專(zhuān)利名稱(chēng)：氧化錫空心納米材料的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種納米材料的制備，尤其是涉及一種以氧化鋅為犧牲模板制備氧化錫空心納米材料的方法。
背景技術(shù)：
自從1991年Iijima發(fā)現(xiàn)碳納米管以來(lái)，納米管和納米球等空心納米材料由于其在光學(xué)、電學(xué)和氣敏等方面表現(xiàn)出來(lái)的獨(dú)特性能逐漸引起了人們的研究興趣。與納米線、納米棒和納米顆粒等實(shí)心材料相比，空心納米材料具有低密度高比表面積的特點(diǎn)，在氣敏傳感器等領(lǐng)域的應(yīng)用具有巨大的優(yōu)勢(shì)。此外，空心納米材料的空腔可以作為微小的容器容納某些功能材料或者藥物分子，而它的外壁可以起到保護(hù)的作用，因此在生物標(biāo)記和藥物緩釋等方面也有良好的應(yīng)用前景。
氧化錫(SnO2)是一種寬帶隙的n型金屬氧化物半導(dǎo)體材料，300K時(shí)其禁帶寬度為3.6eV，在氣敏元件、透明導(dǎo)電電極、晶體管和太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域已獲得廣泛應(yīng)用，被認(rèn)為是最具應(yīng)用前景的功能材料之一。過(guò)去的十幾年里，關(guān)于SnO2納米材料的工作主要集中在納米薄膜、納米顆粒和納米線等實(shí)心材料的合成及其物理化學(xué)性質(zhì)的研究方面，對(duì)SnO2空心結(jié)構(gòu)的研究相對(duì)比較少。目前，已見(jiàn)報(bào)道的SnO2空心結(jié)構(gòu)的制備方法主要是模板法。例如李效玉等(CN200410039474.3)利用乳膠粒為核，用摻銻的無(wú)機(jī)錫做殼原料，通過(guò)離子交換反應(yīng)形成有機(jī)/無(wú)機(jī)核殼結(jié)構(gòu)粒子，然后煅燒去除有機(jī)核，得到空心氧化錫粉體粒子；陳艷輝等(陳艷輝等，二氧化錫納米管陣列的溶膠凝膠法制備與結(jié)構(gòu)表征，科學(xué)通訊，2004，49(23)2422-2425)用溶膠凝膠法在陽(yáng)極氧化鋁的模板中制備了SnO2納米管，電鏡表征結(jié)果表明其管壁為多晶的錫石結(jié)構(gòu)；Liu Bin等(J.Phys.Chem.B 2004，1085867-5874)以α-MoO3納米棒為犧牲模板，通過(guò)鹽輔助的水熱反應(yīng)法制備得到了大量尺寸均勻的SnO2納米管，但其管壁同樣是多晶的。由于以上這些SnO2空心結(jié)構(gòu)的制備均是在溶液環(huán)境中實(shí)現(xiàn)的，因此獲得的SnO2空心材料的外壁結(jié)晶度比較差，都是多晶的；而且，空心材料的形態(tài)單一，只能合成管狀或球狀的空心結(jié)構(gòu)，要合成其它形態(tài)的SnO2空心結(jié)構(gòu)就很難實(shí)現(xiàn)。因此開(kāi)發(fā)一種操作簡(jiǎn)單易行的方法來(lái)大量制備晶態(tài)良好、形態(tài)多樣的SnO2空心納米材料，對(duì)于滿(mǎn)足其在未來(lái)納米器件方面的應(yīng)用來(lái)說(shuō)是非常重要的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有的SnO2空心納米材料制備方法中存在的上述不足，提供一種制備各種形態(tài)的SnO2空心納米材料的通用方法。本發(fā)明采用的技術(shù)方案是利用ZnO和SnO2在耐酸性上的差別，以形態(tài)豐富的ZnO納米材料為犧牲模板，經(jīng)過(guò)包覆和除核步驟后得到保持ZnO形態(tài)的SnO2空心納米材料。
本發(fā)明的工藝步驟如下1)ZnO模板的制備通過(guò)化學(xué)氣相沉積、離子液體或激光濺射等常規(guī)方法制備ZnO納米材料；2)SnH4前驅(qū)體的制備將SnCl4·5H2O水溶液滴加到KOH和KBH4混合水溶液中，產(chǎn)生的氣體SnH4通過(guò)N2攜帶進(jìn)入一個(gè)氣囊中備用；3)SnO2外殼的生長(zhǎng)將制備好的ZnO納米材料分散在裁好的硅片襯底上，然后放置在化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)腔中作為SnO2生長(zhǎng)的襯底，待反應(yīng)腔抽真空后，將硅片襯底加熱到600～800℃，通入配制好的SnH4/N2混合氣，沉積后停止供應(yīng)SnH4/N2混合氣并關(guān)閉加熱控制器的電源使硅片自然降溫，最后關(guān)閉真空系統(tǒng)，即在硅片襯底上生長(zhǎng)得到具有核-殼結(jié)構(gòu)的ZnO/SnO2復(fù)合材料；4)ZnO內(nèi)核的除去沉積SnO2后所得的產(chǎn)物連同硅片襯底浸泡在盛有稀酸溶液的培養(yǎng)皿中，再用清水清洗至pH呈中性后干燥，即得到保持ZnO初始外形的SnO2空心納米材料。
在步驟1)中，所述的ZnO納米材料為四角叉狀ZnO、飛機(jī)狀ZnO、陣列狀ZnO、六棱柱狀ZnO、金字塔狀ZnO或帶狀ZnO等。
在步驟2)中，將濃度為0.10～0.30g/ml的SnCl4·5H2O水溶液滴加到濃度為0.025～0.075g/ml的KOH和KBH4混合水溶液；各反應(yīng)物的質(zhì)量比為SnCl4·5H2O∶KOH∶KBH4＝1∶(0.3～0.8)∶(0.3～0.8)，最好為SnCl4·5H2O∶KOH∶KBH4＝1∶0.5∶0.5，產(chǎn)生的氣體SnH4通過(guò)流速為100～300sccm的N2攜帶進(jìn)入一個(gè)氣囊中備用。
在步驟3)中，通入配制好的SnH4/N2混合氣的流速為10～80sccm，沉積時(shí)間為1～10min。
在步驟4)中，沉積SnO2后所得的產(chǎn)物連同硅片襯底浸泡在盛有稀酸溶液的培養(yǎng)皿中的浸泡時(shí)間最好為1～4h；所述的稀酸選自稀鹽酸、稀硝酸、稀硫酸或稀磷酸等，所述的稀酸濃度可選為0.05～1M。
與現(xiàn)有溶液中制備SnO2空心材料的方法相比，本發(fā)明具有以下突出優(yōu)點(diǎn)1)得到的SnO2空心材料的形態(tài)豐富。由于作為犧牲模板的ZnO納米材料具有極其豐富的形態(tài)，經(jīng)過(guò)包覆和除核步驟之后，SnO2完全將ZnO的外形復(fù)制保留下來(lái)，因此利用本發(fā)明可以制備包括四角叉狀、飛機(jī)狀、陣列狀、六棱柱狀、金字塔狀和帶狀等在內(nèi)多種形態(tài)的SnO2空心納米材料。2)得到的SnO2空心材料外壁的結(jié)晶度良好。由于SnO2包覆ZnO模板的步驟是一個(gè)外延生長(zhǎng)的步驟，整個(gè)SnO2外殼是結(jié)晶良好的單晶。3)得到的SnO2空心材料外壁的厚度可控。因?yàn)槭荢nO2包覆ZnO模板的步驟是一個(gè)氣相沉積的步驟，對(duì)SnO2外殼生長(zhǎng)厚度的控制可以通過(guò)對(duì)SnH4/N2混合氣的濃度、流速以及沉積時(shí)間的準(zhǔn)確控制來(lái)實(shí)現(xiàn)。


圖1為(a)以Zn粉為原料，通過(guò)化學(xué)氣相沉積法制備得到的四角叉狀ZnO的透射電子顯微鏡照片；(b)為以SnH4為錫源，在四角叉狀ZnO模板表面沉積SnO2后得到的具有核-殼結(jié)構(gòu)的四角叉狀ZnO/SnO2的透射電子顯微鏡照片；(c)為經(jīng)過(guò)酸處理之后得到的四角叉狀SnO2空心納米材料的透射電子顯微鏡照片。
圖2(a)為以Zn粉為原料，通過(guò)化學(xué)氣相沉積法制備得到的的飛機(jī)狀ZnO的透射電子顯微鏡照片；(b)為以SnH4為錫源，在飛機(jī)狀ZnO模板表面沉積SnO2后得到的具有核-殼結(jié)構(gòu)的飛機(jī)狀ZnO/SnO2的掃描電子顯微鏡照片；(c)為經(jīng)過(guò)酸處理之后得到的飛機(jī)狀SnO2空心納米材料的掃描電子顯微鏡照片。
圖3(a)為以Zn粒為原料，通過(guò)化學(xué)氣相沉積法制備得到的陣列ZnO納米線的掃描電子顯微鏡照片；(b)為以SnH4為錫源，在陣列狀ZnO模板表面沉積SnO2后得到的具有核-殼結(jié)構(gòu)的陣列狀ZnO/SnO2復(fù)合納米線的掃描電子顯微鏡照片；(c)為經(jīng)過(guò)酸處理之后得到的陣列狀SnO2空心納米材料的掃描電子顯微鏡照片。
圖4(a)為以Zn粒為原料，通過(guò)激光濺射法制備得到的六棱柱狀ZnO的掃描電子顯微鏡照片；(b)為以SnH4為錫源，在六棱柱狀ZnO模板表面沉積SnO2后得到的具有核-殼結(jié)構(gòu)的六棱柱狀ZnO/SnO2復(fù)合納米棒的掃描電子顯微鏡照片；(c)為經(jīng)過(guò)酸處理之后得到的六棱柱狀SnO2空心納米材料的掃描電子顯微鏡照片。
圖5(a)為以醋酸鋅為原料，在離子液體中分解得到的金字塔狀ZnO的掃描電子顯微鏡照片；(b)為以SnH4為錫源，在金字塔狀ZnO模板表面沉積SnO2后得到的具有核-殼結(jié)構(gòu)的金字塔狀ZnO/SnO2的掃描電子顯微鏡照片；(c)為經(jīng)過(guò)酸處理之后得到的金字塔狀SnO2空心納米材料的掃描電子顯微鏡照片。
具體實(shí)施例方式
下面通過(guò)實(shí)施例結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。在本實(shí)施例中所用的化學(xué)氣相沉積裝置采用集硅片加熱沉積于一體的化學(xué)氣相沉積裝置(參見(jiàn)CN1546723A和CN2655310Y專(zhuān)利)，硅片既作為加熱源也作為沉積襯底，其基本工作原理為通過(guò)控制流經(jīng)硅片的電流大小來(lái)將硅片加熱到不同的溫度，但是本制備方法同樣適用于以管式爐為加熱源的傳統(tǒng)氣相沉積裝置。
集硅片加熱沉積于一體的化學(xué)氣相沉積裝置設(shè)有1)升壓電路，升壓電路輸出端外接被加熱硅片(負(fù)載)，用于在硅片處于冷狀態(tài)時(shí)，將電源電壓升壓以啟動(dòng)硅片，并隨著硅片升溫實(shí)時(shí)下調(diào)電壓。2)脈寬調(diào)制電路，其脈寬調(diào)制信號(hào)輸出端接升壓電路控制信號(hào)輸入端，為升壓電路提供脈寬調(diào)制信號(hào)，過(guò)流信號(hào)輸入端接升壓電路的電流信號(hào)輸出端，為升壓電路提供過(guò)流保護(hù)。3)超壓保護(hù)電路，其超壓判斷信號(hào)輸入端外接被加熱硅片，其超壓關(guān)閉信號(hào)輸出端接脈寬調(diào)制電路的調(diào)制信號(hào)輸入端，用于實(shí)時(shí)監(jiān)控升壓電路的輸出電壓。4)恒流電路，其輸入端外接被加熱硅片，用于控制硅片電流，以實(shí)現(xiàn)控制硅片溫度的目的。5)升壓或降壓恒流自動(dòng)判斷切換電路，分別接升壓電路和恒流電路，用于升壓電路與恒流電路的工作切換。6)接口電路，其電流采樣端口接恒流電路，被加熱硅片兩端電壓采樣端口外接被加熱硅片，為計(jì)算機(jī)或單片機(jī)控制溫度接口，以及監(jiān)控硅片兩端電壓、電流采樣端口。7)電源，分別連接升壓電路、脈寬調(diào)制電路、超壓保護(hù)電路、恒流電路、升壓或降壓恒流自動(dòng)判斷切換電路和接口電路等。
實(shí)施例11)四角叉狀ZnO內(nèi)核的制備稱(chēng)取0.1gZn粉，置于集硅片加熱沉積于一體的化學(xué)氣相沉積裝置中的硅片襯底上，啟動(dòng)加熱控制器電源，設(shè)定電流為5A即溫度為800℃，加熱Zn粉，同時(shí)用另外一片裁制好的硅片放置于Zn粉正上方1cm處收集蒸發(fā)得到的四角叉狀ZnO；2)SnH4前驅(qū)體的制備分別稱(chēng)取KBH4和KOH各15g，配制成200ml水溶液后裝入三頸燒瓶中；稱(chēng)取30g SnCl4·5H2O配制成100ml水溶液，裝入恒壓漏斗中。三頸燒瓶中間的頸口與恒壓漏斗連接，其余兩個(gè)頸口為N2(載氣/稀釋氣)的進(jìn)口和出口。將恒壓漏斗中的SnCl4·5H2O水溶液逐滴加入三頸燒瓶中KOH和KBH4混合水溶液，產(chǎn)生的SnH4氣體通過(guò)流速為300sccm的N2載氣攜帶進(jìn)入一個(gè)氣袋備用；3)SnO2外殼的生長(zhǎng)將沉積了四角叉狀ZnO的硅片固定在反應(yīng)裝置的兩電極上，待石英管反應(yīng)腔抽真空后，啟動(dòng)硅片微區(qū)加熱控制器電源，設(shè)定電流為5A即溫度為800℃，以60sccm的流速通入配制好的SnH4/N2混合氣，經(jīng)過(guò)5min后關(guān)閉硅片微區(qū)加熱控制器電源，關(guān)閉真空系統(tǒng)。
4)ZnO內(nèi)核的除去將經(jīng)過(guò)兩次沉積所得的產(chǎn)物連同硅片襯底浸泡在盛有20ml濃度為0.05～0.1M的稀鹽酸溶液的表面皿中，1h后將產(chǎn)物取出；再將產(chǎn)物浸泡在清水中，每隔30min換一次清水，直至溶液pH呈中性。用離心的方法收集清洗后的產(chǎn)物然后干燥，即得到四角叉狀的SnO2空心納米材料。
每一步得到的沉積產(chǎn)物都經(jīng)過(guò)透射電子顯微鏡表征。由化學(xué)氣相沉積法得到的產(chǎn)物主要是四角叉狀ZnO，每根納米棒的直徑為30～100nm(圖1a)；經(jīng)過(guò)SnO2包覆之后，四角叉的尺寸有所增加，每根納米棒的直徑為40～130nm(圖1b)；經(jīng)過(guò)稀酸腐蝕過(guò)的四角叉呈空心狀，外形保持較好，管壁的厚度為10～30nm。
實(shí)施例2制備步驟與實(shí)施例1相似，只是步驟2)中KBH4和KOH各稱(chēng)取5g而SnCl4·5H2O稱(chēng)取10g，載氣N2的流速為100sccm；步驟3)中以80sccm的流速通入配制好的SnH4/N2混合氣，沉積時(shí)間為10min；步驟4)中所使用的稀酸為稀鹽酸，濃度為0.1～0.5M，浸泡時(shí)間為2h。
每一步得到的沉積產(chǎn)物都經(jīng)過(guò)掃描電子顯微鏡表征。由化學(xué)氣相沉積法得到的產(chǎn)物除了高產(chǎn)率四角叉狀ZnO之外，還含有少量的飛機(jī)狀的ZnO，表面光滑(圖2a)；經(jīng)過(guò)SnO2包覆之后，此飛機(jī)狀結(jié)構(gòu)的尺寸有所增加，表面變得粗糙(圖2b)；經(jīng)過(guò)鹽酸腐蝕過(guò)的SnO2材料呈空心的飛機(jī)狀，外形保持較好，管壁的厚度為20～50nm(圖2c)。
實(shí)施例31)以Zn粒為原料，通過(guò)化學(xué)氣相沉積法在裁好的硅片襯底上沉積得到陣列狀ZnO納米線，其直徑為100～200nm，長(zhǎng)度為1～20μm；2)步驟3)、4)與實(shí)施例1基本相同，只是步驟2)中KBH4和KOH各稱(chēng)取10g而SnCl4·5H2O稱(chēng)取20g，載氣N2的流速為200sccm；步驟3)中將沉積了陣列狀的ZnO納米線作為SnO2沉積的襯底，通過(guò)硅片的電流設(shè)定為4A即溫度為750℃，以40sccm的流速通入配制好的SnH4/N2混合氣，沉積時(shí)間為8min；步驟4)中所使用的稀酸為稀鹽酸，濃度為0.5～1M，浸泡時(shí)間為3h。
每一步得到的沉積產(chǎn)物都經(jīng)過(guò)掃描電子顯微鏡表征。由化學(xué)氣相沉積法制備得到的ZnO為陣列狀的納米線(圖3a)；經(jīng)過(guò)SnO2包覆之后，陣列狀結(jié)構(gòu)的尺寸有所增加，表面變得粗糙(圖3b)；經(jīng)過(guò)稀酸腐蝕后得到SnO2空心管(圖3c)依然垂直于硅片襯底，保持著陣列狀，管壁厚度為50～100nm。
實(shí)施例4
1)以Zn粒為原料，通過(guò)激光濺射的方法在裁好的硅片襯底上沉積得到ZnO納米棒，其直徑為250～500nm，長(zhǎng)度為1.5～3μm；2)步驟3)、4)與實(shí)施例1基本相同，只是步驟3)中將沉積了ZnO納米棒作為SnO2沉積的襯底，通過(guò)硅片的電流設(shè)定為2.5A即溫度設(shè)定為600℃；步驟4)中所使用的稀酸為稀硝酸，濃度為0.5～0.8M，浸泡時(shí)間為2h。
每一步得到的產(chǎn)物都經(jīng)過(guò)掃描電子顯微鏡表征。通過(guò)激光濺射方法得到的ZnO為六棱柱狀的納米棒，其直徑為200～500nm(圖4a)；經(jīng)過(guò)SnO2包覆之后，六棱柱狀結(jié)構(gòu)的尺寸有所增加，表面變得粗糙(圖4b)；經(jīng)過(guò)稀酸腐蝕后得到的SnO2空心納米材料(圖4c)依然保持著六棱柱狀，管壁厚度為100～200nm。
實(shí)施例51)以醋酸鋅為原料，以離子液體為溶劑，通過(guò)熱分解制備得到金字塔狀ZnO。將制備好的金字塔狀ZnO粉末分散在無(wú)水乙醇中，用滴管取少許ZnO懸濁液逐滴滴在裁好的硅片襯底上，在紅外燈下烘干；2)步驟3)、4)與實(shí)施例1基本相同，只是步驟3)中將沉積有金字塔狀ZnO的硅片作為SnO2沉積的襯底，通過(guò)硅片的電流設(shè)定為3.5A即溫度為700℃SnH4/N2混合氣的流速控制在10～40sccm，時(shí)間控制在1～3min。步驟4)中所使用的稀酸為稀硫酸，濃度為0.05～0.15M，浸泡時(shí)間為3h。
每一步得到的產(chǎn)物都經(jīng)過(guò)掃描電子顯微鏡表征。通過(guò)離子液體方法得到的ZnO為金字塔狀的六棱錐，其底面直徑為1～1.5μm(圖5a)；經(jīng)過(guò)SnO2包覆之后，金字塔狀結(jié)構(gòu)的尺寸有所增加，表面變得粗糙(圖5b)；經(jīng)過(guò)稀酸腐蝕后得到的SnO2空心納米材料(圖5c)保持著金字塔狀，管壁厚度為50～250nm。
實(shí)施例61)以鋅粉為原料，通過(guò)化學(xué)氣相沉積的方法在裁好的硅片襯底上沉積得到ZnO納米帶，其寬度為50～300nm，厚度為10～50nm，長(zhǎng)度為10～200μm；2)步驟3)、4)與實(shí)施例1基本相同，只是步驟3)中將沉積有帶狀ZnO的硅片作為SnO2沉積的襯底；步驟4)中所使用的稀酸為稀磷酸，濃度為0.1～0.3M，浸泡時(shí)間為4h。
上述實(shí)施例中在制備ZnO納米材料時(shí)可采用化學(xué)氣相沉積、離子液體或激光濺射等常規(guī)方法；當(dāng)采用化學(xué)氣相沉積法時(shí)，可將Zn粉放置在化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)腔中央，在其下游方向放置硅片作為ZnO沉積的襯底，待反應(yīng)腔抽真空后，將反應(yīng)腔加熱到600～800℃，沉積后關(guān)閉加熱控制器的電源自然降溫，最后關(guān)閉真空系統(tǒng)，即在硅片襯底上生長(zhǎng)得到ZnO納米材料。
當(dāng)采用離子液體法時(shí)，可將鋅的含氧酸鹽加入到由乙二胺(或三辛胺或30％甲胺水溶液)和油酸構(gòu)成的離子液體中，然后在270-400℃下恒溫20min-240min，最后在室溫下冷卻，取下層淡黃色沉淀用正己烷和乙醇反復(fù)清洗干凈，即得到ZnO納米材料。
當(dāng)采用激光濺射法時(shí)，可將Zn粒放置在一端封口的反應(yīng)腔底部，在其下游方向放置硅片作為ZnO沉積的襯底，待反應(yīng)腔抽真空后，將硅片加熱到600～800℃并用激光照射Zn粒使其蒸發(fā)，沉積后關(guān)閉激光和加熱控制器的電源自然降溫，最后關(guān)閉真空系統(tǒng)，即在硅片襯底上生長(zhǎng)得到ZnO納米材料。
權(quán)利要求
1.氧化錫空心納米材料的制備方法，其特征在于其步驟如下1)ZnO模板的制備通過(guò)化學(xué)氣相沉積、離子液體或激光濺射方法制備ZnO納米材料；2)SnH4前驅(qū)體的制備將SnCl4·5H2O水溶液滴加到KOH和KBH4混合水溶液中，產(chǎn)生的氣體SnH4通過(guò)N2攜帶進(jìn)入一個(gè)氣囊中備用；3)SnO2外殼的生長(zhǎng)將制備好的ZnO納米材料分散在裁好的硅片襯底上，然后放置在化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)腔中作為SnO2生長(zhǎng)的襯底，待反應(yīng)腔抽真空后，將硅片襯底加熱到600～800℃，通入配制好的SnH4/N2混合氣，沉積后停止供應(yīng)SnH4/N2混合氣并關(guān)閉加熱控制器的電源使硅片自然降溫，最后關(guān)閉真空系統(tǒng)，即在硅片襯底上生長(zhǎng)得到具有核-殼結(jié)構(gòu)的ZnO/SnO2復(fù)合材料；4)ZnO內(nèi)核的除去沉積SnO2后所得的產(chǎn)物連同硅片襯底浸泡在盛有稀酸溶液的培養(yǎng)皿中，再用清水清洗至pH呈中性后干燥，即得到保持ZnO初始外形的SnO2空心納米材料。
2.如權(quán)利要求1所述的氧化錫空心納米材料的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述的ZnO納米材料為四角叉狀ZnO、飛機(jī)狀ZnO、陣列狀ZnO、六棱柱狀ZnO、金字塔狀ZnO或帶狀ZnO。
3.如權(quán)利要求1所述的氧化錫空心納米材料的制備方法，其特征在于在步驟2)中，將濃度為0.10～0.30g/ml的SnCl4·5H2O水溶液滴加到濃度為0.025～0.075g/ml的KOH和KBH4混合水溶液。
4.如權(quán)利要求1所述的氧化錫空心納米材料的制備方法，其特征在于在步驟2)中，按質(zhì)量比SnCl4·5H2O水溶液、KOH和KBH4混合水溶液的含量為SnCl4·5H2O∶KOH∶KBH4＝1∶0.3～0.8∶0.3～0.8。
5.如權(quán)利要求4所述的氧化錫空心納米材料的制備方法，其特征在于在步驟2)中，SnCl4·5H2O∶KOH∶KBH4＝1∶0.5∶0.5。
6.如權(quán)利要求1所述的氧化錫空心納米材料的制備方法，其特征在于在步驟2)中，產(chǎn)生的氣體SnH4通過(guò)流速為100～300sccm的N2攜帶進(jìn)入一個(gè)氣囊中備用。
7.如權(quán)利要求1所述的氧化錫空心納米材料的制備方法，其特征在于在步驟3)中，通入配制好的SnH4/N2混合氣的流速為10～80sccm。
8.如權(quán)利要求1所述的氧化錫空心納米材料的制備方法，其特征在于在步驟3)中，沉積時(shí)間為1～10min。
9.如權(quán)利要求1所述的氧化錫空心納米材料的制備方法，其特征在于在步驟4)中，沉積SnO2后所得的產(chǎn)物連同硅片襯底浸泡在盛有稀酸溶液的培養(yǎng)皿中的浸泡時(shí)間為1～4h。
10.如權(quán)利要求1或9所述的氧化錫空心納米材料的制備方法，其特征在于在步驟4)中，所述的稀酸選自濃度為0.05～1M的稀鹽酸、稀硝酸、稀硫酸或稀磷酸。
全文摘要
氧化錫空心納米材料的制備方法，涉及一種納米材料的制備，尤其是涉及一種以氧化鋅為犧牲模板制備氧化錫空心納米材料的方法。提供一種制備各種形態(tài)的SnO
文檔編號(hào)C01G19/00GK1789140SQ200510129960
公開(kāi)日2006年6月21日 申請(qǐng)日期2005年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月16日
發(fā)明者匡勤, 周樨, 徐韜, 林水潮, 江智淵, 謝兆雄, 謝素原, 黃榮彬, 鄭蘭蓀 申請(qǐng)人:廈門(mén)大學(xué)