及其制造方法的發(fā)明的最佳實施方案進行說明。
首先說明聚合物包覆金屬氧化物的起始原料。作為起始原料，使用金屬氧化物和聚合物。
現(xiàn)在說明金屬氧化物。作為金屬氧化物，沒有特殊的限定，但是可以舉出例如由玻璃、硅膠、氧化鈦、鈦酸鋇、氧化銦錫(ITO)、氧化鋁、氧化鎳、氧化鐵各自單獨、或者兩種以上組合而成的產(chǎn)品。這些金屬氧化物可以根據(jù)目的來選擇使用。
另外，這些金屬氧化物的形狀沒有限定，可以是由粒狀、線狀、板狀的金屬氧化物各自單獨、或者是由兩種以上組合而成的產(chǎn)品。
而且，金屬氧化物不要求化合物全體都是氧化物。例如，在鎂、鋁、鈦、鉻、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、銀、錫等金屬的情況下，可以在這些金屬表面上形成金屬氧化物被膜。
現(xiàn)在對聚合物進行說明。作為本發(fā)明的聚合物，只要是具有聚硅氧烷骨架的聚合物即可，對此沒有特殊限定。優(yōu)選是該聚合物具有支鏈結(jié)構(gòu)，更優(yōu)選是該具有支鏈結(jié)構(gòu)的聚合物是樹枝狀的聚合物。作為該樹枝狀聚合物實例，可以舉出由式(化學式1～8)所示的雙(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)硅烷、雙(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)硅烷各自單獨、或者混合兩種以上聚合而成的產(chǎn)品，或者是由雙(二甲基甲硅烷氧基)甲基乙烯基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)乙烯基硅烷、雙(二甲基甲硅烷氧基)甲基烯丙基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)烯丙基硅烷各自單獨、或者混合兩種以上聚合而成的產(chǎn)品。
化學式1
化學式2
化學式3
化學式4
化學式5 式中， 是選自化學式6的一種基團，化學式6 式中，R可以各自相同或不同，表示氫原子、甲基、乙基、丙基，n是1～10，
X是選自Cl、Br的一種原子。
化學式7 式中， 是選自化學式8的一種基團，化學式8
式中，R可以各自相同或不同，表示氫原子、甲基、乙基、丙基，n是1～10，X是選自Cl、Br的一種原子。
被包覆的聚合物的分子量沒有特殊限定，但是一般在1000～80000的范圍內(nèi)，優(yōu)選在1000～60000的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在1000～45000的范圍內(nèi)。分子量如果不足1000，則分子量過低，即使能夠包覆金屬氧化物也不能獲得充分的包覆量。另外，分子量如果超過80000，則這時會使得聚合物的分子量過高，因此導(dǎo)致聚合物分子的體積過大，這樣也會使包覆量減少。
本發(fā)明的聚合物可以牢固地包覆在金屬氧化物上。聚合物只要能包覆在金屬氧化物上即可，對此沒有特殊限定，其鍵的形態(tài)可以是共價鍵或離子鍵、氫鍵、疏水鍵等，而且也可以是這些鍵的組合。
當金屬氧化物為粒子狀時，在每1g金屬氧化物上的聚合物包覆量可在0.005～0.2g的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.007～0.19的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.008～0.19的范圍內(nèi)。包覆量如果不足0.005g，則包覆效果變小，另外，如果超過0.2g，則雖然可以包覆，但會導(dǎo)致功能消失，因此不優(yōu)選。
現(xiàn)在說明聚合物包覆金屬氧化物的制造方法。聚合物包覆金屬氧化物可以通過將金屬氧化物與具有硅氧烷骨架的聚合物溶液接觸的方法來制備。
此時使用的溶劑，只要是能將聚合物溶解或分散的溶劑即可，例如可以舉出由丙酮、己烷、甲苯、甲乙酮、甲醇、乙醇、水各自單獨、或兩種以上組合而成的溶劑，但是對此沒有特殊限定。
反應(yīng)溫度只要能引起聚合物與包覆的金屬氧化物之間的反應(yīng)就沒有任何限定，但在溶液中加熱時，通常在3～200℃的范圍內(nèi)進行，優(yōu)選在5～180℃的范圍內(nèi)進行，更優(yōu)選在10～150℃的范圍內(nèi)進行。
另外，通過使具有硅氧烷骨架的聚合物在溶液中與金屬氧化物接觸，然后在空氣中或氮氣氛中加熱，也能使二者牢固地結(jié)合。在此情況下，在加熱溫度為20～250℃的范圍內(nèi)進行，優(yōu)選在30～200℃的范圍內(nèi)進行，更優(yōu)選在50～150℃的范圍內(nèi)進行。
本發(fā)明對反應(yīng)液中的聚合物濃度沒有特殊限定，但優(yōu)選在0.01～10質(zhì)量％的范圍內(nèi)進行，更優(yōu)選在0.05～8質(zhì)量％的范圍內(nèi)進行，特別優(yōu)選在0.5～5質(zhì)量％的范圍內(nèi)進行。
聚合物包覆金屬氧化物的制造方法不限定于將金屬氧化物浸漬于聚合物溶液中的方法。除了該方法之外，也可以采用涂覆聚合物溶液的方法、在電場中進行電沉積等的方法。
現(xiàn)在對聚合物包覆金屬氧化物進行說明?？梢哉J為，聚合物與金屬氧化物的結(jié)合狀為如下的狀態(tài)?？梢酝贫ǎ诰酆衔锕羌苤械墓柩跬殒I與金屬氧化物中的M-OH(M為金屬)之間發(fā)生重組反應(yīng)，生成了M-O-Si鍵。
綜上所述，按照本發(fā)明的技術(shù)方案，通過使用具有硅氧烷骨架的聚合物制成包覆的金屬氧化物或者使金屬氧化物與具有硅氧烷骨架的聚合物溶液接觸，可以使聚合物結(jié)合在金屬氧化物的表面上。結(jié)果就能提供新的化合物。
與直鏈狀的聚合物不同，支鏈結(jié)構(gòu)的聚合物具有許多端基，因此可以向其中導(dǎo)入各種官能團。從而可以用各種官能團來使金屬氧化物表面改性。
本發(fā)明可以應(yīng)用于色譜載體、防污處理玻璃、表面處理復(fù)合填料、表面處理冷凝器、化妝品用基材、洗發(fā)劑、護發(fā)素、衣物用洗滌劑、衣物用處理劑等。
應(yīng)予說明，本發(fā)明不限定于用于實施上述發(fā)明的最佳技術(shù)方案，在不背離本發(fā)明要點的條件下，當然也可以采用其他各種技術(shù)方案。
下面通過實施例來具體地說明本發(fā)明，但是本發(fā)明不受這些實施例的任何限定。
參考例1二甲基乙烯基硅烷醇的合成將一個帶有回流管的1L的三頸瓶在用氮氣置換后置于冰浴中，向其中加入乙醚700ml，再加入苯胺8.38g(0.09mol)、水1.48g(0.087mol)并進行攪拌。向其中慢慢地滴加事先溶解于50ml乙醚中的乙烯基二甲基氯硅烷10g(0.082mol)，在室溫下攪拌15分鐘。反應(yīng)如化學式9所示。過濾除去生成的鹽后，用無水硫酸鎂進行脫水，減壓蒸餾除去溶劑，獲得了目標產(chǎn)物。收率為63％。NMR譜圖示于圖1中。
化學式9 參考例2雙(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)甲基硅烷的合成將一個帶有回流管的1L的三頸瓶在用氮氣置換后置于冰浴中，向其中加入乙醚500ml、三乙胺8.21g(0.081mol)，再加入7.54g(0.074mol)的二甲基乙烯基硅烷醇并進行攪拌。向其中慢慢地滴加事先溶解于50ml乙醚中的二氯甲基硅烷4.24g(0.037mol)，在室溫下攪拌20分鐘。反應(yīng)如化學式10所示。過濾除去生成的鹽后，用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀除去低沸點溶劑等。通過蒸餾，獲得了無色透明的雙(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)甲基硅烷。收率為62％。沸點(bp)為46～48℃/10mmHg。NMR譜圖示于圖2中。
化學式10 參考例3支鏈(高支鏈)聚合物的合成將一個帶有回流管的100ml的三頸瓶用氮氣置換后，在該燒瓶中將2.49g(0.01mol)的雙(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)甲基硅烷溶解于50ml的THF中。向其中加入數(shù)滴Karstedt催化劑(二甲苯中加入鉑(O)-1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷配合物0.1M)，加熱回流至IR光譜分析表明Si-H基消失，冷卻至室溫。用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀除去低沸點溶劑等之后，將生成物滴加到乙腈中，獲得了無色粘性液體狀的聚合物，收率為92％。
以聚苯乙烯作為標準，以THF作為展開劑進行GPC分子量測定，結(jié)果獲得的重均分子量為4700。NMR譜圖示于圖3中，紅外吸收光譜圖示于圖4中，GPC圖示于圖5中。可以認為，聚合物的分子結(jié)構(gòu)如化學式11所示。
化學式11

參考例4通過改變反應(yīng)時間來進行參考例3的支鏈(高支鏈)聚合物的合成實驗。結(jié)果示于表1中。當按最大反應(yīng)時間72小時進行實驗時，重均分子量達到64000。
表1

實施例1
將柱色譜用的硅膠粒子(平均粒徑150μm)1.0g、己烷50ml、參考例3的聚合物0.1g混合，攪拌一夜。將硅膠粒子抽濾后，用己烷洗滌，在100℃的烘箱中進行真空干燥，獲得了經(jīng)過處理的硅膠粒子。此處所用的未處理的硅膠的XPS譜圖示于圖6中，經(jīng)過處理的硅膠粒子的XPS譜圖示于圖7中。圖7中的C1s峰明顯地大于圖6中的C1s峰，可知在其表面上載持有聚合物。
比較例1將與實施例1同樣的柱色譜用硅膠粒子(平均粒徑150μm)1.0g、己烷50ml、烯丙基三乙氧基硅烷0.1g混合，攪拌一夜。將硅膠粒子抽濾后，用己烷洗滌，在100℃的烘箱中進行真空干燥，獲得了經(jīng)過處理的硅膠粒子。經(jīng)過處理的硅膠粒子的XPS譜圖示于圖8中。圖8中的C1s峰明顯地大于圖6中的C1s峰，可知在其表面上載持有聚合物，但是其程度比實施例1(圖7)的小。
實施例2將柱色譜用的硅膠粒子(平均粒徑3μm)1.0g、己烷50ml、參考例3的聚合物0.1g混合，攪拌一夜。將硅膠粒子抽濾后，用己烷洗滌，在100℃的烘箱中進行真空干燥，獲得了經(jīng)過處理的硅膠粒子。此處所用的未處理的硅膠的XPS譜圖示于圖9中，經(jīng)過處理的硅膠粒子的XPS譜圖示于圖10中。圖10中的C1s峰明顯地大于圖9中的C1s峰，可知在表面上載持有聚合物。另外，未處理的硅膠的SEM照片示于圖11A中，經(jīng)過處理的硅膠粒子的SEM照片示于圖11B中。圖11B的粒子表面比圖11A的變得平滑，可知在其表面上載持有聚合物。
實施例3將氧化鈦粒子(平均粒徑1μm)1.0g、己烷50ml、參考例3的聚合物0.1g混合，攪拌一夜。將氧化鈦粒子抽濾后，用己烷洗滌，在100℃的烘箱中進行真空干燥，獲得了經(jīng)過處理的氧化鈦粒子。此處所用的未處理的氧化鈦粒子的XPS譜圖示于圖12中，經(jīng)過處理的氧化鈦粒子的XPS譜圖示于圖13中。Si2s和Si2p的峰在圖12中不能確認，但出現(xiàn)在在圖13中，因此可知，在其表面上載持有聚合物。未處理的氧化鈦的SEM照片示于圖14A中，經(jīng)過處理的氧化鈦粒子的SEM照片示于圖14B中。與圖14A相比，圖14B的粒子表面變得平滑，可知在其表面上載持有聚合物。
比較例2將氧化鈦粒子(平均粒徑1μm)1.0g、己烷50ml、烯丙基三乙氧基硅烷0.1g混合，攪拌一夜。將氧化鈦粒子抽濾后，用己烷洗滌，在100℃的烘箱中進行真空干燥，獲得了經(jīng)過處理的氧化鈦粒子。經(jīng)過處理的氧化鈦粒子的XPS譜圖示于圖15中。Si2s和Si2p的峰在圖12中不能確認，但出現(xiàn)在圖15中，因此可知在其表面上載持有烯丙基三乙氧基硅烷。但是其程度比實施例3的圖13要小。經(jīng)過處理的氧化鈦粒子的SEM照片示于圖16中。與圖14A相比，圖16的粒子表面變得平滑，因此可知，在其表面上載持有烯丙基三乙氧基硅烷。但是可以看出，其程度不如圖14B那樣明顯。
實施例4將鈦酸鋇粒子(平均粒徑0.9μm)1.0g、己烷50ml、參考例3的聚合物0.1g混合，攪拌一夜。將鈦酸鋇粒子抽濾后，用己烷洗滌，在100℃的烘箱中進行真空干燥，獲得了經(jīng)過處理的鈦酸鋇粒子。此處所用的未處理的鈦酸鋇粒子的XPS譜圖示于圖17～20中，經(jīng)過處理的鈦酸鋇粒子的XPS譜圖示于圖21～24中。Si2s和Si2p的峰在圖17中不能確認，但出現(xiàn)在圖21中。另外，在O1s峰的放大圖(圖18、圖22)中，來源于參考例3聚合物中的硅氧烷鍵的新的峰在圖22中可以觀察到。通過將圖19與23，以及圖20與24進行比較，可以看出，Ba3d和Ti2p的峰在處理前和處理后沒有變化。根據(jù)上述情況，可知在其表面上載持有聚合物。
實施例5除了將雙(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)甲基硅烷0.83g(樣品1)、3.74g(樣品2、3)、4.98g(樣品4、5)、0.03g(樣品6)、9.96g(樣品7)溶解于50ml的THF中以外，按照與參考例3同樣的方法合成支鏈聚合物。所獲各聚合物的分子量示于圖2中。除了使用這些聚合物，分別將其0.1g(樣品1、2、4、6、7)、0.2g(樣品3、5)混合到己烷50ml中以外，按照與實施例3同樣的方法將聚合物包覆在粒徑1μm的氧化鈦表面上。包覆在經(jīng)過處理的氧化鈦粒子表面上的聚合物各自的包覆量示于表2中。應(yīng)予說明，聚合物包覆量的測定方法是通過測定氧化鈦粒子在處理前和處理后的重量來算出包覆量的方法。
對所獲的經(jīng)過處理的氧化鈦粒子按照以下的方法進行功能評價。首先，將經(jīng)過處理的氧化鈦粒子0.5g混合到甲乙酮10ml中，強烈振動攪拌5分鐘。然后將該混合液靜置2小時。所獲結(jié)果示于表2中。對于樣品1～5，已確認經(jīng)過處理的氧化鈦粒子幾乎沒有沉降。對于樣品6、7，已確認有許多沉淀物。在樣品1～5中，經(jīng)過處理的氧化鈦粒子幾乎沒有沉降的理由，可以認為是由于氧化鈦粒子的表面被一種與甲乙酮親合性高的支鏈硅氧烷包覆著的緣故。
表2

實施例6準備2支試管，向每支試管中加入1g的鈦酸鋇粒子和17ml的甲乙酮。再向其中的1支試管中加入?yún)⒖祭?的高支鏈聚硅氧烷0.1g，將這2支試管強振攪拌5分鐘，過24小時后對其拍照，照片示于圖25中。在加入了高支鏈聚硅氧烷的左側(cè)的試管中，沒有發(fā)生鈦酸鋇粒子的沉降，但是在沒有加入高支鏈聚硅氧烷的右側(cè)的試管中，鈦酸鋇粒子發(fā)生沉降。根據(jù)以上的情況，可知，高支鏈聚硅氧烷具有良好的使無機金屬氧化物粒子分散的能力。
實施例7高支鏈聚硅氧烷對玻璃表面的密合性的研究。
將一塊預(yù)先用洗滌液和純水洗滌過的玻璃基板置于飽和的氫氧化鉀乙醇溶液中浸漬2小時，再用超聲波清洗器在純水中洗滌3次，然后將其置于潔凈工作臺內(nèi)進行自然干燥。將上述經(jīng)過親水性處理的玻璃基板置于參考例3的高支鏈聚硅氧烷的己烷溶液中浸漬規(guī)定的時間，然后依次地用大量的己烷和丙酮洗滌，最后將其置于潔凈工作臺內(nèi)進行自然干燥。用純水測定其靜態(tài)接觸角。接著進行表3中所示的樣品5、6、7的處理，測定其靜態(tài)接觸角。結(jié)果示于表3中。從該表中可以明顯地看出，高支鏈聚合物能夠牢固地密合在玻璃的表面上。
表3

權(quán)利要求
1.一種聚合物包覆金屬氧化物，其特征在于，聚合物具有硅氧烷骨架。
2.如權(quán)利要求1所述的聚合物包覆金屬氧化物，其特征在于，聚合物具有支鏈結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的聚合物包覆金屬氧化物，其特征在于，具有支鏈結(jié)構(gòu)的聚合物是樹枝狀聚合物。
4.如權(quán)利要求2所述的聚合物包覆金屬氧化物，其特征在于，具有支鏈結(jié)構(gòu)的聚合物牢固地結(jié)合在被包覆的金屬氧化物上。
5.如權(quán)利要求1所述的聚合物包覆金屬氧化物，其特征在于，聚合物由雙(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)硅烷、雙(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)硅烷各自單獨、或者混合兩種以上聚合而成，或者由雙(二甲基甲硅烷氧基)甲基乙烯基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)乙烯基硅烷、雙(二甲基甲硅烷氧基)甲基烯丙基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)烯丙基硅烷各自單獨、或者混合兩種以上聚合而成。
6.如權(quán)利要求5所述的聚合物包覆金屬氧化物，其特征在于，聚合物的分子量在1000～80000的范圍內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的聚合物包覆金屬氧化物，其特征在于，金屬氧化物由玻璃、硅膠、氧化鈦、鈦酸鋇、氧化銦錫(ITO)、氧化鋁、氧化鎳、氧化鐵各自單獨或兩種以上組合而成。
8.如權(quán)利要求1所述的聚合物包覆金屬氧化物，其特征在于，金屬氧化物由粒狀、線狀、板狀的金屬氧化物各自單獨或者兩種以上組合而成。
9.如權(quán)利要求7所述的聚合物包覆金屬氧化物，其特征在于，相對于每1g金屬氧化物，聚合物的包覆量在0.005～0.2g的范圍內(nèi)。
10.一種聚合物包覆金屬氧化物的制造方法，其特征在于，使金屬氧化物與具有硅氧烷骨架的聚合物溶液接觸。
11.如權(quán)利要求10所述的聚合物包覆金屬氧化物的制造方法，其特征在于，聚合物具有支鏈結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求11所述的聚合物包覆金屬氧化物的制造方法，其特征在于，具有支鏈結(jié)構(gòu)的聚合物是樹枝狀聚合物。
13.如權(quán)利要求10所述的聚合物包覆金屬氧化物的制造方法，其特征在于，聚合物由雙(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基乙烯基甲硅烷氧基)硅烷、雙(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)甲基硅烷、三(二甲基烯丙基甲硅烷氧基)硅烷各自單獨、或者混合兩種以上聚合而成，或者由雙(二甲基甲硅烷氧基)甲基乙烯基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)乙烯基硅烷、雙(二甲基甲硅烷氧基)甲基烯丙基硅烷、三(二甲基甲硅烷氧基)烯丙基硅烷各自單獨、或者混合兩種以上聚合而成。
14.如權(quán)利要求13所述的聚合物包覆金屬氧化物的制造方法，其特征在于，聚合物的分子量在1000～80000的范圍內(nèi)。
15.如權(quán)利要求10所述的聚合物包覆金屬氧化物的制造方法，其特征在于，金屬氧化物由玻璃、硅膠、氧化鈦、鈦酸鋇、氧化銦錫(ITO)、氧化鋁、氧化鎳、氧化鐵各自單獨、或兩種以上組合而成。
16.如權(quán)利要求10所述的聚合物包覆金屬氧化物的制造方法，其特征在于，金屬氧化物由粒狀、線狀、板狀的金屬氧化物各自單獨、或者兩種以上組合而成。
17.如權(quán)利要求15所述的聚合物包覆金屬氧化物的制造方法，其特征在于，相對于每1g金屬氧化物，聚合物的包覆量在0.005～0.2g的范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供新的聚合物包覆金屬氧化物。本發(fā)明的聚合物包覆金屬氧化物中的聚合物具有硅氧烷骨架。本發(fā)明的聚合物包覆金屬氧化物的制造方法是使金屬氧化物與具有硅氧烷骨架的聚合物溶液接觸的方法。利用這種方法可以使聚合物與金屬氧化物的表面相結(jié)合。此處，聚合物優(yōu)選具有支鏈結(jié)構(gòu)。另外，該具有支鏈結(jié)構(gòu)的聚合物優(yōu)選是樹枝狀的聚合物。另外，金屬氧化物優(yōu)選是玻璃、硅膠、氧化鈦、鈦酸鋇、氧化銦錫(ITO)、氧化鋁、氧化鎳、氧化鐵等。
文檔編號C01G23/04GK1777559SQ200480010420
公開日2006年5月24日 申請日期2004年2月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月18日
發(fā)明者柿本雅明, 寺境光俊, 鈴木惠理子 申請人:財團法人理工學振興會